- •2. Вах электронно- дырочного перехода. Разновидности : гетеропереход, металл-полупроводник.
- •3.Прямое и обратное включение p-n-перехода. Определение пробоя и его виды.
- •4.Полупроводниковые диоды: общее устройство, обозначение на схемах , классификация, маркировка, области применения.
- •5.Выпрямительные диоды: схема включения , вах, параметры, классификация, применение.
- •7.Импульсные диоды: конструкция, режим работы, временная диаграмма, параметры, применение.
- •8. Варикапы, туннельные и обращенные диоды: конструкция, принцип действия, характеристики, применение.
- •9. Многослойные полупроводниковые структуры – тиристоры: определение, классификация, устройство, применение. Понятие угла отпирания.
- •10 Диодные(динисторы) и триодные (тринисторы) тиристоры :вах , принцип действия, время включения и восстановления, применение.
- •11.Транзисторы: определение ,виды, назначение, классификация, устройство, принцип усиления, режимы работ, графическое обозначение в схемах.
- •12.Характеристики, основные параметры, физические процессы в транзисторах. Маркировка и применение.
- •13. Схемы включения биполярного транзистора с общим эммитером (оэ) и общей базой (об), входные и выходные характеристики и параметры; коэффициенты передачи токов эмиттера и базы, применение.
- •14 Полевые транзисторы: типы, назначение, устройство, мдп- структура, характеристики, и параметры.
- •16.Определение, классификация, разновидности, графическое изображение, схемное обозначение интегральных микросхем (им).
- •16. Определение, классификация, разновидности, графическое изображение, схемное обозначение интегральных микросхем (имс).
- •17. Технология изготовления элементов в интегральных микросхемах.
- •19.Оптроны( оптопары): определение, виды конструкций, графическое обозначение, принцип двойного преобразования.
- •20.Фотоэлектронные приборы: фоторезисторы , фотодиоды, устройство, схемы включения, характеристики, принцип действия, применение.
- •23.Жидкокристаллические индикаторы: конструкция, принцип работы, совместимость с имс, применение.
- •24. Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы: матричные и сегментные, конструкция, принцип действия, применения.
- •26.Выпрямительные устройства: определение, структурная схема, назначение, виды, классификация, применение.
- •27.Однофазный однополупериодный и двухполупериодный с выводом от среднего витка обмотки трансформатора; схема, временные диаграммы токов и напряжений, параметры, применение.
- •28. Однофазный двухполупериодный мостовой выпрямитель: схема, временные диаграммы токов и напряжений, принцип выпрямления, параметры, применение.
- •30.Простые сглаживающие фильтры: емкостные и индуктивные: схемы вклюсения, коэффициент сглаживания, применение.
- •32. Влияние фильтров на внешнею характеристику выпрямителя. Применение активных фильтров.
- •34. Способы и система управления тиристорами в управляемых выпрямителях. Практическое применение.
- •33.Классификация и принцип действия управляемых выпрямителей(однофазная схема). Временные диаграммы токов и напряжений.
- •35.Назначение инверторов и их классификация. Инверторы ведомые сетью: схема включения, режимы работы, временные диаграммы.
- •36.Автономные инверторы тока(аит):схема включения, принцип инвертирования, временные диаграммы, применение.
- •37.Автономные инверторы напряжения (аин): схема включения, принцип работы, временные диаграммы, применение.
- •38.Параметрические стабилизаторы: схема, принцип работы, расчетные параметры.
- •40.Импульсные преобразователи напряжения, структурная схема, принцип преобразования, применение.
- •42. Электронные усилители: определение, классификация, структурная схема, элементная база, режимы работы.
- •43.Основные параметры, характеристики электронного усилителя, выбор точки покоя.
- •44. Графический анализ работы усилительного каскада с оэ.
- •45. Обратные связи: виды, схемы введение ос в усилители, влияние на работу электронных усилителей.
- •47.Температурная стабилизация в электронных усилительных каскадах( эмитерно-базовая, эмитерная, коллекторная)
- •48. Усилители постоянного тока (упт) : однотактные упт , явление «дрейф-нуля» и влияние на работу упт.
- •49. Дифференциальные усилители: схема симметричного усилителя, режимы работы, применение.
- •50. Операционные усилители: определение, условное обозначение на схемах, параметры, передаточная характеристика.
- •51Операционые усилители оу инвертирующие и неинвертирующие: схемы, принцип действия, параметры ( входные и выходные), применение.
- •52.Компараторы: назначение, схема, принцип действия, параметры, применение.
- •54. Усилители мощности: назначение, виды, однотактные и двухтактные трансформаторные усилители мощности: схемы, принцип усиления.
- •56. Генераторы гармонических колебаний : определение , классификация, условия возбуждения, lc – генератор , принцип действия, применение.
- •59. Формирователи импульсов, интегрирующие и диффереренцирующие цепи, схемы, принцип формирования укороченных и удлиненных импульсов , применение.
- •61. Мультивибратор на транзисторах и в интегральном исполнении: принцип формирования импульсных сигналов и диаграммы напряжений.
- •62. Одновибратор: устройство, принцип формирования импульсных сигналов на выходе, применение.
44. Графический анализ работы усилительного каскада с оэ.
УК- часть усилителя , состоящая из минимального числа элементов и выполняющая одну ступень усиления.
Графический анализ работы усилительного каскада позволяет на входных и выходных характеристиках проследить работу УК. Основным требованием предъявляемым к УК является воспроизведение формы входного сигнала на выходе с минимальными нелинейными искажениями.
45. Обратные связи: виды, схемы введение ос в усилители, влияние на работу электронных усилителей.
Под ОС в усилителях понимают передачу части вых. сигнала обратно на вход усилителя. Различают внутреннюю и внешнюю ОС:
Внутренняя ОС- обусловлена, паразитными внутренними связями в устройстве. Физически паразитная связь осуществляется через сопротивление потерь, с помощью магнитных и электрических полей. Она возникает при изготовлении устройства и ее практически невозможно регулировать. Внутренняя ОС часто приводит к искажению хар-к устройства и даже к его самовозбуждению.
Внешняя ОС – создается специально включенными четырехполюсниками ОС. Параметры ОС в этом случае можно легко регулировать. В зависимости от способов соединения усилителя и четырехполюсника различают 4 вида внешней ОС
а) последовательная ОС по напряжению.
б) параллельная ОС по напряжению.
в) параллельная ОС по току.
г) последовательная ОС по току.
Существует «+» и «-» ОС: Если ОС обуславливает увеличение коэффициента усиления, то ее наз «+» ОС. Если ОС ведет к уменьшению коэффициента усиления, то ее наз. «-» ОС. На практике наиболее часто в усилительной технике используется ООС, т.к. она стабилизирует работу усилителя при изменении параметров радиоэлементов, при воздействии т-ры, вибраций, снижает уровень нелинейных искажений .Ее часто применяют для увеличения или уменьшения входного и выходного сопротивлений усилителей. ООС снижает коэффициент усиления. ПОС ухудшает работу усилителя , увеличивается частота и нелинейные искажения.
47.Температурная стабилизация в электронных усилительных каскадах( эмитерно-базовая, эмитерная, коллекторная)
Коллекторная термостабилизация.
П ри повышении температуры увеличивается ток базы и коллектора. Это приводит к уменьшению потенциала на коллекторе. За счет ООС по напряжению выходной сигнал подают на вход в противофазе. Это приводит к уменьшению тока базы , значит уменьшается ток коллектора до первоначального значения. Это приведет к термостабилизации.э. э
Эмитерная термостабилизация.
R1,R2- резисторы базового делителя;Rэ- для маломощных и мощных каскадов выбирают соответственно соотношению: Rэ= (0,1-0,2)*Ек/ Imin ; R1,R2- смещают ток базы . Через R1,R2 протикает ток делителя , который много больше Iб0 покоя Iд >> I0б; Iд= (5..1-) I0б. При повышении температуры Uб-э рабочая точка растет , т.к. увеличивается ток коллекторного перехода. Одновременно растет напряжение на Rэ. Оно происходит в фазе с температурным изменением тока коллектора и создает противофазное напряжение смещения базы. Величина изменения напряжения эмиттера по своему действию на ток коллектора в точности равна действию температуры. Происходит стабилизация.