
- •Содержание
- •Тема 1. Введение. Твердое тело. Силы
- •1.1 Введение 9
- •Тема 2. Строение твердого тела 23
- •Тема 3. Дефекты. Роль дефектов в твердом теле 57
- •3.2. Точечные дефекты решетки 57
- •Тема 4. Диаграммы состояния двухкомпонентных
- •Тема 5. Некоторые положения квантовой механики 99
- •Тема 6. Элементы зонной теории твердого тела. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций квантовой механики 119
- •Тема 7. Полупроводники. Собственный полупро-
- •Тема 8 . Размерное квантование и квантово-размер-
- •Тема 9. Основные положения термодинамики, механизмы роста пленок и образование зародышей 192
- •Тема 10. Технология получения, механизмы и режимы роста гетероэпитаксиальных структур 232
- •Тема 11. Методы получения нанообъектов и квантово-размерных структур 267
- •Тема 12. Методы исследования наноматериалов 341
- •Тема 1. Введение. Твердое тело. Силы взаимодействия. Типы связи.
- •1.1. Введение
- •1.2. Твердое тело. Силы взаимодействия. Типы связи.
- •Тема 2. Строение твердого тела. Цели и задачи изучения темы:
- •2.1. Кристалл.
- •2.2. Решетка Бравэ. Трансляция. Элементарная ячейка.
- •2.3.Элементы симметрии.
- •2.4. Группы симметрии. Сингонии.
- •2.5. Плотнейшие упаковки частиц в структурах.
- •2.6. Жидкие кристаллы.
- •2.7.Наночастицы с гранецентрированной решеткой. Кубоктаэдр.
- •Элементы симметрии.
- •Тема 3. Дефекты. Роль дефектов в твердом теле.
- •3.1. Дефекты кристаллических решеток.
- •3.2. Точечные дефекты решетки
- •3.3. Линейные дефекты кристаллической решетки.
- •3.4 Поверхностные дефекты кристаллической решетки.
- •3.5. Объёмные дефекты кристаллической решетки.
- •3.6. Энергетические дефекты кристаллической решетки.
- •3.7. Твёрдые растворы
- •Поверхностные дефекты кристаллической решетки.
- •Тема 4. Диаграммы состояния двухкомпонентных систем.
- •4.1. Типы диаграмм состояния.
- •Тема 5. Некоторые положения квантовой механики.
- •5.1.Возникновение квантовой механики.
- •5.2. Волновая функция ψ. Плотность вероятности.
- •5.3. Соотношение неопределенности Гейзенберга.
- •5.4. Общее уравнение Шредингера. Уравнение Шредингера для стационарных состояний.
- •5.5. Принцип причинности в квантовой механике.
- •5.6. Движение свободной частицы
- •5.7. Частица в одномерной прямоугольной «потенциальной яме» с бесконечно высокими «стенками».
- •5.8. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннельный эффект
- •5.9. Линейный гармонический осциллятор в квантовой механике.
- •Принцип причинности в квантовой механике.
- •Движение свободной частицы.
- •Тема 6. Элементы зонной теории твердого тела. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций квантовой механики.
- •6.1. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций кванто-вой механики.
- •6.1.1. Современный взгляд на строение и свойства
- •6.1.2. Взгляд на строение атома с позиций квантовой механики.
- •6.2. Элементы зонной теории.
- •6.2.1.Основные положения зонной теории.
- •6.2.2. Волновая функция электрона в периодическом поле.
- •6.2. 3. Зоны Бриллюэна.
- •6.2.4. Методы расчета энергетической структуры кристаллов.
- •6.2.4.1. Приближение сильносвязанных электронов.
- •6.2.4.2. Приближение свободных электронов. Энергетический спектр электронов в прямоугольной потенциальной яме.
- •6.2.4.3. Приближение слабосвязанных электронов.
- •6.2.5. Модель Кронига – Пенни.
- •6.2.6. Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники.
- •Тема 7. Полупроводники. Собственный полупроводник. Генерация и рекомбинация носителей зарядов. Уровень Ферми. Эффективная масса носителя заряда. Примесный полупроводник. Цели и задачи изучения темы:
- •7.1. Полупроводники.
- •7.2.Собственные и примесные полупроводники. Носители заряда в полупроводниках.
- •7.3. Энергия Ферми.
- •7.4. Генерация и рекомбинация носителей зарядов.
- •7.5. Собственная проводимость полупроводника.
- •7.6. Примесные полупроводники.
- •7.6.1. Примесные уровни.
- •7.6.2. Примесная проводимость полупроводников.
- •7.6.3. Полупроводник р-типа.
- •7 .6.4. Сильно легированный полупроводник. Роль беспорядка в кристалле.
- •7.7. Температурная зависимость проводимости примесных полупроводников.
- •7.8. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
- •А плотность дырочного дрейфового тока
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме по теме:
- •Тема 8 . Размерное квантование и квантово-размерные структуры.
- •8.1. Принцип размерного квантования
- •8.2. Условия наблюдения квантовых размерных эффектов.
- •8.3. Структуры с двумерным электронным газом.
- •8.4. Структуры с одномерным электронным газом (квантовые нити).
- •8.5. Структуры с нуль-мерным электронным газом
- •8.6. Структуры с вертикальным переносом.
- •Тема 9. Основные положения термодинамики, механизмы роста пленок и образование зародышей.
- •9.1. Основные понятия термодинамики.
- •9.2. Три начала термодинамики.
- •9.3. Термодинамические потенциалы.
- •9.4. Термодинамическая теория фазовых равновесий.
- •9.4.1. Термодинамические системы.
- •9.4.2. Условия фазового равновесия.
- •9.4.3. Фазовые переходы.
- •9.5. Принцип локального равновесия.
- •9.6. Самоорганизация систем.
- •9.7. Поверхностные явления.
- •9.7.1. Поверхностная энергия.
- •9.7.2. Поверхностное натяжение.
- •9.7.3. Капиллярные явления.
- •9.7.4. Адсорбция, десорбция и испарение с поверхности.
- •9.8. Массоперенос и ионизация на поверхности.
- •9.8.1. Массоперенос и ионизация на поверхности.
- •9.8.2. Межфазные характеристики.
- •9.9. Механизмы роста пленок на реальных подложках.
- •Тема 10. Технология получения, механизмы и режимы роста гетероэпитаксиальных структур.
- •10.1. Гетерогенные процессы формирования наноструктур
- •10.1.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия.
- •10.2. Газовая эпитаксия из металлоорганических соединений.
- •10.3. Метод нанолитографии.
- •10.4. Самоорганизация квантовых точек и нитей.
- •10.4.1. Режимы роста гетероэпитаксиальных структур.
- •10.4.2. Рост наноструктур на фасетированных поверхностях.
- •10.4.3. Трехмерные массивы когерентно-напряженных островков.
- •10.4.4. Поверхностные структуры плоских упругих доменов.
- •1 0.4.5. Структуры с периодической модуляцией состава в эпи-таксиальных пленках твердых растворов полупроводников.
- •1 0.5. Изготовление наноструктур и наноприборов с помощью стм и асм.
- •Тема 11. Методы получения нанообъектов и квантоворазмерных структур.
- •11.1. Коллоидная и золь-гельная технология.
- •11.1.1. Формирование структур на основе коллоидных растворов.
- •11.1.2. Организация и самоорганизация коллоидных структур.
- •11.1.3. Оптические и электронные свойства коллоидных кластеров.
- •11.1.4. Коллоидные кристаллы. Формирование упорядоченных наноструктур.
- •11.1.5. Золь-гель технология.
- •11.1.6. Методы молекулярного наслаивания и
- •11.1.7. Методы получения металлов и диэлектриков.
- •11.2. Методы получения упорядоченных наноструктур. Гетероструктуры.
- •11.2.1. Гетероструктуры – основа получения наноструктур.
- •11.2.2. Формирование полупроводниковых и металлических нановолокон и спиралей.
- •11.2.3 Самоорганизация при эпитаксиальном росте.
- •12.2.3.1. Наногофрированные структуры.
- •11.2.3.2. Самоорганизация гетероэпитаксиальных структур.
- •11.3. Пучковые методы нанолитографии.
- •11.3.1. Литографические методы формирования структур.
- •11.3.2. Оптическая литография.
- •11.3.3. Рентгеновская литография.
- •11.3.4. Электронная литография.
- •11.3.5. Ионная литография.
- •11.3.6. Возможности пучковых методов нанолитографии в наноэлектронике.
- •11.3.7. Нанопечатная литография.
- •11.3.8. Ионный синтез квантовых наноструктур.
- •11.4. Рост на активированных поверхностях. Нановискеры.
- •11.5. Методы зондовой нанотехнологии.
- •11.5.1. Физические основы зондовой нанотехнологии.
- •11.5.2. Контактное формирование нанорельефа.
- •11.5.3. Бесконтактное формирование нанорельефа.
- •11.5.4. Локальная глубинная модификация поверхности.
- •11.5.5. Межэлектродный массоперенос.
- •11.5.6. Локальное анодное окисление.
- •11.5.8. Совместное использование лазера и стм
- •Тема 12. Методы исследования наноматериалов.
- •12.1. Введение.
- •12.2. Методы исследования химического состава поверхности.
- •12.2.1. Масс-спектроскопия.
- •12.2.3. Ионная масс-спектроскопия.
- •12.2.4. Фотоэлектронная спектроскопия.
- •12.2.5. Радиоспектроскопия.
- •12.3. Исследования физической структуры поверхности.
- •12.3.1. Рентгеноструктурный анализ.
- •12.3.2. Рентгеновская спектроскопия и дифракция.
- •1 2.3.2.1. Рассеяние на аморфных и частично упорядоченных объектах. Малоугловое рентгеновское рассеяние.
- •12.3.2.2. Рентгеновская спектроскопия поглощения: exafs, xans, nexafs.
- •12.3.3. Анализ поверхности электронным пучком.
- •12.3.4. Полевая эмиссионная микроскопия.
- •12.3.5. Сканирующая зондовая микроскопия.
- •12.3.5.1. Сканирующая туннельная микроскопия.
- •12.3.5.2. Атомно-силовая микроскопия.
- •12.3.6. Магнито – силовая микроскопия.
- •12.3.7. Электронная микроскопия.
- •12.3.8. Эллипсометрия.
- •12.4. Спектроскопия.
- •12.4.1. Инфракрасная и рамановская спектроскопия.
- •12.4.2. Фотоэмиссия и рентгеновская спектроскопия.
- •12.5. Методы исследования кинетических свойств объема и поверхности наноматериалов и наноструктур.
- •12.5.1. Исследование удельного сопротивления.
- •12.5.2. Диагностика поверхностных состояний.
- •12.5.3. Кинетические параметры.
2.4. Группы симметрии. Сингонии.
Элементы симметрии кристаллического класса образуют точечную группу. Говорят, что множество операций образует группу, если эти опера-ции удовлетворяют следующим условиям:
1. Результат двух операций можно получить путем третьей операции из этого же множества – AB = C.
2. Среди элементов группы есть операция идентичности (единичный эле-мент) – EA = AE = A.
3. Для каждой операции A данного множества в нем имеется обратная ей операция А-1, такая что – А-1A = E.
4. Последовательность операций подчиняется ассоциативному закону – (BA)C = B(AC)
Всего имеется 32 группы, описывающие симметрию кристаллов. В каждой группе имеются образующие элементы (генераторы). Это такие элементы симметрии, выбранные подходящим образом и в минимальном числе, которые позволяют получить все остальные элементы симметрии группы. Общее число элементов группы называется порядком группы.
Все 32 группы разбиваются на блоки, сформированные из групп, родст-венных по типу симметрии. Таких блоков (сингоний) семь, каждая имеет определенное название. В таблице 2.1 приведено распределение точечных групп по сингониям, причем используются как обозначения Шенфлиса, так и интернациональная классификация точечных групп, когда символ группы составляется из последовательно написанных символов генераторов групп.
Таблица 2.4.1.
Сингония |
Интернациональный символ |
Обозначение Шенфлиса |
Триклинная |
1,
|
C1, Ci |
Моноклинная |
2, m, 2/m |
C2, Cs, C2h, |
Ромбическая |
222, mm2, mmm |
D2, C2v, D2h, |
Тригональная |
3,
|
C3, C3i, D3, |
|
3mm, m |
C3v, D3d, |
Тетрагональная |
4,
|
C4, S4, C4h, |
|
422, 4mm, 2m, |
D4, C4v, D2h, |
|
4/mmm |
D4h |
Гексагональная |
6,
|
C6, S3, C6h, |
|
622, 6mm, 2m, |
D6, C6v, D3h, |
|
6/mmm |
D6h |
Кубическая |
23, m3, 3m, |
T, Th, Td, |
|
432, m3m |
O, Oh |
К
триклинной сингонии отнесены все те
группы, в которых нет осей и плоскостей
симметрии. В группах, относящихся к
моноклинной сингонии, имеется одна ось
второго порядка. К ромбической сингонии
относятся группы с тремя перпендикулярными
осями второго порядка. Общим для следующих
трех сингоний – тригональной,
тетрагональной и гексагональной -
является наличие выделенной высшей оси
(3-ого, 4-го или 6-ого порядков). П
оэтому
их называют одноосными (как и соответствующие
кристаллы). Наиболее
симметричные группы объединены в
кубической сингонии.
В триклинной системе как все углы не равны друг другу так и все длины сторон не равны друг другу. Данная решетка имеет центр симметрии в центре элементарной ячейки.
2. В моноклинной системе ячейка имеет форму прямой призмы с ребрами разной длины. Ячейка может быть с центрированными основаниями прямой призмы С и примитивной Р. У такой решетки добавляются элементы симметрии: плоскость симметрии, параллельная основанию прямой призмы, и ось вращения 2-го порядка, проходящая через середины оснований.
3. В ромбической системе ячейка имеет форму прямоугольного параллелепипеда с ребрами разной длины. Ячейка имеет все 4 разновидности: P,I,F,C. У такой решетки еще больше элементов симметрии: три плоскости симметрии, параллельные граням, и три оси вращения 2-го порядка, проходящие через середины противоположных одинаковых граней.
4. В тетрагональной системе ячейка имеет форму прямоугольного параллелепипеда с квадратным основанием. Ячейка может быть примитивной P и ОЦ I. По сравнению с предыдущей решеткой у нее появляется ось вращения 4-го порядка и несколько плоскостей симметрии.
5. В кубической системе ячейка имеет форму куба. Ячейка может быть с центрированными гранями куба (ГЦК – гранецентрированный куб) или центром (ОЦК – объемноцентрированный куб). Это самая симметричная решетка, элементы симметрии которой приведены на рис. 2.4.1.
6. В гексагональной системе ячейка имеет форму прямой призмы с ромбом в основании, причем угол в ромбе равен 60 градусам. Часто рассматривают утроенную ячейку (рис. 2.4.2), имеющую вид правильной шестигранной призмы с осью симметрии шестого порядка (отсюда и ее название).
7
.
В тригональной
системе
ячейку принято выбирать в виде ромбоэдра,
все грани которого – одинаковые
ромбы с углом при вершине
.
Заметим, что в случае ОЦК и ГЦК решеток
можно выбрать элементарную тригональную
ячейку с объемом в 2 и 4 раза меньшим, чем
выбранная кубическая .
Сингонии кристаллов. Форма элементарной ячейки (соотношение между длинами векторов трансляций и углы между ними) определяет сингонию кристаллов. Различают следующие типы сингоний (табл. 2.4.2):
Гексагональную сингонию нередко подразделяют на гексагональную и тригональную, поскольку в ряде случаев элементарная ячейка может быть выбрана и в виде ромбоэдра с a = b = c, α = β = γ ≠ 90˚. Для гексагональной и тригональной (триклинной) сингоний применяют одинаковую систему коор-динат. Единственная ось 3 или (тригональная) 6 или гексагональная принимается за ось Z. Оси X и Y составляют угол γ = 120˚ и пердикулярны оси Z.
Таблица 2.4.2
Кубическая |
а = b = c |
= 90o |
Тетрагональная |
а = b c |
= 90o |
Ромбическая |
а b c |
= 90o |
Гексагональная |
а = b c |
= 120o |
Моноклинная |
а b c |
90o |
Триклинная |
а b c |
90o |
Гексагональную сингонию нередко подразделяют на гексагональную и тригональную, поскольку в ряде случаев элементарная ячейка может быть выбрана и в виде ромбоэдра с a = b = c, ≠ 90o . Для гексагональной и тригональной (триклинной) сингоний применяют одинаковую систему координат. Единственная ось 3 или (тригональная), 6 или гексагональная принимается за ось Z. Оси X и Y составляют угол γ = 120˚ и пердикулярны оси Z.
Поскольку число пространственных групп симметрии велико (в отсутствие магнитного упорядочения существует 230 пространственных кристаллических групп симметрии), то для краткой характеристики конкрет-ного кристалла используют точечную группу симметрии. Всего существует 32 такие группы. Они порождают кристаллические классы, на которые можно разбить все пространственные группы симметрии: все пространст-венные группы симметрии, принадлежащие к данному кристаллическому классу, имеют одну и ту же точечную группу симметрии.
Международная система обозначений точечных групп симметрии кристаллов строится по следующему принципу:
На первой позиции записывается число, равное наибольшему порядку оси вращения, присутствующей в данном кристалле. Например, у куби-ческого кристалла имеются три оси четвертого порядка, проходящие через центры противоположных граней кубической ячейки и четыре оси третьего порядка, соответствующие главным диагоналям этой ячейки. В обозначении группы симметрии на первом месте мы должны написать цифру 4.
Если в кристалле присутствует плоскость зеркальной симметрии, перпендикулярная оси вращения наивысшего порядка, то в обозна-чении группы симметрии после цифры ставится косая черта, а за ней латинская буква m, например, 2/m.
Если ось вращения наивысшего порядка лежит в плоскости зеркальной симметрии, то буква m стоит на второй позиции, например, 4m. Отметим, что в этом случае существует не одна, а целое семейство плоскостей зеркальной симметрии, получаемых из первой путем последовательных поворотов на угол 360˚/n вокруг оси вращения n-го порядка. В приведенном примере таких плоскостей зеркальной симметрии будет две.
Если наряду с рассмотренным семейством плоскостей зеркальной симметрии существует второе семейство плоскостей, являющихся биссект-рисами двухгранных углов, образованных плоскостями, принадлежащими к первому семейству, то в обозначении группы записывают две буквы m, например, 4mm.
П
ример.
В тетрагональной элементарной ячейке
существует одно семейство плоскостей
(две), проходящих через середины
параллельных ребер (рис. 2.4.3), и второе
семейство плоскостей (две), проходящих
через параллельные друг другу диагонали
оснований.