- •Содержание
- •Тема 1. Введение. Твердое тело. Силы
- •1.1 Введение 9
- •Тема 2. Строение твердого тела 23
- •Тема 3. Дефекты. Роль дефектов в твердом теле 57
- •3.2. Точечные дефекты решетки 57
- •Тема 4. Диаграммы состояния двухкомпонентных
- •Тема 5. Некоторые положения квантовой механики 99
- •Тема 6. Элементы зонной теории твердого тела. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций квантовой механики 119
- •Тема 7. Полупроводники. Собственный полупро-
- •Тема 8 . Размерное квантование и квантово-размер-
- •Тема 9. Основные положения термодинамики, механизмы роста пленок и образование зародышей 192
- •Тема 10. Технология получения, механизмы и режимы роста гетероэпитаксиальных структур 232
- •Тема 11. Методы получения нанообъектов и квантово-размерных структур 267
- •Тема 12. Методы исследования наноматериалов 341
- •Тема 1. Введение. Твердое тело. Силы взаимодействия. Типы связи.
- •1.1. Введение
- •1.2. Твердое тело. Силы взаимодействия. Типы связи.
- •Тема 2. Строение твердого тела. Цели и задачи изучения темы:
- •2.1. Кристалл.
- •2.2. Решетка Бравэ. Трансляция. Элементарная ячейка.
- •2.3.Элементы симметрии.
- •2.4. Группы симметрии. Сингонии.
- •2.5. Плотнейшие упаковки частиц в структурах.
- •2.6. Жидкие кристаллы.
- •2.7.Наночастицы с гранецентрированной решеткой. Кубоктаэдр.
- •Элементы симметрии.
- •Тема 3. Дефекты. Роль дефектов в твердом теле.
- •3.1. Дефекты кристаллических решеток.
- •3.2. Точечные дефекты решетки
- •3.3. Линейные дефекты кристаллической решетки.
- •3.4 Поверхностные дефекты кристаллической решетки.
- •3.5. Объёмные дефекты кристаллической решетки.
- •3.6. Энергетические дефекты кристаллической решетки.
- •3.7. Твёрдые растворы
- •Поверхностные дефекты кристаллической решетки.
- •Тема 4. Диаграммы состояния двухкомпонентных систем.
- •4.1. Типы диаграмм состояния.
- •Тема 5. Некоторые положения квантовой механики.
- •5.1.Возникновение квантовой механики.
- •5.2. Волновая функция ψ. Плотность вероятности.
- •5.3. Соотношение неопределенности Гейзенберга.
- •5.4. Общее уравнение Шредингера. Уравнение Шредингера для стационарных состояний.
- •5.5. Принцип причинности в квантовой механике.
- •5.6. Движение свободной частицы
- •5.7. Частица в одномерной прямоугольной «потенциальной яме» с бесконечно высокими «стенками».
- •5.8. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннельный эффект
- •5.9. Линейный гармонический осциллятор в квантовой механике.
- •Принцип причинности в квантовой механике.
- •Движение свободной частицы.
- •Тема 6. Элементы зонной теории твердого тела. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций квантовой механики.
- •6.1. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций кванто-вой механики.
- •6.1.1. Современный взгляд на строение и свойства
- •6.1.2. Взгляд на строение атома с позиций квантовой механики.
- •6.2. Элементы зонной теории.
- •6.2.1.Основные положения зонной теории.
- •6.2.2. Волновая функция электрона в периодическом поле.
- •6.2. 3. Зоны Бриллюэна.
- •6.2.4. Методы расчета энергетической структуры кристаллов.
- •6.2.4.1. Приближение сильносвязанных электронов.
- •6.2.4.2. Приближение свободных электронов. Энергетический спектр электронов в прямоугольной потенциальной яме.
- •6.2.4.3. Приближение слабосвязанных электронов.
- •6.2.5. Модель Кронига – Пенни.
- •6.2.6. Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники.
- •Тема 7. Полупроводники. Собственный полупроводник. Генерация и рекомбинация носителей зарядов. Уровень Ферми. Эффективная масса носителя заряда. Примесный полупроводник. Цели и задачи изучения темы:
- •7.1. Полупроводники.
- •7.2.Собственные и примесные полупроводники. Носители заряда в полупроводниках.
- •7.3. Энергия Ферми.
- •7.4. Генерация и рекомбинация носителей зарядов.
- •7.5. Собственная проводимость полупроводника.
- •7.6. Примесные полупроводники.
- •7.6.1. Примесные уровни.
- •7.6.2. Примесная проводимость полупроводников.
- •7.6.3. Полупроводник р-типа.
- •7 .6.4. Сильно легированный полупроводник. Роль беспорядка в кристалле.
- •7.7. Температурная зависимость проводимости примесных полупроводников.
- •7.8. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
- •А плотность дырочного дрейфового тока
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме по теме:
- •Тема 8 . Размерное квантование и квантово-размерные структуры.
- •8.1. Принцип размерного квантования
- •8.2. Условия наблюдения квантовых размерных эффектов.
- •8.3. Структуры с двумерным электронным газом.
- •8.4. Структуры с одномерным электронным газом (квантовые нити).
- •8.5. Структуры с нуль-мерным электронным газом
- •8.6. Структуры с вертикальным переносом.
- •Тема 9. Основные положения термодинамики, механизмы роста пленок и образование зародышей.
- •9.1. Основные понятия термодинамики.
- •9.2. Три начала термодинамики.
- •9.3. Термодинамические потенциалы.
- •9.4. Термодинамическая теория фазовых равновесий.
- •9.4.1. Термодинамические системы.
- •9.4.2. Условия фазового равновесия.
- •9.4.3. Фазовые переходы.
- •9.5. Принцип локального равновесия.
- •9.6. Самоорганизация систем.
- •9.7. Поверхностные явления.
- •9.7.1. Поверхностная энергия.
- •9.7.2. Поверхностное натяжение.
- •9.7.3. Капиллярные явления.
- •9.7.4. Адсорбция, десорбция и испарение с поверхности.
- •9.8. Массоперенос и ионизация на поверхности.
- •9.8.1. Массоперенос и ионизация на поверхности.
- •9.8.2. Межфазные характеристики.
- •9.9. Механизмы роста пленок на реальных подложках.
- •Тема 10. Технология получения, механизмы и режимы роста гетероэпитаксиальных структур.
- •10.1. Гетерогенные процессы формирования наноструктур
- •10.1.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия.
- •10.2. Газовая эпитаксия из металлоорганических соединений.
- •10.3. Метод нанолитографии.
- •10.4. Самоорганизация квантовых точек и нитей.
- •10.4.1. Режимы роста гетероэпитаксиальных структур.
- •10.4.2. Рост наноструктур на фасетированных поверхностях.
- •10.4.3. Трехмерные массивы когерентно-напряженных островков.
- •10.4.4. Поверхностные структуры плоских упругих доменов.
- •1 0.4.5. Структуры с периодической модуляцией состава в эпи-таксиальных пленках твердых растворов полупроводников.
- •1 0.5. Изготовление наноструктур и наноприборов с помощью стм и асм.
- •Тема 11. Методы получения нанообъектов и квантоворазмерных структур.
- •11.1. Коллоидная и золь-гельная технология.
- •11.1.1. Формирование структур на основе коллоидных растворов.
- •11.1.2. Организация и самоорганизация коллоидных структур.
- •11.1.3. Оптические и электронные свойства коллоидных кластеров.
- •11.1.4. Коллоидные кристаллы. Формирование упорядоченных наноструктур.
- •11.1.5. Золь-гель технология.
- •11.1.6. Методы молекулярного наслаивания и
- •11.1.7. Методы получения металлов и диэлектриков.
- •11.2. Методы получения упорядоченных наноструктур. Гетероструктуры.
- •11.2.1. Гетероструктуры – основа получения наноструктур.
- •11.2.2. Формирование полупроводниковых и металлических нановолокон и спиралей.
- •11.2.3 Самоорганизация при эпитаксиальном росте.
- •12.2.3.1. Наногофрированные структуры.
- •11.2.3.2. Самоорганизация гетероэпитаксиальных структур.
- •11.3. Пучковые методы нанолитографии.
- •11.3.1. Литографические методы формирования структур.
- •11.3.2. Оптическая литография.
- •11.3.3. Рентгеновская литография.
- •11.3.4. Электронная литография.
- •11.3.5. Ионная литография.
- •11.3.6. Возможности пучковых методов нанолитографии в наноэлектронике.
- •11.3.7. Нанопечатная литография.
- •11.3.8. Ионный синтез квантовых наноструктур.
- •11.4. Рост на активированных поверхностях. Нановискеры.
- •11.5. Методы зондовой нанотехнологии.
- •11.5.1. Физические основы зондовой нанотехнологии.
- •11.5.2. Контактное формирование нанорельефа.
- •11.5.3. Бесконтактное формирование нанорельефа.
- •11.5.4. Локальная глубинная модификация поверхности.
- •11.5.5. Межэлектродный массоперенос.
- •11.5.6. Локальное анодное окисление.
- •11.5.8. Совместное использование лазера и стм
- •Тема 12. Методы исследования наноматериалов.
- •12.1. Введение.
- •12.2. Методы исследования химического состава поверхности.
- •12.2.1. Масс-спектроскопия.
- •12.2.3. Ионная масс-спектроскопия.
- •12.2.4. Фотоэлектронная спектроскопия.
- •12.2.5. Радиоспектроскопия.
- •12.3. Исследования физической структуры поверхности.
- •12.3.1. Рентгеноструктурный анализ.
- •12.3.2. Рентгеновская спектроскопия и дифракция.
- •1 2.3.2.1. Рассеяние на аморфных и частично упорядоченных объектах. Малоугловое рентгеновское рассеяние.
- •12.3.2.2. Рентгеновская спектроскопия поглощения: exafs, xans, nexafs.
- •12.3.3. Анализ поверхности электронным пучком.
- •12.3.4. Полевая эмиссионная микроскопия.
- •12.3.5. Сканирующая зондовая микроскопия.
- •12.3.5.1. Сканирующая туннельная микроскопия.
- •12.3.5.2. Атомно-силовая микроскопия.
- •12.3.6. Магнито – силовая микроскопия.
- •12.3.7. Электронная микроскопия.
- •12.3.8. Эллипсометрия.
- •12.4. Спектроскопия.
- •12.4.1. Инфракрасная и рамановская спектроскопия.
- •12.4.2. Фотоэмиссия и рентгеновская спектроскопия.
- •12.5. Методы исследования кинетических свойств объема и поверхности наноматериалов и наноструктур.
- •12.5.1. Исследование удельного сопротивления.
- •12.5.2. Диагностика поверхностных состояний.
- •12.5.3. Кинетические параметры.
6.2.4.2. Приближение свободных электронов. Энергетический спектр электронов в прямоугольной потенциальной яме.
В приближении свободных электронов потенциал решетки считается постоянным. Поэтому с энергетической точки зрения кристалл в этом случае представляет собой одиночную потенциальную яму с гладким дном. Действительно, вне кристалла потенциальная энергия свободного электрона U = 0, а внутри кристалла U0 = -q0, где 0 – положительный постоянный потенциал поля, созданного узлами решетки. Электрон не может свободно покинуть кристалл. Для выхода из него электрону необходимо совершить работу, численно равную Uo.
Характер энергетического спектра электронов в кристалле (в потен-циальной яме) обсудим на примере одномерной модели, поскольку для выяснения важнейших особенностей энергетического спектра одномерного случая вполне достаточно, Напомним, что для его нахождения нам нужно решить одноэлектронное уравнение Шредингера (6.2.1), которое в одномерном случае имеет вид :
(6.2.18)
Решим это уравнение для двух типов потенциальной энергии, показанных на рис. 6.2.2. Случай, когда U(x) = 0 при –a < x < a и U(x) = +. при | x | > a, что соответствует бесконечно высоким стенкам прямоугольной потенциальной ямы, расположенным в точках х =± a, показан на рис. 6.2,а. Потенциальная энергия, изображенная на рис. 6.2,б, изменяется у стенки скачкообразно, но на конечную величину, так что при | x | > а U(x) = U0. Для обоих типов потенциальной энергии движение классической частицы с полной энергией Е < U0 будет одним и тем же но, как мы увидим, ее квантово-механическое поведение оказывается различным .
Б есконечно высокие стенки. Внутри потенциальной ямы (при | x | < а) волновое уравнение (6.2.18) записывается в виде
(6.2.19)
и его общее решение есть
, (6.2.20)
Выбирая в качестве граничного условия обращение в нуль волновой функции в точках х = ± а, получаем
Откуда
Решение, для которого константы: А и В равны нулю, не представляют физического интереса, так как при этом ψ = 0 в любой точке. Нельзя также одновременно приравнять нулю sinαa и соsαa при одном и том же значении α (т. е. E). Поэтому имеется два возможных класса решений. Для первого класса
A = 0 соsαa = 0
а для второго класса
В = 0 sinαa = 0.
Таким образом, aa = nπ / 2 где для первого класса п – нечетное, а для второго класса – четное число. Следовательно, собственные функции обоих классов и принадлежащие им собственные значения энергии имеют вид
, где n нечетное;
, где n четное;
в обоих случаях
Ясно, что при n = 0 получается физически неинтересное решение ψ = 0, а решения с отрицательными и положительными значениями п линейно связаны друг с другом. Константы А и В легко находятся из условия нормировки собственных функций ψ(х).
Таким образом, мы получаем бесконечную систему дискретных уровней энергии, соответствующих всем положительным целым значениям квантового числа n. Каждому уровню принадлежит только одна собственная функция; число узлов (внутри потенциальной ямы) у n-й собственной функции равно n - 1.
Конечный скачок потенциала. Если потенциальная энергия имеет вид. показанный на рис. 6.2.2,б, то общее решение (6.2.20), по-прежнему справедливое при | x | < а , так как уравнение (6.2.19) в этой области не меняется, необходимо дополнить решением в области | x | > а. В этой области (вне потенциальной ямы) волновое уравнение имеет вид
и его общее решение при Е < U0 (для связанного состояния) дается формулой
(6.2.21)
причем, в силу ограниченности волновой функции на бесконечности в облас-ти х > а нужно принять равной нулю константу D , а в области x < -а – кон-станту С.
Наложим теперь на решения (6.2.20) и (6.2.21) условия непрерывности волновой функции ψ и ее производной dψ/dx в граничных точках х = ±а:
,
,
Отсюда получаем
, , (6.2.22)
, , (6.2.23)
При А ≠ 0 и С ≠ D из уравнений (6.2.22) следует:
(6.2.24)
Аналогично при В = 0 и С = -D из уравнений (24) получим
(6.2.25)
Уравнения (6.2.24) и (6.2.25) нельзя удовлетворить одновременно, так как, исключив из них β мы получим tg2αа = -1, откуда в противоречии с (6.2.21) следует, что α – мнимое, а β – отрицательное число. Нельзя также требовать, чтобы все постоянные А., В, С и D обращались в нуль. Поэтому решения снова можно разделить на два класса. Для первого класса
A = 0 , C = D αtgαa = β ,
а для второго класса
B = 0 , C = -D αctgαa = β ,
Энергетический спектр электронов (разрешенные уровни энергии) находится путем численного иди графического решения уравнений (6.2.24) и (6.2.25). где α и β определяются выражениями (6.2.20) и (6.2.21).
Рассмотрим графический метод решения, позволяющий с полной ясностью выявить зависимость числа дискретных уровней от U0 и а.
Положим ξ = αa, η = βа: тогда уравнение (6.2.25) примет вид ξ tgξ, = η, причем
.
Поскольку величины ξ и η могут принимать только положительные значения, уровни энергии определяются (лежащими в первом квадранте) точками пересечения кривой η = ξ·tgξ с окружностью заданного радиуса . На рис. 6.2.3 изображено необходимое построение для трех значений U0 a2. Двум меньшим значениям этого произведения п ринадлежит по одному, а большему – два решения уравнения. (6.2.25).
На рис. 6.2.4 аналогичное построение проведено для уравнения (6.2.24), когда уровни энергии определяются пересечением тех же окружностей с кривой η = -ξ·tgξ (в первом квадранте). Для наименьшего значения U0 a2 решение отсутствует, а двум другим принадлежит по одному решению. Таким образом, всего для трех последовательно возрастающих значений U0 a2 имеется соответственно один, два и три уровня энергии.
Из рис. 6.2.3 и рис. 6.2.4 ясно, что при заданной массе частицы уровни энергии зависят от параметров потенциальной ямы через произведение U0 a2. Если значение U0 a2 лежит между нулем и , то имеется лишь один уровень энергии первого класса; в области имеется по одному уровню энергии каждого класса , т. е, всего два уровня. По мере возрастания U0 a2 уровни анергии последовательно появляются то для одного класса решений, то для другого. С помощью (6.2.20) нетрудно видеть, что если расположить собственные функции в порядке возрастания собственных значений, то у n-й собственной функции будет n-1 узел.