18

Министерство образования и науки Украины

Запорожский национальный университет

Отчёт по ознакомительной практике

Разработал

ст. гр. 7124 Посметный А.В.

Руководитель Добрун А.П.

2008

Задание на ознакомительную практику

Сутдентов 3 курса специальности ФТТ (специализация КТФМ) на ООО «Элемент-Преобразователь».

1) Ознакомится с перечнем выпускаемых силовых полупроводниковых приборов.

2) Ознакомится с технологическим маршрутом изготовления приборов.

3) Ознакомится с оборудованием, используемым в технологическом процессе.

4) Ознакомится с методами контроля, используемыми в процессе производства приборов.

Реферат

Количество страниц ……………………………………………………………….18

Таблиц ……………………………………………………………………………….1

Рисунков……………………………………………………………………………..1

Количество использованной литературы …………………………………………5

Ознакомление с процессом изготовления силовых полупроводниковых приборов.

Перечень ключевых слов :

ДИОД, Тиристор, Кремний, Окисление, Термообработка, Вырезка, Снятие фаски, Пайка, отжиг, Центрифугирование, Экспонирование, Фотошаблон, Проявление, дубление, Никелирование, Плавиковая кислота, Азотная кислота, Уксусная кислота, Перекись водорода, Едкий калий, Диоксан, Диметилформамид, Лак, Деионизированная вода, Фоторезист.

Содержание

1. Характеристика производства силовых полупроводниковых приборов в ООО "Элемент-Преобразователь"………………………….…………………..…16

1.1 Общие сведения об ООО "Элемент-Преобразователь"……………..…..…16

1.2 Основное назначение СПП (силовых полупроводниковых приборов) ….16

1.3 Основные сферы применения……………………………………………….16

2. Производственные процессы на ООО "Элемент-Преобразователь"…………16

2.1 Общая характеристика полупроводниковых тиристоров………………...16

2.2 Типовой технологический процесс изготовления СПП…………………...16

2.3 Механическая обработка кремния…………………………………. ……..16

2.3.1 Использование монокристаллов. Требования к поверхности. ………16

2.3.2 Резка диском с внутренней алмазной режущей кромкой……………16

2.3.4 Шлифовка полупроводниковых материалов………………………….16

2.3.5 Контроль полупроводниковых пластин и кристаллов……………….16

2.4 Диффузия…………………………………………………………………….16

2.4.1 Диффузионный метод получения p-n переходов…………..………...16

2.4.2 Технологический процесс диффузии………………………………….16

2.5 Процесс окисления.…………………………………………………….…..16

2.6 Процесс фотолитографии…………………………………………………..16

2.7 Процесс металлизации.……………………………………………………..16

2.8 Вырезка, сплавление, снятие фаски, травление……………………………16

2.9 Герметизация…………………………………………………………………16

2.10 Испытания, маркировка, упаковка………………………………………..16

3. Выводы……………………………………………………………………………16

4. Список литературы…………………………………………………………..…..16

1. Характеристика производства силовых полупроводниковых приборов в ооо "Элемент-Преобразователь"

1. Общие сведения об ооо "Элемент-Преобразователь"

ООО "Элемент-Преобразователь" производит силовые полупроводниковые приборы и имеет для этого необходимую технологическую и экспертную базу. Приборы выпускаются на диапазон от 5А до 2000А и напряжение от 100В до 3000В. ООО "Элемент-Преобразователь" является единственным производителем подобной продукции в Украине, а по ряду изделий является монополистом в СНГ.

Вся продукция соответствует мировому уровню и разработана на основе мировых стандартов (МЭК).

Вся номенклатура востребована и имеет стабильную реализацию. Более 60% продукции идет на экспорт в основном в Россию, Китай, Южную Корею и другие страны СНГ.

Тем не менее на заводе разработаны и внедрены ряд технологических процессов, которые являются престижными и относятся к области высоких технологий:

1. Травление мезапрофиля

2. Стеклопассивация мезафаски

3. Формирование зон для термомиграции алюминия в кремний

4. Термомиграция алюминия в дискретных приборах

5. Напыление многослойных контактов

6. Регулировка быстродействия путем облучения быстрыми электронами

7. Ряд процессов по измерениям и испытаниям СПП.

Перечень изготовливаемой продукции:.

1. Тиристоры сетевые.

2. Тиристоры частотные.

3. Оптотиристоры.

4. Диоды сетевые.

5. Диоды быстровостанавливающиеся.

6. Диоды лавинные.

7. Триаки (симметричные тиристоры или симисторы)

8. Оптотриаки

9. Модули и мосты на основе чипов основной номенклатуры дискретных приборов.

10. Различные силовые модули и мосты по специальным заказам потребителя.

Приборы выпускаются в различных конструктивных исполнениях: штыревые, таблеточные, в пластмассовом корпусе с изолированной от корпуса структурой (на теплопроводящей керамике), и др.

2. Основное назначение СПП (силовых полупроводниковых приборов)

1. Регулировка тока и напряжения.

2. Бесконтактное включение и отключение электроэнергии.

3. Преобразование тока из переменного в постоянный и наоборот (инвертирование).

4. Изменение частоты переменного тока.

5. Другие менее традиционные цели (защита от пожара в электроустановках, обеспечение гальванической развязки и др.)

2. Основные сферы применения

1. Источники питания постоянного тока в цветной металлургии, химии, станкостроении, в быту, связи и др.

2. Электроприводы постоянного и переменного тока в металлургии, горнодобывающей промышленности, электротранспорте, станкостроении и др.

3. Высоковольтные устройства для линий передач постонного тока.

4. Бесконтактная пускорегулирующая аппаратура (контакторы, пускатели, реле и т.п.)

2. Производственные процессы на ООО "Элемент-Преобразователь"

2.1 Общая характеристика полупроводниковых тиристоров

Тиристоры предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока частотой до 500 Гц и могут применяться в различных преобразователях электроэнергии, в бесконтактной коммутационной и регулирующей аппаратуре.

Основные характеристики представлены в таблице 2.1.

Таблица 2.1 Основные характеристики тиристоров Т112-Т152

Наименование параметра	Т112	Т122	Т132	Т142	Т152
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при температуре корпуса 85 0C , А	16	32	50	80	125
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение, В	100...1200
Импульсное напряжение в открытом состоянии, В, не более	1,65	1,80	1,75	1,65	1,75
Отпирающий постоянный ток управления при 25 0C, мА, не более	40	60	100	150	150
Отпирающее постоянное напряжение при 25 0C, В, не более	2,5	2,5	3,0	3,0	3,0
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, А/мкс	160
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс	50-1000
Ударный ток в открытом состоянии, А	250	450	800	1500	2500
Ток удержания, мА, не более	70	80	90	120	120
Тепловое сопротивление переход-корпус, 0C/Вт	1,50	0,75	0,5	0,3	0,2