Процесс изготовления схемы.

Для изготовления схемы используется технология изготовления КМОП с поликремневыми затворами, двумя отдельными карманами для p-канальных и

n-канальных транзисторов и изопланарной изоляцией.

1. Окисление кремниевой пластины n-типа с низким легированием.

2. Фотолитография для вскрытия окон под диффузию примеси p-типа (p-карман), ионное внедрение бора во вскрытую область, окисление и одновременная разгонка бора.

3. Фотолитография для вскрытия окон под диффузию примеси n-типа (n-карман), ионное внедрение фосфора во вскрытую область, окисление и одновременная разгонка фосфора.
4. Фотолитография для вскрытия окон под область охранных колец (p-типа), внедрение бора во вскрытую область, окисление и разгонка.
5. Фотолитография для вскрытия окон под область охранных колец (n-типа), внедрение фосфора во вскрытую область, окисление и разгонка.
6. Нанесение пленки нитрида кремния для использования в качестве маски при локальном травлении, фотолитография по нитриду кремния, локальное травление кремния на глубину ≈ 2 – 3 мкм для формирования области изоляции и фотолитография областей под тонкий окисел.
7. Формирование толстого изолирующего и тонкого подзатворного окислов.

8. Удаление маски нитрида кремния, нанесение пленки поликристаллического кремния, толщиной 60нм.
9. Фотолитография для вскрытия окон под области стоков и истоков p-канальных транзисторов, внедрение бора во вскрытые области.
10. Фотолитография для вскрытия окон под области стоков и истоков n-канальных транзисторов, внедрение фосфора во вскрытые области.
11. Окисление, фотолитография для вскрытия окон под контакты к областям стоков и истоков, напыление пленки алюминия.
12. Фотолитография для разъединения контактов