
- •Процеси виготовлення мікросхем
- •Практичні рекомендації
- •1 Вступ
- •2 Основна частина
- •Послідовність формування та схема технологічного процесу дифузійно - планарних імс
- •2.2 Послідовність формування та схема технологічного процесу епітаксійно - планарних імс
- •2.3 Послідовність формування та схема технологічного процесу V - канальних німс
- •2.4 Послідовність формування та схема технологічного процесу виготовлення німс з діелектричною ізоляцією
- •1 Фотолітогра-фія на SiO
- •2 Фото-літографія на Si
- •Впровадження домішки у напівпровідники шляхом термічної дифузії
- •Практичні способи проведення дифузії
- •2.6 Впровадження домішки у напівпровідники шляхом іонної імплантації
- •2.7 Автоепітаксія кремнію як базовий технологічний процес виготовлення imc
- •2.7.1 Хлоридний та силановий методи
- •2.7.2 Молекулярно – променева епітаксія
- •2.8 Загальна характеристика фотолітографічного процесу
- •2.8.1 Технологічні процеси фотолітографії
- •2.8.3 Електронно-променева літографія
- •2.8.4 Іонна і голографічна літографія
- •2.9 Схема технологічного процесу виготовлення товсто- плівкових гімс. Характеристика та трафаретний друк товстоплівкових елементів
- •2.9.1 Технологічні особливості товстоплівкових мікросхем
- •2.9.2 Трафаретний друк елементів
- •2.10 Загальна характеристика методів та етапів складання імс
- •2.10.1 Операції до складання
- •2.10.2 Монтаж кристалів
- •2.10.3 Приєднання виводів
- •2.10.4 Герметизація мікросхем
- •Список рекомендованої літератури
2.10 Загальна характеристика методів та етапів складання імс
2.10.1 Операції до складання
Весь процес складання ІМС умовно можна поділити на декілька етапів: розділ пластини із сформованими елементами на кристали; монтаж кристалів на плату ( при складанні гібридних ІМС ) або до основи корпусу; під'єднання відводів; захист ІМС. Для захисту інтегрованої мікросхеми від дії зовнішних впливів, а саме: механічної сили, вібрацій, вологи, температури та інше, її герметизують захисним покриттям, керамікою, склом або поміщають в металевий корпус.
До розділення пластини на окремі кристали доцільно провести так званий вхідний контроль, який проводиться в автоматичному режимі. Для нанесення подряпин ( скрайбування) застосовують алмазні різці, які мають робочу частину у вигляді тригранної піраміди або чотиригранної зрізаної піраміди. Після скрайбування пластину переносять в установку з гумовими підпружиненими валиками або півсферою, де гідравлічним способом проводять ломку кристалів. Для розділення пластин також можливе застосовування хімічного травлення з попереднім нанесенням маски.
Лазерний розділ пластин проводиться без додаткового механічного розподілу на кристали. Утворення рисок проходить в результаті випаровування матеріалу при дії на пластину лазерного променя значної потужності. При наскрізному різанні відбувається процес плавлення.
В процесі складання ІМС виконується велика кількість електричних з'єднань відводів кристалів і компонентів з внутрішніми контактними площинами та відводами корпусу, де використовуються різні матеріали. Тому для виконання з'єднань застосовуються різноманітні методи. До таких методів відносяться: спаювання, зварювання, з'єднання з допомогою клеїв і т.д.
2.10.2 Монтаж кристалів
Після розділу пластини на кристали проводять їх монтаж і закріплення всередині корпусу шляхом спаювання чи приклеювання.
З'єднання клеями і компаундами дістали широке розповсюдження через простоту технології, низьку вартість, можливість застосування недорогих металів, які забезпечують механічну міцність і надійність.
Перед склеюванням поверхні потрібно старанно очистити від жиру, висушити і покрити тонким шаром клею. Якщо клей має недостатню текучість, то склеювання проводять в касетах, де передбачена можливість прикладання зовнішнього стискуючого зусилля.
Клеї і компаунди мають невисоку теплопровідність, що є їх основним недоліком. Іноді для з'єднання кристалу з основою корпусу застосовують скло.
При монтажі кристалів напівпровідникових приладів і інтегральних мікросхем в корпус широко застосовують т.з. евтектичну пайку, при якій в результаті контактного плавлення утворюється евтектичний сплав. Він заповнює зазор з утворенням паяного з’єднання.
Для кріплення кристалу до основи металічних корпусів рекомендується застосовувати електропровідні евтектичні сплави, в яких по всьому об'єму проходить одночасна кристалізація складових частин при найнижчій для даної системи евтектичній температурі.
2.10.3 Приєднання виводів
Після встановлення кристалу в основу корпусу з'єднують контактні площинки з відводами корпусу. У випадку кремнієвого кристалу з'єднання виконується з допомогою тонкого золотого дроту діаметром 20-50 мкм.
Приєднання виводів здійснюється з допомогою зварювання.
Зварюванням називають технологічний процес утворення нероз’ємного з’єднання двох матеріалів під дією тепла чи тиску або при їх спільному впливові, з використанням присадних компонентів або без них.
У процесі зварювання елементарні частинки матеріалів зближуються на віддаль, коли між ними починають діяти міжатомні зв’язки, які забезпечують міцність з’єднання. Для отримання надійних з’єднань дротиків, павукових та балочних відводів і контактними площинками використовуються такі способи зварювання: термокомпресійне, непряме імпульсне нагрівання, ультразвукове, з використанням подвійного електроду, точкове, лазерне, електронно-променеве. Для прикріплення кришки корпусу мікросхеми до основи з метою герметизації застосовують холодне, електроконтактне, шовне, ультразвукове, лазерне, електронно-променеве зварювання та ін.
Термокомпресійне зварювання - це зварювання при одночасній дії на з'єднувальні матеріали температури і тиску. Для отримання якісного з`єднання вибирають оптимальні режими зварювання. При цьому контролюються температура, тиск та час зварювання.
Температура і тиск - це взаємозв'язані технологічні параметри. Одночасне застосування температури і тиску забезпечує отримання з'єднання при нижчих температурах, ніж без застосування тиску. Підігрів зварювального інструмента активізує поверхневі атоми з'єднувальних матеріалів до утворення хімічних зв'язків.
Зварювання непрямим імпульсним нагріванням здійснюється V - подібним інструментом, через який в момент з'єднання матеріалів пропускають електричний струм ( рис.1 ). V-подібний інструмент зроблений так, щоб тепло, яке виділяється при пропусканні струму, було зосереджене в нижній частині інструмента. Зварювання здійснюється при одночасній подачі імпульсу заданої тривалості і тиску на інструмент.
Рисунок 1- Зварювання імпульсним методом V-подібним конусним інструментом.
При
непрямому імпульсному
нагріванні, в залежності від зварювальних
матеріалів,
тривалість імпульсу становить 0,2-0,7
секунди, при подачі на зварювальний
інструмент напруги в межах 105-120 В і
зусиллі – ( 60-150 )·10
Н.
Зараз застосовують напівавтоматичні та автоматичні лінії чи установки для зварювання непрямим імпульсним нагріванням.
Зварювання здвоєним електродом проводиться при поданні на зварювальний інструмент імпульсу електричного струму великої густини з одночасним механічним притиском деталей, що зварюються ( рис.2 ).
Рисунок 2- Зварювання здвоєним електродом.
При пропусканні струму через зварювальний інструмент більша частина тепла буде виділятися при малому опорі, тобто в зоні зварювання. Під дією тепла і притиску деталей, що зварюються, зона контактування розпливається. З припиненням подачі струму зона зварювання кристалізується, утворюючи шов. Тривалість імпульсу струму розрахована на час розплавлення з’єднуваних матеріалів лише в зоні зварювання і становить від 0,02 до 1 с. Тиск, який створюється в місці контакту, становить 0,5- 20 Н, що є меншим, ніж для вище описаного методу. Вибір з'єднувальних матеріалів проводиться, виходячи з вимог до їх високої електро- і теплопровідності та механічної міцності.
Принцип
ультразвукового зварювання полягає
в з'єднанні двох
матеріалів при впливі в зоні зварювання
нормального тиску
і поздовжніх коливань інструмента з
ультразвуковою частотою
20-60 кГц. Амплітуда ультразвукових
коливань складає 0,5 - 2,0мкм. Тиск – 20 -
150
.
Лазерне зварювання базується на розплавленні з'єднувальних матеріалів лазерним променем та наступною їх кристалізацією. Лазерне зварювання буває точкове і шовне. Точкове зварювання застосовується для з'єднання відводів з плівковими контактними площинками, а шовне - при герметизації корпусів ІМС. Лазерне зварювання забезпечує високу якість зварювального з'єднання, короткочасність процесу та простоту управління переміщенням лазерного променя, що дозволяє автоматизувати цей процес. Недоліком є висока вартість лазерних установок.
Електронно-променеве зварювання базується на розплавленні місця контакту електронним променем з наступною кристалізацією. Зварювання проводять у вакуумі при імпульсному режимі роботи. Недоліками методу є висока вартість обладнання і необхідність створення вакууму, що веде до тривалого відкачування газів з камери, в якій проводять зварювання.
Холодне зварювання – це зварювання за рахунок спільної пластичної деформації поверхонь з'єднувальних деталей.
Цей вид зварювання застосовують, в основному, для герметизації корпусів ІМС. Зварювальні поверхні попередньо покривають шаром оксиду чи крихкого металу, товщиною в декілька мікрон. Під впливом стискуючої сили таке покриття, що має велику твердість і крихкість, руйнується, оголюючи чисту поверхню з'єднувальних деталей, а це приводить до виникнення міжмолекулярного зв'язку. В міру збільшення тиску зона зварювання збільшується і утворюється міцне герметичне з'єднання.
Електроконтактне зварювання застосовується для з'єднання деталей, матеріал яких не піддається пластичній деформації до утворення суцільного зварювального шва. Електроконтактне зварювання ділиться на: конденсаторне, точкове і роликове.
Залежно від зварювальних матеріалів режими процесу регулюються ємністю конденсаторної батареї, величиною коефіцієнта трансформації зварювального трансформатора і зусиллям притиснення деталей, що зварюються. Якість з'єднання залежить від правильного вибору режимів зварювання, чистоти обробки поверхні зварювальних деталей і електродів.
Аргонно-дугове зварювання здійснюється за допомогою спрямовуючого електрода з продуванням аргону через пальник. Це забезпечує стабільне горіння дуги і високу якість зварювального шва. Цей процес проводиться у вакуумній камері в атмосфері гелію і застосовується для вакуумної герметизації корпусів.