
- •Технология интегральных микросхем
- •Литография
- •Разрешающие возможности литографий
- •Фотолитография
- •Типовой литографический процесс
- •Выбор фоторезиста
- •Спектральная чувствительность к излучению
- •Разрешающая способность
- •Формирование фоторезистивного слоя
- •Нанесение фоторезиста
- •Сушка фоторезистивного покрытия
- •Процесс формирования изображения микросхемы
- •Фотошаблоны и методы их изготовления
- •Методы совмещения топологических слоев через фотошаблон
- •Процессы проявления фоторезистов
- •Процессы воспроизведения рельефа изображения
- •Заключительные этапы литографического процесса
- •Другие виды литографии
- •Электроннолитография
- •Рентгенолитография
- •Ионнолитография
- •Планарная технология изготовления электронных приборов.
- •Последовательность операций при изготовлении транзистора по планарной технологии
- •Планарно-эпитаксиальная технология
- •. Изготовление полевых транзисторов по планарной технологии
- •Функциональные возможности планарной технологии
- •Термические процессы при изготовлении микросхем
- •Диффузия
- •Диффузия газов из материалов
- •Поверхностная диффузия
- •Механизмы поверхностной диффузии
- •Механизмы объемной диффузии
- •Диффузионное уравнение
- •Расчет распределения примеси при диффузии
- •Техника проведения диффузии Источники легирующих примесей
- •Способы проведения диффузии
- •Недостатки диффузионных методов
- •Контроль диффузионных слоев
- •Оборудование для проведения диффузии
- •Пути повышения радиационной стойкости микросхем
- •Последствия воздействия излучения на имс
- •Технологические приемы повышения радиационной стойкости имс
- •Технология элементов интегральной оптики
- •Световоды, их типы и характеристики
- •Конструктивные элементы световодных систем
- •Переключатели, модуляторы и демодуляторы.
- •Волноводы
- •Технология свч элементов
- •Технология изготовления акустоэлектронных элементов на поверхностных акустических волнах (технология пав)
- •Основные расчетные соотношения и данные для элементов гибридных интегральных микросхем. Резисторы
- •Конденсаторы
- •Катушки индуктивности
- •Площадь подложки
Недостатки диффузионных методов
Диффузанты являются ядами, что требует развития специальных предохранительных мероприятий. Высокая температура процесса ограничивает выбор материалов нагревателей по термостойкости и газовыделению. Диффузионные методы недостаточно воспроизводимы, особенно в разовых условиях. Диффузионный фронт имеет неравномерность по глубине. Скорость диффузии по осям низших порядков выше (скорость по осям 100>, чем по осям 111). Нагретые материалы очень высокоактивны, что вызывает эрозию травления, рост одних фаз за счет других. В ряде случаев происходит группировка и выпадание неконтролируемых примесей, таких как железо, медь, золото. Каждый материал имеет допустимую скорость подъема температуры вследствие возникновения температурных напряжений. Для кристаллов безопасная скорость подъема температуры ~20/мин, для стекла~50/мин. Форсированный нагрев или охлаждение вызывает генерацию неоднородностей в виде линий скольжения.
Одним из методов, альтернативных диффузии является метод ионной имплантации.
Контроль диффузионных слоев
Макродефекты и линии скольжения выявляются методами селективного травления с последующим подсчетом дефектов в поле микроскопа. В качестве травителя для кремния используется плавиковая кислота с добавлением хромовых солей. Глубина залегания р-n перехода может быть определена методом окрашивания сферического шлифа, изготавливаемого методом шлифования с помощью вращающегося стального шара с алмазной пастой. Окрашивание производится раствором медного купороса в плавиковой кислоте. При глубинах диффузии 0,2-10 мкм ионно-легированные и эпитаксиальные слои контролируются по фотоотклику от лазерного излучения. В ряде случаев поверхностное сопротивление диффузионного слоя измеряют четырехзондовым методом. Метод реализуется при последовательном расположении четырех зондов. На крайние зонды подается напряжение, а со средних снимается падение напряжения. При послойном стравливании поверхности этот метод превращается в дифференциальный метод. В дополнение к этому кроме послойного поверхностного сопротивления снимается значение емкости обратно смещенного р-n-перехода в зависимости от приложенного напряжения (вольт - фарадная характеристика). В последнее время нашел распространение контроль диффузии методом сопротивления растекания, при котором измеряют сопротивление на косом шлифе и после обработки результатов получают профиль распределения примеси.
Оборудование для проведения диффузии
Для проведения диффузии используются термические установки или поточные линии. Термические установки содержат камеру загрузки, пульт управления, печь с автоматикой для программного задания температуры и систему газового питания.
Поточные линии (типа АПЛД-24-100), кроме вышеуказанного термического оборудования снабжены системами пылезащиты, плазмохимической подготовки подложек и комплексом контрольно-измерительных приборов.
В основе управления оборудования лежит сигнал с термопары. Термопара представляет собой две сваренные проволоки из разных материалов. Граница стыка помещается в зону температуры. Зависимость термо ЭДС термопары от температуры почти линейна от температуры. Наибольшее распространение получили термопары следующих марок:
ХА (хромель-алюмель), ХК (хромель-капель), Pt-Ro (платина-родий). Последние термопары обладают большой инертностью к раскаленным средам, однако, имеют малую ЭДС.