
- •2. Вах электронно- дырочного перехода. Разновидности : гетеропереход, металл-полупроводник.
- •3.Прямое и обратное включение p-n-перехода. Определение пробоя и его виды.
- •4.Полупроводниковые диоды: общее устройство, обозначение на схемах , классификация, маркировка, области применения.
- •5.Выпрямительные диоды: схема включения , вах, параметры, классификация, применение.
- •7.Импульсные диоды: конструкция, режим работы, временная диаграмма, параметры, применение.
- •8. Варикапы, туннельные и обращенные диоды: конструкция, принцип действия, характеристики, применение.
- •9. Многослойные полупроводниковые структуры – тиристоры: определение, классификация, устройство, применение. Понятие угла отпирания.
- •10 Диодные(динисторы) и триодные (тринисторы) тиристоры :вах , принцип действия, время включения и восстановления, применение.
- •11.Транзисторы: определение ,виды, назначение, классификация, устройство, принцип усиления, режимы работ, графическое обозначение в схемах.
- •12.Характеристики, основные параметры, физические процессы в транзисторах. Маркировка и применение.
- •13. Схемы включения биполярного транзистора с общим эммитером (оэ) и общей базой (об), входные и выходные характеристики и параметры; коэффициенты передачи токов эмиттера и базы, применение.
- •14 Полевые транзисторы: типы, назначение, устройство, мдп- структура, характеристики, и параметры.
- •16.Определение, классификация, разновидности, графическое изображение, схемное обозначение интегральных микросхем (им).
- •16. Определение, классификация, разновидности, графическое изображение, схемное обозначение интегральных микросхем (имс).
- •17. Технология изготовления элементов в интегральных микросхемах.
- •19.Оптроны( оптопары): определение, виды конструкций, графическое обозначение, принцип двойного преобразования.
- •20.Фотоэлектронные приборы: фоторезисторы , фотодиоды, устройство, схемы включения, характеристики, принцип действия, применение.
- •23.Жидкокристаллические индикаторы: конструкция, принцип работы, совместимость с имс, применение.
- •24. Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы: матричные и сегментные, конструкция, принцип действия, применения.
- •26.Выпрямительные устройства: определение, структурная схема, назначение, виды, классификация, применение.
- •27.Однофазный однополупериодный и двухполупериодный с выводом от среднего витка обмотки трансформатора; схема, временные диаграммы токов и напряжений, параметры, применение.
- •28. Однофазный двухполупериодный мостовой выпрямитель: схема, временные диаграммы токов и напряжений, принцип выпрямления, параметры, применение.
- •30.Простые сглаживающие фильтры: емкостные и индуктивные: схемы вклюсения, коэффициент сглаживания, применение.
- •32. Влияние фильтров на внешнею характеристику выпрямителя. Применение активных фильтров.
- •34. Способы и система управления тиристорами в управляемых выпрямителях. Практическое применение.
- •33.Классификация и принцип действия управляемых выпрямителей(однофазная схема). Временные диаграммы токов и напряжений.
- •35.Назначение инверторов и их классификация. Инверторы ведомые сетью: схема включения, режимы работы, временные диаграммы.
- •36.Автономные инверторы тока(аит):схема включения, принцип инвертирования, временные диаграммы, применение.
- •37.Автономные инверторы напряжения (аин): схема включения, принцип работы, временные диаграммы, применение.
- •38.Параметрические стабилизаторы: схема, принцип работы, расчетные параметры.
- •40.Импульсные преобразователи напряжения, структурная схема, принцип преобразования, применение.
- •42. Электронные усилители: определение, классификация, структурная схема, элементная база, режимы работы.
- •43.Основные параметры, характеристики электронного усилителя, выбор точки покоя.
- •44. Графический анализ работы усилительного каскада с оэ.
- •45. Обратные связи: виды, схемы введение ос в усилители, влияние на работу электронных усилителей.
- •47.Температурная стабилизация в электронных усилительных каскадах( эмитерно-базовая, эмитерная, коллекторная)
- •48. Усилители постоянного тока (упт) : однотактные упт , явление «дрейф-нуля» и влияние на работу упт.
- •49. Дифференциальные усилители: схема симметричного усилителя, режимы работы, применение.
- •50. Операционные усилители: определение, условное обозначение на схемах, параметры, передаточная характеристика.
- •51Операционые усилители оу инвертирующие и неинвертирующие: схемы, принцип действия, параметры ( входные и выходные), применение.
- •52.Компараторы: назначение, схема, принцип действия, параметры, применение.
- •54. Усилители мощности: назначение, виды, однотактные и двухтактные трансформаторные усилители мощности: схемы, принцип усиления.
- •56. Генераторы гармонических колебаний : определение , классификация, условия возбуждения, lc – генератор , принцип действия, применение.
- •59. Формирователи импульсов, интегрирующие и диффереренцирующие цепи, схемы, принцип формирования укороченных и удлиненных импульсов , применение.
- •61. Мультивибратор на транзисторах и в интегральном исполнении: принцип формирования импульсных сигналов и диаграммы напряжений.
- •62. Одновибратор: устройство, принцип формирования импульсных сигналов на выходе, применение.
19.Оптроны( оптопары): определение, виды конструкций, графическое обозначение, принцип двойного преобразования.
Оптрон — это полупроводниковый прибор, в котором конструктивно объединены источник и приемник излучения, имеющие между собой оптическую связь.В источнике излучения электрические сигналы преобразуются в световые, которые
воздействуют на фотоприемник и создают в нем снова электрические сигналы.Если оптрон имеет только один излучатель и один приемник излучения, то его называют оптопарой или элементарным оптроном. Микросхема, состоящая из одной
или нескольких оптопар с дополнительными согласующими и усилительными устройствами, называется оптоэлектронной интегральной микросхемой. На входе и выходе оптрона всегда имеются электрические сигналы, а связь входа с выходом
осуществляется световыми сигналами. Цепь излучателя является управляющей, а цепь фотоприемника — управляемой.
Конструктивно в оптронах излучатель и приемник излучения помещаются в корпус и заливаются оптически прозрачным клеем (рис. 1). Для использования в гибридных микросхемах выпущены миниатюрные бескорпусные оптроны. Особую конструкцию имеют оптопары с открытым оптическим каналом. У них
между излучателем и фотоприемником имеется воздушный зазор (рис. 2 а),в котором может перемещаться светонепроницаемая преграда, например перфолента с отверстиями, с помощью которой можно управлять световым потоком. В другом варианте оптопар с открытым каналом световой поток излучателя попадает в фотоприемник, отражаясь от какого-либо внешнего объекта (рис. 2 б).
Диодные оптопары (рис. 3а) имеют обычно кремниевый фотодиод и инфракрасный арсенидо-галлиевый светодиод. Фотодиод может работать в фотогенераторном режиме, создавая фото-ЭДС до 0,5—0,8 В, или в фотодиодном режиме. Диоды изготовляют по планарно-эпитаксиальной технологии. Для повышения быстродействия применяют фотодиоды типа p-i-n.Основные параметры диодных оптопар — это входные и выходные напряжения и токи для непрерывного и импульсного режима, коэффициент передачи тока,т. е. отношение выходного тока к входному, время нарастания и спада выходного сигнала, а также другие величины.Применение диодных оптопар весьма разнообразно. Например, на основе диодных оптопар создаются импульсные трансформаторы, не имеющие обмоток, что важно для микросхем, оптопары используются для передачи сигналов между блоками сложной РЭА, для управления работой различных микросхем, особенно микросхем на МДП-транзисторах, у которых входной ток очень мал. Разновидностью диодных оптопар являются оптопары, в которых фотоприемником служит фотоварикап (рис. 3 б). Транзисторные оптопары (рис. 3 в) имеют .обычно в качестве излучателя арсенидо-галлиевый светодиод, а приемника излучения — биполярный кремниевый фототранзистор типа n-p-n. Основные параметры входной цепи таких оптопар аналогичны параметрам диодных оптопар. Дополнительно указываются максимальные токи, напряжения и мощность, относящиеся к выходной цепи,. Темновой ток фототранзистора, время включения и выключения, параметры,
характеризующие изоляцию входной цепи от выходной. Оптопары этого типа работают главным образом в ключевом режиме и применяются в коммутаторных схемах, устройствах связи различных датчиков с измерительными блоками, в качестве реле и во многих других случаях. Для повышения чувствительности в оптопаре может быть использован состав-
ной транзистор (рис. 3 г) или фотодиод с транзистором (рис. 3 д).Оптопары с составным транзистором обладают наибольшим коэффициентом передачи тока, но наименьшим быстродействием, а наибольшее быстродействие характерно для диодно-транзисторных оптопар. В качестве приемника излучения в оптопарах применяются также однопереходные транзисторы (рис. 3 е). Такие оптопары обычно используются для ключевых схем, например ,для управляемых релаксационных генераторов, создающих импульсы прямоугольной формы. Однопереходный фототранзистор является универсальным: его можно использовать как фоторезистор, если не включен эмиттерный переход, или как фотодиод, если включен только один этот переход. Разновидностью транзисторных оптопар являются оптопары с полевым фототранзистором (рис. 3 ж). Они отличаются хорошей линейностью выходной вольт-амперной характеристики в широком диапазоне напряжений и токов и поэтомуудобны для аналоговых схем. Тиристорные оптопары имеют в качестве
фотоприемника кремниевый фототиристор (рис.3 з) и применяются исключительно в ключевых режимах. Основными областями использования тиристорных оптопар являются схемы для формирования мощных импульсов, управления мощными тиристорами, управления и коммутации различных устройств с мощными нагрузками.Параметрами тиристорных оптопар являются значения входных и выходных токов и напряжений, соответствующие включению, рабочему режиму и максимальным допустимым режимам, а также время включения и выключения, параметры .изоляции между входной и выходной цепями.