КУРСОВОЙ ПРОЕКТ ПО ДИСЦИПЛИНЕ «СХЕМОТЕХНИКА»
Рассчитать параметры элементов принципиальной схемы однотактного усилительного каскада (УК) предварительного усиления на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером и стабилизацией тока покоя с помощью последовательной ООС (ООС по току), режим работы каскада по постоянному току, входное и выходное сопротивления, коэффициенты усиления по напряжению, току и мощности, коэффициент полезного действия.
Провести моделирование рассчитанного усилительного каскада. Сравнить результаты моделирования с результатами расчета.
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
П
  
ринципиальная
	схема усилительного каскада  представлена
	на рисунке 1.
Параметры входного и выходного сигналов, нагрузки и допустимого уровня частотных искажений М представлены соответственно в таблицах 1 и 2.
Таблица 1
Параметр  | 
			Ед. изм  | 
			Первая цифра номера варианта  | 
		|||
1  | 
			2  | 
			3  | 
			4  | 
		||
Uвх  | 
			В  | 
			0,1  | 
			0,2  | 
			0,3  | 
			0,4  | 
		
Uвых  | 
			В  | 
			1  | 
			2  | 
			3  | 
			4  | 
		
fв  | 
			кГц  | 
			1000  | 
			800  | 
			600  | 
			400  | 
		
fн  | 
			кГц  | 
			500  | 
			400  | 
			300  | 
			200  | 
		
Таблица 2
Параметр  | 
			Ед. изм  | 
			Вторая цифра номера варианта  | 
		|||
1  | 
			2  | 
			3  | 
			4  | 
		||
Rн  | 
			Ом  | 
			100  | 
			200  | 
			300  | 
			400  | 
		
Cн  | 
			пФ  | 
			6  | 
			5  | 
			5  | 
			4  | 
		
М  | 
			дБ  | 
			3  | 
			3  | 
			2  | 
			2  | 
		
Методика расчета
Расчет положения рабочей точки транзистора
Задаться:
сопротивлением в цепи коллектора
;						(1)
падением напряжения на Rэ + Roc (на Rэ если Roc отсутствует в схеме)
.						(2)
Определить:
эквивалентное сопротивление нагрузки УК по переменному току
,						(3)
где	
–  выходное сопротивление каскада;
требуемое значение напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке (с учетом температурной нестабильности – плюс 10%) (рисунок 2)
,					(4)
где	
–  амплитуда выходного напряжения;
U
–  напряжение начального нелинейного
участка выходных статических характеристик
транзистора, U
=(1...2)
В;
требуемое значение тока коллектора в рабочей точке (с учетом температурной нестабильности – плюс 10%) (рисунок 2)
;						(5)
Среднюю мощность, рассеиваемую на коллекторе
,
						(6)
которая не должна превышать предельного значения Ркmax взятого из справочных данных на транзистор;
э0
Рисунок 2
требуемое значение напряжения источника питания Е
,					(7)
где	U
=I
R
-
падение напряжения на R
.
При
этом напряжение источника питания E
не должно превышать U
используемого транзистора и должно
соответствовать рекомендованному ряду:
Е
=(5;
6; 6,3; 9; 10; 12; 12,6; 15; 20; 24; 27; 30; 36) B.
Если
в результате расчета Е
не будет соответствовать значению из
рекомендованного ряда, то путем вариации
в формуле следует подогнать значение
Е
под ближайшее из рекомендованного ряда;
напряжение на базе в рабочей точке
,						(8)
где	
- напряжение база-эмиттер в рабочей
точке, 
=(0,6…0,9)В
(для кремниевых транзисторов);
напряжение на коллекторе в рабочей точке
.						(9)
Выбор транзистора и расчет тока базы и эмиттера в рабочей точке
Выбрать транзистор (из приведенных в таблице 3 или в [6], [7]) с учетом следующих предельных параметров:
предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер
;				(10)
предельно допустимое напряжение коллектор-база
;				(11)
предельно допустимый ток коллектора
;					(12)
предельно допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе
;					(13)
граничная частота усиления транзистора по току в схеме с ОЭ
.				(14)
Определить:
ток базы в рабочей точке
;					(15)
ток эмиттера в рабочей точке
.					(16)
Таблица 3
Наименов. Параметра  | 
			Ед. изм.  | 
			Наименование транзистора (n-p-n)  | 
		||||||
2SC1815  | 
			2SC2001  | 
			2SC2120  | 
			2SC2665  | 
			2N1711  | 
			2N2222А  | 
			2N2923  | 
		||
Uкб max  | 
			В  | 
			60  | 
			30  | 
			35  | 
			50  | 
			75  | 
			60  | 
			25  | 
		
Uкэ max  | 
			В  | 
			50  | 
			25  | 
			30  | 
			50  | 
			50  | 
			30  | 
			25  | 
		
Iк max  | 
			А  | 
			0,15  | 
			0,7  | 
			0,8  | 
			2  | 
			0,5  | 
			0,8  | 
			0,1  | 
		
Pк max  | 
			Вт  | 
			0,4  | 
			0,6  | 
			0,6  | 
			0,9  | 
			0,8  | 
			0,5  | 
			0,36  | 
		
fТ  | 
			МГц  | 
			80  | 
			50  | 
			120  | 
			100  | 
			70  | 
			250  | 
			100  | 
		
β  | 
			-  | 
			50  | 
			200  | 
			180  | 
			130  | 
			75  | 
			150  | 
			100  | 
		
τос  | 
			псек  | 
			300  | 
			2500  | 
			1300  | 
			3000  | 
			2500  | 
			480  | 
			1000  | 
		
Ск  | 
			пФ  | 
			3  | 
			25  | 
			13  | 
			30  | 
			25  | 
			8  | 
			10  | 
		
Продолжение таблицы 3
Наименов. Параметра  | 
			Ед. изм.  | 
			Наименование транзистора (n-p-n)  | 
		||||||
2N3903  | 
			2N4400  | 
			2N4123  | 
			2N4264  | 
			2N5223  | 
			2N5232  | 
			2N5769  | 
		||
Uкб max  | 
			В  | 
			60  | 
			60  | 
			40  | 
			30  | 
			25  | 
			70  | 
			40  | 
		
Uкэ max  | 
			В  | 
			40  | 
			40  | 
			30  | 
			15  | 
			20  | 
			50  | 
			15  | 
		
Iк max  | 
			А  | 
			0,2  | 
			0,6  | 
			0,2  | 
			0,2  | 
			0,1  | 
			0,1  | 
			0,2  | 
		
Pк max  | 
			Вт  | 
			0,625  | 
			0,625  | 
			0,31  | 
			0,35  | 
			0,625  | 
			0,33  | 
			0,35  | 
		
fТ  | 
			МГц  | 
			250  | 
			200  | 
			250  | 
			300  | 
			150  | 
			50  | 
			100  | 
		
β  | 
			-  | 
			50  | 
			80  | 
			80  | 
			70  | 
			200  | 
			300  | 
			40  | 
		
τос  | 
			псек  | 
			400  | 
			650  | 
			400  | 
			400  | 
			400  | 
			400  | 
			400  | 
		
Ск  | 
			пФ  | 
			4  | 
			6,5  | 
			4  | 
			4  | 
			4  | 
			4  | 
			4  | 
		
Примечание: Емкость коллекторного перехода Ск приведена для случая, когда напряжение коллектор-база Uкб ном равно 10 В.
