ДНІПРОПЕТРОВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ОЛЕСЯ ГОНЧАРА
Державні іспити для отримання освітньо-кваліфікаційного рівня
бакалавр за напрямом „ Прикладна фізика ”
спеціальності «Радіофізика та електроніка», «Прикладна фізика»(Спеціалізація: Комп’ютерна радіофізика)
Інструкція
1. На виконання тестового завдання відведено 180 хвилин
2. Тест складається із 2 теоретичних питань та 25 тестових завдань
Структура білету
Теоретична частина ( 30 балів)
Перше теоретичне питання – 15 балів
Друге теоретичне питання – 15 балів
Тестова частина ( 70 балів)
Розділ 1 – 5 питань по 2 бали
Розділи 2, 3 – 20 питань по 3 бали
3. Завдання мають тільки ОДНУ ПРАВИЛЬНУ відповідь.
БАЗА ДАНИХ
Перше теоретичне питання
Рівняння Максвела у системі СІ і їх фізична інтерпретація.
Електродинамічний опис відбиття та (або) заломлення плоских електромагнітних хвиль на границях розділу матеріалів з різними електричними властивостями.
Закон збереження енергії в електродинаміці.
Хвильове рівняння в електродинаміці.
Плоскі електромагнітні хвилі і їх властивості. Плоскі гармонічні хвилі. Плоскі неоднорідні хвилі.
Граничні умови у електродинаміці для векторів електромагнітного поля. Граничні умови Леонтовича.
Поляризація електромагнітної хвилі.
Нормовані напруги і токи в НВЧ лініях передачі.
Інтерференція падаючої та відбитої хвиль в лінії передачі з навантаженням.
Закони трансформації коефіцієнту відбиття та опору вздовж лінії передачі.
Шуми та флуктуації в електричних колах.
Шумові характеристики дво- та чотириполюсників.
Спектр добутку та згортки сигналів.
Зв’язок спектрів дискретизованого і безперервного сигналів.
Дискретне перетворення Фур’є та його властивості.
Друге теоретичне питання
Послідовний коливальний контур. Резонанс напруг.
Паралельний контур. Резонанс струму.
Електричні фільтри. Фільтри k–типу, фільтри m–типу.
Кола з розподіленими постійними.
Детектування сигналів.
Перетворення частоти. Супергетеродин.
Переміщення електронів в електронному та магнітному полях.
Концентрація вільних електронів та дірок в зоні провідності та валентній зоні напівпровідника.
Ефективна маса носіїв заряду. Її визначення за допомогою циклотронного резонансу.
Функція розподілу Фермі-Дірака для електронів і дірок.
Дифузійні та дрейфові струми.
Контакт електронного та діркового напівпровідників. ВАХ тонкого р-n переходу. Випрямлення струму в р-n переході.
Контакт вироджених електронного та діркового напівпровідників. Тунельний діод.
Принцип дії біполярного транзистора. Параметри та характеристики біполярного транзистора. Схеми включення та основні параметри біполярних транзисторів.
Польові транзистори з каналом у вигляді р-n переходу.
База тестових питань
Вірні відповіді містяться в позиції а)
Розділ 1
Питання 1
|
|
Ефект Зеєбека полягає: |
|
а |
б |
в |
г |
а) у виникненні ЕРС у ланцюзі з біметалічними з'єднаннями при різній температурі злютів (спаїв); |
||||||
б) у висиланні електронів при нагріванні металу у вакуумі; |
||||||
в) у виникненні електричних зарядів на гранях деяких кристалів при підвищенні температури; |
||||||
г) в оптичному випромінюванні при підвищенні температури фізичного об'єкта. |
|
|
Піроелектричний ефект полягає: |
|
а |
б |
в |
г |
а) у виникненні електричних зарядів на гранях деяких кристалів при підвищенні температури; |
||||||
б) у висиланні електронів при нагріванні металу у вакуумі; |
||||||
в) у виникненні ЕРС у ланцюзі з біметалічними з'єднаннями при різній температурі злютів (спаїв); |
||||||
г) в оптичному випромінюванні при підвищенні температури фізичного об'єкта. |
|
|
Електротермічний ефект Пельт’є полягає: |
|
а |
б |
в |
г |
а) у поглинанні або генерації теплової енергії при електричному струмі в ланцюзі з біметалічними з'єднаннями; |
||||||
б) у виникненні ЕРС у ланцюзі з біметалічними з'єднаннями при різній температурі злютів (спаїв); |
||||||
в) у виникненні електричних зарядів на гранях деяких кристалів при підвищенні температури; |
||||||
г) у генерації або поглинанні теплової енергії в електричному ланцюзі з однорідного матеріалу при різних температурах ділянок ланцюга. |
|
|
Електротермічний ефект Томсона полягає: |
|
а |
б |
в |
г |
а) у генерації або поглинанні теплової енергії в електричному ланцюзі з однорідного матеріалу при різних температурах ділянок ланцюга; |
||||||
б) у поглинанні або генерації теплової енергії при електричному струмі в ланцюзі з біметалічними з'єднаннями; |
||||||
в) у виникненні електричних зарядів на гранях деяких кристалів при підвищенні температури; |
||||||
г) у виникненні ЕРС у ланцюзі з біметалічними з'єднаннями при різній температурі злютів (спаїв). |
|
|
Фотогальванічний ефект полягає: |
|
а |
б |
в |
г |
а) у появі вільних електронів і позитивних дірок (у виникненні ЕРС) при опроміненні світлом p-n переходу; |
||||||
б) у зміні електричного опору напівпровідника при його опроміненні світлом; |
||||||
в) у розщепленні спектральних ліній при проходженні світла в магнітному полі; |
||||||
г) у виникненні в речовині світлового випромінювання, відмінного за спектром від вихідного монохроматичного. |
|
|
Ефект Допплера полягає: |
|
а |
б |
в |
г |
а) у зміні частоти при взаємному переміщенні об'єктів у порівнянні із частотою, коли ці об'єкти нерухомі; |
||||||
б) у появі різниці потенціалів на гранях сегнетоелектрика, що перебуває під тиском; |
||||||
в) у деформації феромагнітного тіла, поміщеного в магнітне поле; |
||||||
г) у збільшенні електричного опору твердого тіла в магнітному полі. |
|
|
Ефект фотопровідності полягає: |
|
а |
б |
в |
г |
а) у зміні електричного опору напівпровідника при його опроміненні світлом; |
||||||
б) у появі вільних електронів і позитивних дірок (у виникненні ЕРС) при опроміненні світлом p-n переходу; |
||||||
в) у розщепленні спектральних ліній при проходженні світла в магнітному полі; |
||||||
г) у виникненні в речовині світлового випромінювання, відмінного за спектром від вихідного монохроматичного. |
|
|
Ефект Зеємана полягає: |
|
а |
б |
в |
г |
а) у розщепленні спектральних ліній при проходженні світла в магнітному полі; |
||||||
б) у виникненні в речовині світлового випромінювання, відмінного за спектром від вихідного монохроматичного; |
||||||
в) у зміні електричного опору напівпровідника при його опроміненні світлом; |
||||||
г) у появі вільних електронів і позитивних дірок (у виникненні ЕРС) при опроміненні світлом p-n переходу. |
|
|
Ефект Рамана або комбінаційне розсіювання світла полягає: |
|
а |
б |
в |
г |
а) у виникненні в речовині світлового випромінювання, відмінного за спектром від вихідного монохроматичного; |
||||||
б) у появі вільних електронів і позитивних дірок (у виникненні ЕРС) при опроміненні світлом p-n переходу; |
||||||
в) у зміні електричного опору напівпровідника при його опроміненні світлом; |
||||||
г) у розщепленні спектральних ліній при проходженні світла в магнітному полі. |
|
|
Ефект Поккельса полягає: |
|
а |
б |
в |
г |
а) у розщепленні світлового променя на звичайний і незвичайний при проходженні через п'єзокристал, до якого прикладена електрична напруга в перпендикулярному променю напрямку; |
||||||
б) у появі вільних електронів і позитивних дірок (у виникненні ЕРС) при опроміненні світлом p-n переходу; |
||||||
в) у розщепленні спектральних ліній при проходженні світла в магнітному полі; |
||||||
г) у виникненні в речовині світлового випромінювання, відмінного за спектром від вихідного монохроматичного. |
|
|
Ефект Керра полягає: |
|
а |
б |
в |
г |
а) у розщепленні світлового променя на звичайний і незвичайний в ізотропній речовині, до якої прикладена електрична напруга в перпендикулярному променю напрямку; |
||||||
б) у розщепленні спектральних ліній при проходженні світла в магнітному полі; |
||||||
в) у виникненні в речовині світлового випромінювання, відмінного за спектром від вихідного монохроматичного; |
||||||
г) у появі вільних електронів і позитивних дірок (у виникненні ЕРС) при опроміненні світлом p-n переходу. |
|
|
Ефект Фарадея полягає: |
|
а |
б |
в |
г |
а) у повороті площини поляризації лінійно поляризованого світлового променя, що проходить через парамагнітну речовину, яка розміщена в магнітному полі; |
||||||
б) у розщепленні спектральних ліній при проходженні світла в магнітному полі; |
||||||
в) у виникненні в речовині світлового випромінювання, відмінного за спектром від вихідного монохроматичного; |
||||||
г) у розщепленні світлового променя на звичайний і незвичайний в ізотропній речовині, до якої прикладена електрична напруга в перпендикулярному променю напрямку. |
|
|
Ефект Холу полягає: |
|
а |
б |
в |
г |
а) у виникненні різниці потенціалів на гранях твердого тіла при пропущенні через нього електричного струму й прикладання магнітного поля перпендикулярно напрямку електричного струму; |
||||||
б) у виникненні в речовині світлового випромінювання, відмінного за спектром від вихідного монохроматичного; |
||||||
в) у розщепленні світлового променя на звичайний і незвичайний в ізотропній речовині, до якої прикладена електрична напруга в перпендикулярному променю напрямку; |
||||||
г) у повороті площини поляризації лінійно поляризованого світлового променя, що проходить через парамагнітну речовину, яка розміщена в магнітному полі. |
|
|
Ефект магнітострикції полягає: |
|
а |
б |
в |
г |
а) у деформації феромагнітного тіла, поміщеного в магнітне поле; |
||||||
б) у збільшенні електричного опору твердого тіла в магнітному полі; |
||||||
в) у розщепленні світлового променя на звичайний і незвичайний в ізотропній речовині, до якої прикладена електрична напруга в перпендикулярному променю напрямку; |
||||||
г) у повороті площини поляризації лінійно поляризованого світлового променя, що проходить через парамагнітну речовину, яка розміщена в магнітному полі. |
|
|
П'єзоелектричний ефект полягає: |
|
а |
б |
в |
г |
а) у появі різниці потенціалів на гранях сегнетоелектрика, що перебуває під тиском; |
||||||
б) у розщепленні світлового променя на звичайний і незвичайний в ізотропній речовині, до якої прикладена електрична напруга в перпендикулярному променю напрямку; |
||||||
в) у деформації феромагнітного тіла, поміщеного в магнітне поле; |
||||||
г) у збільшенні електричного опору твердого тіла в магнітному полі. |