
- •Проектирование имс и мп
- •Содержание
- •1.Проектирование гибридных интегральных микросхем
- •1.1.Конструктивно-технологические особенности
- •1.2.Особенности и этапы проектирования
- •1.3.Определение функциональной сложности
- •1.4.Оптимизация имс по критерию функциональной точности
- •1.5.Исходные данные для проектирования топологии
- •1.6.Расчет и проектирование пленочных резисторов
- •1.7.Принципы практического проектирования и компоновки топологической структуры гибридных имс
- •1.8.Разработка топологии и конструкции гибридных имс
- •2.Проектирование полупроводниковых биполярных интегральных микросхем
- •2.1.Конструктивно-технологические особенности и исходные данные для проектирования
- •2.2.Расчет усилительных и частотных параметров биполярного транзистора
2.2.Расчет усилительных и частотных параметров биполярного транзистора
Основным элементом полупроводниковых биполярных ИМС является эпитаксиально-планарный транзистор типа n-p-n. Структура интегрального транзистора существенно отличается от структуры дискретного транзистора, что в свою очередь приводит к некоторому различию их физических свойств (см. рис. 2.2.1).
Рисунок 2.2.6 Топология (а) и структура (б) транзистора ИМС
Основное отличие интегрального транзистора от дискретного заключается в наличии у интегрального транзистора изолирующего p-n-перехода, необходимость использования которого вызывает появление паразитного транзистора типа p-n-p и увеличение сопротивления тока коллектора. Параметры интегрального транзистора типа n-p-n в значительной степени определяются параметрами паразитного транзистора.
Расчет параметров транзистора представляет собой сложную многофакторную задачу, решение которой может быть выполнено только с помощью ЭВМ.
Рисунок 2.2.7 Упрощенные эквивалентные схемы транзистора ИМС при включении с общей базой (а) и общим эмиттером (б)
Машинные методы расчета включают в себя следующие основные этапы:
разработку электрической модели и эквивалентной схемы транзистора;
расчет рабочих характеристик;
оценку влияния изменения условий окружающей среды на характеристики транзистора.