
- •2. Вах электронно- дырочного перехода. Разновидности : гетеропереход, металл-полупроводник.
- •3.Прямое и обратное включение p-n-перехода. Определение пробоя и его виды.
- •4.Полупроводниковые диоды: общее устройство, обозначение на схемах , классификация, маркировка, области применения.
- •5.Выпрямительные диоды: схема включения , вах, параметры, классификация, применение.
- •7.Импульсные диоды: конструкция, режим работы, временная диаграмма, параметры, применение.
- •8. Варикапы, туннельные и обращенные диоды: конструкция, принцип действия, характеристики, применение.
- •9. Многослойные полупроводниковые структуры – тиристоры: определение, классификация, устройство, применение. Понятие угла отпирания.
- •10 Диодные(динисторы) и триодные (тринисторы) тиристоры :вах , принцип действия, время включения и восстановления, применение.
- •11.Транзисторы: определение ,виды, назначение, классификация, устройство, принцип усиления, режимы работ, графическое обозначение в схемах.
- •12.Характеристики, основные параметры, физические процессы в транзисторах. Маркировка и применение.
- •13. Схемы включения биполярного транзистора с общим эммитером (оэ) и общей базой (об), входные и выходные характеристики и параметры; коэффициенты передачи токов эмиттера и базы, применение.
- •14 Полевые транзисторы: типы, назначение, устройство, мдп- структура, характеристики, и параметры.
- •16.Определение, классификация, разновидности, графическое изображение, схемное обозначение интегральных микросхем (им).
- •16. Определение, классификация, разновидности, графическое изображение, схемное обозначение интегральных микросхем (имс).
- •17. Технология изготовления элементов в интегральных микросхемах.
- •19.Оптроны( оптопары): определение, виды конструкций, графическое обозначение, принцип двойного преобразования.
- •20.Фотоэлектронные приборы: фоторезисторы , фотодиоды, устройство, схемы включения, характеристики, принцип действия, применение.
- •23.Жидкокристаллические индикаторы: конструкция, принцип работы, совместимость с имс, применение.
- •24. Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы: матричные и сегментные, конструкция, принцип действия, применения.
- •26.Выпрямительные устройства: определение, структурная схема, назначение, виды, классификация, применение.
- •27.Однофазный однополупериодный и двухполупериодный с выводом от среднего витка обмотки трансформатора; схема, временные диаграммы токов и напряжений, параметры, применение.
- •28. Однофазный двухполупериодный мостовой выпрямитель: схема, временные диаграммы токов и напряжений, принцип выпрямления, параметры, применение.
- •30.Простые сглаживающие фильтры: емкостные и индуктивные: схемы вклюсения, коэффициент сглаживания, применение.
- •32. Влияние фильтров на внешнею характеристику выпрямителя. Применение активных фильтров.
- •34. Способы и система управления тиристорами в управляемых выпрямителях. Практическое применение.
- •33.Классификация и принцип действия управляемых выпрямителей(однофазная схема). Временные диаграммы токов и напряжений.
- •35.Назначение инверторов и их классификация. Инверторы ведомые сетью: схема включения, режимы работы, временные диаграммы.
- •36.Автономные инверторы тока(аит):схема включения, принцип инвертирования, временные диаграммы, применение.
- •37.Автономные инверторы напряжения (аин): схема включения, принцип работы, временные диаграммы, применение.
- •38.Параметрические стабилизаторы: схема, принцип работы, расчетные параметры.
- •40.Импульсные преобразователи напряжения, структурная схема, принцип преобразования, применение.
- •42. Электронные усилители: определение, классификация, структурная схема, элементная база, режимы работы.
- •43.Основные параметры, характеристики электронного усилителя, выбор точки покоя.
- •44. Графический анализ работы усилительного каскада с оэ.
- •45. Обратные связи: виды, схемы введение ос в усилители, влияние на работу электронных усилителей.
- •47.Температурная стабилизация в электронных усилительных каскадах( эмитерно-базовая, эмитерная, коллекторная)
- •48. Усилители постоянного тока (упт) : однотактные упт , явление «дрейф-нуля» и влияние на работу упт.
- •49. Дифференциальные усилители: схема симметричного усилителя, режимы работы, применение.
- •50. Операционные усилители: определение, условное обозначение на схемах, параметры, передаточная характеристика.
- •51Операционые усилители оу инвертирующие и неинвертирующие: схемы, принцип действия, параметры ( входные и выходные), применение.
- •52.Компараторы: назначение, схема, принцип действия, параметры, применение.
- •54. Усилители мощности: назначение, виды, однотактные и двухтактные трансформаторные усилители мощности: схемы, принцип усиления.
- •56. Генераторы гармонических колебаний : определение , классификация, условия возбуждения, lc – генератор , принцип действия, применение.
- •59. Формирователи импульсов, интегрирующие и диффереренцирующие цепи, схемы, принцип формирования укороченных и удлиненных импульсов , применение.
- •61. Мультивибратор на транзисторах и в интегральном исполнении: принцип формирования импульсных сигналов и диаграммы напряжений.
- •62. Одновибратор: устройство, принцип формирования импульсных сигналов на выходе, применение.
5.Выпрямительные диоды: схема включения , вах, параметры, классификация, применение.
Выпрямительный диод- предназначен для преобразования (выпрямления) переменного тока в пульсирующий одного направления.
Схема включения
Классификация.
Выпрямительные плоскостные диоды. Широко распространены низкочастотные выпрямительные диоды, предназначенные для выпрямления переменного тока с частотой до единиц килогерц (иногда до 50 кГц). Эти диоды применяются в выпрямительных устройствах для питания различной аппаратуры. Иногда их называют силовыми диодами. Низкочастотные диоды являются плоскостными и изготовляются из германия или кремния. Они делятся на диоды малой, средней и большой мощности, что соответствует предельным значениям выпрямленного тока до 300 мА, от 300 мА до 10 А и больше 10 А. Все параметры диодов обычно указываются для работы при температуре окружающей среды
20 ± 5 °С. Германиевые диоды изготовляются, как правило, вплавлением индия в германий n типа. Они могут допускать плотность тока до 100 А/см2 при прямом напряжении до 0,8 В. Предельное обратное напряжение у них не превышает 400 В, а обратный ток обычно бывает не более десятых или сотых долей миллиампера для диодов малой мощности и единиц миллиампер для диодов средней мощности. Рабочая температура этих диодов от —60 до +75°С. Если диоды работают при температуре окружающей среды выше 20 °С, то необходимо снижать обратное напряжение. При пониженном атмосферном давлении или неудовлетворительном охлаждении возможен перегрев диодов. Чтобы не допускать его, следует снижать выпрямленный ток. Мощные германиевые диоды работают с естественным охлаждением. Они изготовляются на выпрямленный ток до 1000 А и обратное напряжение до 150 В.Выпрямительные кремниевые диоды в последнее время получили особенно большое распространение. Они изготовляются вплавлением алюминия в кремний n-типа, а также сплава олова с фосфором или золота с сурьмой в кремний р-типа. Применяется и диффузионный метод. По сравнению с германиевыми кремниевые диоды имеют ряд преимуществ. Предельная плотность прямого тока у них до 200 А/см2, а предельное обратное напряжение может быть до 1000 В. Рабочая температура от —60 до +125°С (для некоторых типов даже до +150°С) Прямое напряжение у кремниевых диодов доходит до 1 - 1,5 В, т е. несколько больше, чем у германиевых диодов. Обратный ток у кремниевых диодов значительно меньше, чем у германиевых. Мощные кремниевые диоды выпущены на выпрямленный ток от. 10 до 500 А и обратное напряжение от 50 до 1000 В.
Выпрямительные точечные диоды. Они широко применяются на высоких частотах, а некоторые типы и на СВЧ (на частотах до нескольких сотен мегагерц), и могут также успешно работать на низких частотах. Эти диоды используются в самых различных схемах, и их иногда называют универсальными. Германиевые и кремнивые диоды выпускаются с предельным обратным напряжением до 150 В и максимальным выпрямленным током до 100 мА.
ВАХ. Параметры выпрямителя.
Коэффициент выпрямления: Квыпр. = Iпр/ I обр Квыпр = Uобр/Uпр 6.Стабилитроны: конструкция, ВАХ, принцип действия, параметры, применение.
Стабилитроны представляют собой кремниевые полупроводниковые диоды, которые нормально работают при электрическом пробое р — n-перехода. При этом напряжение на диоде слабо зависит от протекающего тока. Электрический пробой не вызывает разрушения р –n-перехода и при отводе тепла может существовать длительно. Стабилитроны применяют для поддержания (стабилизации) постоянного напряжения на нагрузке при изменении напряжения источника питания.
Вольт-амперная характеристика стабилитрона и его условное обозначение приведены на рис. 1Рабочий участок характеристики заключен между минимальным Iст min и максимальным Iст max значениями тока стабилитрона. При Iст< Iст min стабилитрон работает неустойчиво, а Iст > Iст mах может привести к разрушению стабилитрона от перегрева.
Параметры.
Качество работы стабилитрона оценивается наклоном характеристики или дифференциальным сопротивлением: r ст= Uст / Iст Чем меньше rст, тем стабильнее напряжение на приборе. Стабилитроны выбираются по напряжению стабилизации (Uст. ном, номинальному току Iст. ном, максимальной мощности Рст mах, которую может рассеять стабилитрон. Они выпускаются на напряжения от нескольких вольт до сотен вольт и токи — от миллиампер до нескольких ампер. Основными параметрами кремневых стабилитронов являются следующие величины. Напряжение стабилизации Uст может быть примерно от 5 до 200 В, изменение тока стабилитрона от I min до Imax составляет десятки и даже сотни миллиампер. Максимальная допустимая мощность Рmax, рассеиваемая в стабилитроне, — от сотен милливатт до единиц ватт. Дифференциальное сопротивление Rд = U/ I в режиме стабилизации может быть от десятых долей Ома для низковольтных более мощных стабилитронов до 100 - 200 Ом для стабилитронов на более высокие напряжения. Низковольтные стабилитроны небольшой мощности имеют сопротивление Rд, равное единицам и десяткам Ом. Чем меньше д, тем лучше стабилизация. При идеальной стабилизации было бы Rд = 0. Так как Rд является сопротивлением переменному току, то его не следует путать со статическим сопротивлением, т. е. сопротивлением постоянному току Rо = u /i Сопротивление Rо всегда во много раз больше Rд. Влияние температуры оценивается температурным коэффициентом напряжения стабилизации ТКН, который
представляет собой относительное изменение напряжения Uст при изменении температуры на один градус, т. е. ТКН = dUст/ (Uст* dT). Температурный коэффициент напряжения может быть от 10 -5 до 10-3 К-1.Значение U и знак ТКН зависят от удельного сопротивления основного полупроводника. Стабилитроны на напряжения до 6—7 В изготовляются из кремнияс малым удельным сопротивлением, т. е. с большой концентрацией примесей. В этих стабилитронах n-p-переход имеет малую толщину, в нем действует поле с высокой напряженностью и пробой происходит главным образом за счет туннельного эффекта. При этом ТКН получается отрицательным. Если же применен кремний с меньшей концентрацией примесей, то n-p-переход будет толще. Его пробой возникает при более высоких напряжениях и является лавинным. Для таких стабилитронов характерен положительный ТКН.Наиболее часто стабилитрон работает в таком режиме, когда напряжение источника нестабильно, а сопротивление нагрузки Ян постоянно. Для установления и поддержания правильного режима стабилизации в этом случае сопротивлениеR огр должно быть вполне определенным.