Питання 11

Вказати співвідношення між струмами в біполярних транзисторах:

а

б

в

г

а) ;

б) ;

в) ;

г) .

Коефіцієнт передачі біполярного транзистора в схемі із загальною базою дорівнює  = 0,95. Розрахувати коефіцієнт передачі для цього транзистора в схемі із загальним емітером - .

а

б

в

г

На нижче приведених графіках 1, 2 і 3 представлені ідеалізовані ВАХ трьох типів діодів. Яким типам діодів вони відповідають?

а

б

в

г

а) 1-Шотткі, 2-германієвий, 3-кремнієвий;

б) 1-германієвий, 2-Шотткі,

3-кремнієвий;

в) 1-кремнієвий, 2-Шотткі,

3-германієвий;

г) 1-кремнієвий, 2-германієвий,

3-Шотткі.

Визначити рухомість електронів (у см²/Вс) в Si n-типу , якщо питома провідність  = 3,610^-6 Ом^-1 см^-1; n = 1,510¹⁰ см^-3; e = 1,610^-19 Кл.

а

б

в

г

При якому значенні прямої напруги (у В) прямий струм діода дорівнює зворотному струму насичення. При Т = 300 К,  2,6  10^-2 В (вважати ln 2  0,7).

а

б

в

г

Дрейфовий струм густиною j = 10 тече через кристал Si p –типа. Питомий опір зразка = 5 Омсм. Знайти швидкість дрейфу носіїв заряду (у см/с), якщо рухомість носіїв  = 0,510³ .

а

б

в

г

Визначити рухливість (у м²/Вс) електронів в Si n – типу, якщо питомий опір = 1,810^-2 Омм, а коефіцієнт Холла R = = 2,110^-3 (вважати е = 1,610^-19 Кл).

а

б

в

г

Дрейфовий струм густиною j = 0,1 А/см² тече через кристал Ge n–типа. Питомий опір зразка = 5 Омсм. За який час (у с) електрони проходять в кристалі відстань 5 мкм, якщо рухомість носіїв _n = 2,510³ см²/Вс.

а

б

в

г

Розрахувати ширину (у Дж) забороненої зони напівпровідника, якщо максимум спектральної фоточутливості приходиться на  = 500 нм (вважати h = 6,6310^-34 Джс, с = 310⁸ м/с).

а

б

в

г

Визначити концентрацію (у м ^-3 )електронів в Si n-типу, якщо коефіцієнт Холла R = 2,110^-3 (вважати е = 1,610^-19Кл).

а

б

в

г

При напрузі U₁ через діод тече відповідний струм I₁. Розрахувати в загальному виді вираз для напруги U₂, якщо при ній струм I₂ збільшується у 2 рази .

а

б

в

г

В нелигованому кристалі Ge концентрація атомів  4,510²⁸ м^-3. При кімнатній температурі один з кожних 210⁹ атомів іонізований. Знайти питому провідність Ge при кімнатній температурі, якщо _n = 0,39 , _p = 0,19 (вважати е = 1,610^-19Кл).

а

б

в

г

Власна концентрація носіїв заряду , рухливість електронів , а дірок . Знайти питому провідність такого напівпровідника. (вважати е = 1,610^-19Кл).

а

б

в

г

Власна концентрація носіїв заряду , рухливість електронів , а дірок . Питомий опір напівпровідника, який був легований акцепторною домішкою складає 0,05 . (вважати е = 1,610^-19Кл). Визначити концентрацію дірок.

а

б

в

г

Транзистор працює в режимі ключа. Значення колекторного живлення , колекторний опір , опір в колі бази . Якому значенню приблизно дорівнює колекторний струм в режимі насичення відкритого транзистора

а

б

в

г