Раздел 7. Туннельная и атомно - силовая микроскопия.

К сожалению все рассмотренные методы не позволяют получать топографию поверхности с точным расположением отдельных атомов или их достаточно локальных групп. Этого достичь не позволяет даже РЭМ, поскольку при высоких энергиях электронов (и, соответственно малой длине волны Де-Бройля) электроны проникают слишком глубоко в твердое тело или насквозь простреливают тонкую фольгу, испытывая при этом многочисленные акты рассеяния. При небольших энергиях электронного пучка электроны чрезвычайно чувствительны к электрическим и магнитным полям, генерируемым образцом, которые искажают траектории их движения.

Первой попыткой достичь разрешения на атомарном уровне были эксперименты Э. Мюллера по разработке ионного микроскопа довольно несложного прибора, позволявшего наблюдать отдельные атомы. Основным элементом прибора являлась исключительно острая металлическая игла, напротив кончика которой располагался люминесцентный экран. Пространство между иглой и экраном заполнялось инертным газом при соответствующем давлении. Исследуемым образцом являлась собственно сама игла. При приложении между кончиком иглы и экраном электрического поля с расположением положительного полюса на самой игле вокруг ее кончика возникало сильное электрическое полепорядка 500 миллионов В/см и больше.

При появлении нейтрального атома инертного газа в зоне воздействия электрического поля оно ионизировало атом, который приобретя положительный заряд ускорялся под воздействием электрического поля в направлении той точки на люминесцентном экране, которая однозначно соответствует позиции атома иглы, вблизи которого произошла ионизация. В результате на экране создается изображение иглы с увеличением, позволяющим фиксировать отдельные атомы. Охлаждение иглы до температур жидкого азота и водорода ослабляло воздействие на получаемое изображение теплового движения атомов в направлении, поперечном к траектории полета иона от иглы до экрана. Максимальное разрешение ионного микроскопа находилось в области 2,5 Å, что согласно классификации Полинга соответствует размерам атома.

Трудности заключаются в размещении исследуемого материала на кончике иглы, причем материал должен быть стоек к воздействию мощных электрических полей, и адекватной интерпретации получаемых результатов. Воздействие сверхмощных электрических полей выдерживали только твердые материалы, такие как вольфрам, платина или иридий. Для исследования полупроводников приходилось снижать прикладываемый потенциал (до 200 300 миллионов В/см), что мгновенно отражалось на разрешающей способности.

В 1982 г. Г. Биннинг и Г. Рорер (Цюрихский филиал IBM) создали совершенно новый прибор, названный ими сканирующим туннельным микроскопом (СТМ), с помощью которого им удалось получить изображение поверхности с атомной точностью. СТМ состоит из двух электродов, одним из которых является исследуемый образец, а другим острая металлическая игла, кончик которой удален от исследуемой поверхности на расстояние не более десятка ангстрем. Для таких расстояний кончик иглы нельзя считать плавно закругленным, поскольку он будет в любом случае иметь свою топографию, причем некоторые из выступов размерами в несколько атомов обязательно окажутся расположенными ближе к зондируемой поверхности. При подаче потенциала на иглу и исследуемую поверхность через эти локальные выступы потечет туннельный ток. Иногда эти микровыступы получают специально путем ионной бомбардировки поверхности иглы-эмиттера.

Как показали проведенные впоследствии эксперименты эти микровыступы можно получить с помощью специальных режимов работы СТМ, вызывающих пластическую деформацию материала эмиттера под воздействием образующегося мощного электрического поля порядка 10⁸В/см, которое стимулирует миграцию атомов по поверхности иглы и образование микроострий.

При приближении иглы - эмиттера к поверхности исследуемого образца при расстоянии в несколько единиц ангстрем электронные облака атомов микровыступов иглы и атомов поверхностного слоя исследуемого образца начинают перекрываться, что создает отличную от нуля вероятность протекания туннельного тока, хотя величина потенциального барьера и не превышена, как это показано на рис.5.8. Протекающий туннельный ток зависит от числа имеющихся в облаке электронов, поэтому он исключительно чувствителен к малейшему изменению расстояния игла образец, изменение которого в сторону увеличения в пределах моноатомного слоя уменьшает поток туннелирующих электронов почти на три порядка вследствие падения плотности облака вероятности.

Поэтому СТМ позволяет получать кроме того распределение электронной плотности на поверхности исследуемого образца с исключительной точностью. Разрешение такого микроскопа по оценкам некоторых оптимистически настроенных специалистов может достигать 1/100 размера атома. Наибольшая трудность при применении СТМ в качестве инструмента для исследования топографии поверхности заключается в прецизионном перемещении зонда над исследуемой поверхностью, причем желательно в трех измерениях. Для получения информации можно фиксировать изменения туннельного тока при перемещении зонда строго в плоскости, параллельной исследуемому образцу, либо, поддерживая ток постоянным, фиксировать перемещения иглы в плоскости, перпендикулярной поверхности образца. Первый способ чисто технически намного удобнее. Для перемещения иглы в трех измерениях используются прецизионные пьезоэлементы, позволяющие производить необходимые перемещения с требуемой точностью.

Во втором случае сканированием иглы в параллельной поверхности плоскости управляют два пьезоэлемента, а третий контролирует расстояние игла образец. При таком способе колебания иглы повторяют рельеф поверхности, причем изменение профиля поверхности на один ангстрем соответствует примерно одному сантиметру на экране дисплея, т.е. можно достигать увеличения в сто миллионов раз. Это дает исключительные возможности в экспериментальной физике твердого тела. Становится возможным наблюдать процесс перехода от одной кристаллической решетки к другой во время фазового перехода, сам процесс объединения атомов в кристаллическую решетку и расположение атомов на поверхности. Можно регистрировать процесс изменения размеров атомов при их адсорбции на поверхности.

Туннельный микроскоп может найти практическое применение и в качестве непосредственного технологического инструмента. Туннельное сканирование в принципе способно заменить литографию при изготовлении микроэлектронных элементов путем непосредственной генерации изображения на поверхности образца за счет прямого массопереноса вещества иглы (по-видимому, вплоть до отдельных атомов) или размещенного на конце иглы вещества на поверхность подложки. В перспективе имеется возможность создавать структуры для наноэлектроники с размером менее, чем 100Ѕ100Å.

Похожие принципы используются в приборе, называемом атомно -силовым микроскопом, который основан на сканировании поверхности исследуемого образца 3 зондирующим острием 1, закрепленном на кронштейне малой механической жесткости 4, и регистрации отклонения кронштейна под действием межатомных или межмолекулярных сил. Передвижение острия осуществляется 3^-хкоординатным пьезомикроманипулятором 2. Для фиксации столь малых колебаний кронштейна используется обычно СТМ 5, как это показано на рис.5.9, хотя могут быть применены и другие методы фиксации, такие как лазерный луч. Приближение поверхности образца к острию 1 вызывает отклонение кронштейна от положения равновесия и это отклонение преобразуется в электрический сигнал. Исследовательский зонд изготовляется из алмаза, монокристаллаAl₂O₃ и закрепляется на серебряном кронштейне толщиной порядка 50 мкм, шириной 200 мкм и длиной 13 мм (пример реальной структуры).

Туннельный датчик, регистрирующий отклонение кронштейна, имеет чувствительность 0,01 нм. Кронштейн с острием, туннельный датчик перемещений и пьезокерамический держатель , используемый для установки начального зазора в туннельном датчике и удержания зазора в процессе измерений размещены на кварцевом столике.

Метод атомно -силовой микроскопии (АСМ) позволяет исследовать не только проводящие структуры, но и поверхности диэлектриков с атомным разрешением в диапазоне сил 10^-5-10^-12Н При изучении топографии поверхности используется один из двух режимов взаимодействия острия и поверхности-в области притяжения при расстоянии между острием и поверхностьюd>0,4 нм и в области отталкивания для расстоянийd<0,20,3 нм.

Метод атомно силовой микроскопии может применяться и для изучения силовых характеристик поверхности путем регистрации зависимости силы взаимодействия острия и поверхности. При исследовании легко разрушаемых объектов, например биологических, пространство между иглой и поверхностью заполняют специальной жидкостью, что позволяет уменьшить силы взаимодействия на порядок и получить изображение. Метод позволяет получать очень высокую чувствительность и измерять силы порядка 10^-11Н, располагая острие на расстоянии от 50 до 200Åот поверхности и обеспечивая неразрушающий режим контроля.

Если в качестве зонда использовать намагниченную проволоку из железа, никеля или зерно ферромагнитного материала, то возникает возможность регистрации микрополей ферримагнитной среды и получения изображения доменной структуры. При размере доменов порядка 2000Åможно добиться разрешения порядка 200Å.

Максимальный размер области сканирования САМ лежит в пределах 1,51,5 мкм и обычно составляет 500500Å, минимальное время фиксированного измерения в одной точке поверхности 0,3 мс. Метод САМ позволяет исследовать даже такие специфические объекты, как пленки ЛенгмюраБлоджетт (моноатомные слои).