
- •Содержание
- •Тема 1. Введение. Твердое тело. Силы
- •1.1 Введение 9
- •Тема 2. Строение твердого тела 23
- •Тема 3. Дефекты. Роль дефектов в твердом теле 57
- •3.2. Точечные дефекты решетки 57
- •Тема 4. Диаграммы состояния двухкомпонентных
- •Тема 5. Некоторые положения квантовой механики 99
- •Тема 6. Элементы зонной теории твердого тела. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций квантовой механики 119
- •Тема 7. Полупроводники. Собственный полупро-
- •Тема 8 . Размерное квантование и квантово-размер-
- •Тема 9. Основные положения термодинамики, механизмы роста пленок и образование зародышей 192
- •Тема 10. Технология получения, механизмы и режимы роста гетероэпитаксиальных структур 232
- •Тема 11. Методы получения нанообъектов и квантово-размерных структур 267
- •Тема 12. Методы исследования наноматериалов 341
- •Тема 1. Введение. Твердое тело. Силы взаимодействия. Типы связи.
- •1.1. Введение
- •1.2. Твердое тело. Силы взаимодействия. Типы связи.
- •Тема 2. Строение твердого тела. Цели и задачи изучения темы:
- •2.1. Кристалл.
- •2.2. Решетка Бравэ. Трансляция. Элементарная ячейка.
- •2.3.Элементы симметрии.
- •2.4. Группы симметрии. Сингонии.
- •2.5. Плотнейшие упаковки частиц в структурах.
- •2.6. Жидкие кристаллы.
- •2.7.Наночастицы с гранецентрированной решеткой. Кубоктаэдр.
- •Элементы симметрии.
- •Тема 3. Дефекты. Роль дефектов в твердом теле.
- •3.1. Дефекты кристаллических решеток.
- •3.2. Точечные дефекты решетки
- •3.3. Линейные дефекты кристаллической решетки.
- •3.4 Поверхностные дефекты кристаллической решетки.
- •3.5. Объёмные дефекты кристаллической решетки.
- •3.6. Энергетические дефекты кристаллической решетки.
- •3.7. Твёрдые растворы
- •Поверхностные дефекты кристаллической решетки.
- •Тема 4. Диаграммы состояния двухкомпонентных систем.
- •4.1. Типы диаграмм состояния.
- •Тема 5. Некоторые положения квантовой механики.
- •5.1.Возникновение квантовой механики.
- •5.2. Волновая функция ψ. Плотность вероятности.
- •5.3. Соотношение неопределенности Гейзенберга.
- •5.4. Общее уравнение Шредингера. Уравнение Шредингера для стационарных состояний.
- •5.5. Принцип причинности в квантовой механике.
- •5.6. Движение свободной частицы
- •5.7. Частица в одномерной прямоугольной «потенциальной яме» с бесконечно высокими «стенками».
- •5.8. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннельный эффект
- •5.9. Линейный гармонический осциллятор в квантовой механике.
- •Принцип причинности в квантовой механике.
- •Движение свободной частицы.
- •Тема 6. Элементы зонной теории твердого тела. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций квантовой механики.
- •6.1. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций кванто-вой механики.
- •6.1.1. Современный взгляд на строение и свойства
- •6.1.2. Взгляд на строение атома с позиций квантовой механики.
- •6.2. Элементы зонной теории.
- •6.2.1.Основные положения зонной теории.
- •6.2.2. Волновая функция электрона в периодическом поле.
- •6.2. 3. Зоны Бриллюэна.
- •6.2.4. Методы расчета энергетической структуры кристаллов.
- •6.2.4.1. Приближение сильносвязанных электронов.
- •6.2.4.2. Приближение свободных электронов. Энергетический спектр электронов в прямоугольной потенциальной яме.
- •6.2.4.3. Приближение слабосвязанных электронов.
- •6.2.5. Модель Кронига – Пенни.
- •6.2.6. Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники.
- •Тема 7. Полупроводники. Собственный полупроводник. Генерация и рекомбинация носителей зарядов. Уровень Ферми. Эффективная масса носителя заряда. Примесный полупроводник. Цели и задачи изучения темы:
- •7.1. Полупроводники.
- •7.2.Собственные и примесные полупроводники. Носители заряда в полупроводниках.
- •7.3. Энергия Ферми.
- •7.4. Генерация и рекомбинация носителей зарядов.
- •7.5. Собственная проводимость полупроводника.
- •7.6. Примесные полупроводники.
- •7.6.1. Примесные уровни.
- •7.6.2. Примесная проводимость полупроводников.
- •7.6.3. Полупроводник р-типа.
- •7 .6.4. Сильно легированный полупроводник. Роль беспорядка в кристалле.
- •7.7. Температурная зависимость проводимости примесных полупроводников.
- •7.8. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
- •А плотность дырочного дрейфового тока
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме по теме:
- •Тема 8 . Размерное квантование и квантово-размерные структуры.
- •8.1. Принцип размерного квантования
- •8.2. Условия наблюдения квантовых размерных эффектов.
- •8.3. Структуры с двумерным электронным газом.
- •8.4. Структуры с одномерным электронным газом (квантовые нити).
- •8.5. Структуры с нуль-мерным электронным газом
- •8.6. Структуры с вертикальным переносом.
- •Тема 9. Основные положения термодинамики, механизмы роста пленок и образование зародышей.
- •9.1. Основные понятия термодинамики.
- •9.2. Три начала термодинамики.
- •9.3. Термодинамические потенциалы.
- •9.4. Термодинамическая теория фазовых равновесий.
- •9.4.1. Термодинамические системы.
- •9.4.2. Условия фазового равновесия.
- •9.4.3. Фазовые переходы.
- •9.5. Принцип локального равновесия.
- •9.6. Самоорганизация систем.
- •9.7. Поверхностные явления.
- •9.7.1. Поверхностная энергия.
- •9.7.2. Поверхностное натяжение.
- •9.7.3. Капиллярные явления.
- •9.7.4. Адсорбция, десорбция и испарение с поверхности.
- •9.8. Массоперенос и ионизация на поверхности.
- •9.8.1. Массоперенос и ионизация на поверхности.
- •9.8.2. Межфазные характеристики.
- •9.9. Механизмы роста пленок на реальных подложках.
- •Тема 10. Технология получения, механизмы и режимы роста гетероэпитаксиальных структур.
- •10.1. Гетерогенные процессы формирования наноструктур
- •10.1.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия.
- •10.2. Газовая эпитаксия из металлоорганических соединений.
- •10.3. Метод нанолитографии.
- •10.4. Самоорганизация квантовых точек и нитей.
- •10.4.1. Режимы роста гетероэпитаксиальных структур.
- •10.4.2. Рост наноструктур на фасетированных поверхностях.
- •10.4.3. Трехмерные массивы когерентно-напряженных островков.
- •10.4.4. Поверхностные структуры плоских упругих доменов.
- •1 0.4.5. Структуры с периодической модуляцией состава в эпи-таксиальных пленках твердых растворов полупроводников.
- •1 0.5. Изготовление наноструктур и наноприборов с помощью стм и асм.
- •Тема 11. Методы получения нанообъектов и квантоворазмерных структур.
- •11.1. Коллоидная и золь-гельная технология.
- •11.1.1. Формирование структур на основе коллоидных растворов.
- •11.1.2. Организация и самоорганизация коллоидных структур.
- •11.1.3. Оптические и электронные свойства коллоидных кластеров.
- •11.1.4. Коллоидные кристаллы. Формирование упорядоченных наноструктур.
- •11.1.5. Золь-гель технология.
- •11.1.6. Методы молекулярного наслаивания и
- •11.1.7. Методы получения металлов и диэлектриков.
- •11.2. Методы получения упорядоченных наноструктур. Гетероструктуры.
- •11.2.1. Гетероструктуры – основа получения наноструктур.
- •11.2.2. Формирование полупроводниковых и металлических нановолокон и спиралей.
- •11.2.3 Самоорганизация при эпитаксиальном росте.
- •12.2.3.1. Наногофрированные структуры.
- •11.2.3.2. Самоорганизация гетероэпитаксиальных структур.
- •11.3. Пучковые методы нанолитографии.
- •11.3.1. Литографические методы формирования структур.
- •11.3.2. Оптическая литография.
- •11.3.3. Рентгеновская литография.
- •11.3.4. Электронная литография.
- •11.3.5. Ионная литография.
- •11.3.6. Возможности пучковых методов нанолитографии в наноэлектронике.
- •11.3.7. Нанопечатная литография.
- •11.3.8. Ионный синтез квантовых наноструктур.
- •11.4. Рост на активированных поверхностях. Нановискеры.
- •11.5. Методы зондовой нанотехнологии.
- •11.5.1. Физические основы зондовой нанотехнологии.
- •11.5.2. Контактное формирование нанорельефа.
- •11.5.3. Бесконтактное формирование нанорельефа.
- •11.5.4. Локальная глубинная модификация поверхности.
- •11.5.5. Межэлектродный массоперенос.
- •11.5.6. Локальное анодное окисление.
- •11.5.8. Совместное использование лазера и стм
- •Тема 12. Методы исследования наноматериалов.
- •12.1. Введение.
- •12.2. Методы исследования химического состава поверхности.
- •12.2.1. Масс-спектроскопия.
- •12.2.3. Ионная масс-спектроскопия.
- •12.2.4. Фотоэлектронная спектроскопия.
- •12.2.5. Радиоспектроскопия.
- •12.3. Исследования физической структуры поверхности.
- •12.3.1. Рентгеноструктурный анализ.
- •12.3.2. Рентгеновская спектроскопия и дифракция.
- •1 2.3.2.1. Рассеяние на аморфных и частично упорядоченных объектах. Малоугловое рентгеновское рассеяние.
- •12.3.2.2. Рентгеновская спектроскопия поглощения: exafs, xans, nexafs.
- •12.3.3. Анализ поверхности электронным пучком.
- •12.3.4. Полевая эмиссионная микроскопия.
- •12.3.5. Сканирующая зондовая микроскопия.
- •12.3.5.1. Сканирующая туннельная микроскопия.
- •12.3.5.2. Атомно-силовая микроскопия.
- •12.3.6. Магнито – силовая микроскопия.
- •12.3.7. Электронная микроскопия.
- •12.3.8. Эллипсометрия.
- •12.4. Спектроскопия.
- •12.4.1. Инфракрасная и рамановская спектроскопия.
- •12.4.2. Фотоэмиссия и рентгеновская спектроскопия.
- •12.5. Методы исследования кинетических свойств объема и поверхности наноматериалов и наноструктур.
- •12.5.1. Исследование удельного сопротивления.
- •12.5.2. Диагностика поверхностных состояний.
- •12.5.3. Кинетические параметры.
5.4. Общее уравнение Шредингера. Уравнение Шредингера для стационарных состояний.
Из статистического толкования волн де Бройля и соотношения не-определенностей Гейзенберга следует, что уравнением движения в квантовой механике, описывающим движение микрочастиц в различных силовых полях, должно быть уравнение, из которого бы вытекали наблюдаемые на опыте волновые свойства частиц.
Основное уравнение должно быть уравнением относительно волновой функции Ψ(х,y,z,t), так как именно она, или, точнее, величина |Ψ|2, определяет вероятность пребывания частицы в момент времени t в объеме dV, т. е. в области с координатами х и х + dx, у и у + dy, z и z + dz. Так как искомое уравнение должно учитывать волновые свойства частиц, то оно должно быть волновым уравнением, подобно уравнению, описывающему электромагнит-ные волны. Основное уравнение нерелятивистской квантовой механики сформулировано в 1926 г. Э. Шредингером. Уравнение Шредингера, не выводится, а постулируется. Правильность этого уравнения подтверждается согласием с опытом получаемых с его помощью результатов, что, в свою очередь, придает ему характер закона природы. Уравнение Шредингера имеет вид
(5.4.1)
где
;
т
— масса
частицы;
∆ –оператор
Лапласа (
)
;
i — мнимая единица,
U(x, y,z,t) – потенциальная функция частицы в силовом поле, в котором она движется;
Ψ (х, у, z, t) — искомая волновая функция частицы.
Уравнение (5.4.1) справедливо для любой частицы (со спином, рав-ным 0), движущейся с малой (по сравнению со скоростью света) скоростью, т.е. со скоростью V << c. Оно дополняется условиями, накладываемыми на волновую функцию:
1) волновая функция должна быть конечной, однозначной и непрерывной
2)
производные
должны
быть непрерывны;
3) функция |Ψ2 должна быть интегрируема; это условие в простейших слу-чаях сводится к условию нормировки вероятностей (5.2.4).
Чтобы
прийти к уравнению Шредингера, рассмотрим
свободно движущуюся частицу, которой,
согласно идее де Бройля, сопоставляется
плоская волна. Для простоты рассмотрим
одномерный случай. Уравнение плоской
волны, распространяющейся вдоль оси х,
имеет
вид
или в комплексной записи
.
Следовательно, плоская волна де Бройля имеет вид
(5.4.2)
(учтено,
что
,
).
В квантовой механике показатель
экспоненты берут со знаком « - », но
поскольку физический смысл имеет только
| Ψ |2,
то это несущественно. Тогда
Откуда
(5.4.3)
Используя
взаимосвязь между энергией Е
и
импульсом р
(
)
и подставляя выражения (5.4.3), получим
дифференциальное уравнение
,
которое совпадает с уравнением (5.4.1) для случая U = 0 (мы рассматривали свободную частицу).
Если
частица движется в силовом поле,
характеризуемом потен-циальной энергией
U,
то
полная энергия Е
складывается
из кинетической и потенциальной энергий.
Проводя аналогичные рассуждения и
используя взаимосвязь между Е и
р
(для
данного случая
),
придем
к дифференциальному уравнению,
совпадающему с (5.4.1).
Приведенные рассуждения не должны восприниматься как вывод уравнения Шредингера. Они лишь поясняют, как можно прийти к этому уравнению. Доказательством правильности уравнения Шредингера является согласие с опытом тех выводов, к которым оно приводит.
Уравнение (5.4.1) является общим уравнением Шредингера. Его также называют уравнением Шредингера, зависящим от времени. Для многих физических явлений, происходящих в микромире, уравнение (5.4.1) можно упростить, исключив зависимость Ψ от времени, иными словами, найти урав-нение Шредингера для стационарных состояний — состояний с фикси-рованными значениями энергии. Это возможно, если силовое поле, в котором частица движется, стационарно, т. е. функция U = U(x, у, z) не зависит явно от времени и имеет смысл потенциальной энергии.
В
данном случае решение уравнения
Шредингера может быть представлено в
виде произведения двух функций, одна
из которых есть функция только координат,
другая — только времени, причем
зависимость от времени выражается
множителем
,
так что
(5.4.4)
где Е — полная энергия частицы, постоянная в случае стационарного поля. Подставляя (5.4.4) в (5.4.1), получим
,
откуда
после деления на общий множитель
и
соответствующих преоб-разований придем
к уравнению, определяющему функцию ψ:
(5.4.5)
Уравнение (5.4.5) называется уравнением Шредингера для стационар-ных состояний. В это уравнение в качестве параметра входит полная энергия Е частицы. В теории дифференциальных уравнений доказывается, что подоб-ные уравнения имеют бесчисленное множество решений, из которых по-средством наложения граничных условий отбирают решения, имеющие фи-зический смысл.
Для уравнения Шредингера такими условиями являются условия регулярности волновых функций: волновые функции должны быть конечными, однозначными и непрерывными вместе со своими первыми производными.
Таким образом, реальный физический смысл имеют только такие решения, которые выражаются регулярными функциями ψ. Но регулярные решения имеют место не при любых значениях параметра Е, а лишь при определенном их наборе, характерном для данной задачи. Эти значения энергии называются собственными. Решения же, которые соответствуют собственным значениям энергии, называются собственными функциями. Собственные значения Е могут образовывать как непрерывный, так и дискретный ряд. В первом случае говорят о непрерывном, или сплошном, спектре, во втором — о дискретном спектре.