• •
• •
•
• •
•
• •
• •
Электронная проводимость обусловлена движением электронов в межатомном пространстве.
Дырочная проводимость обусловлена перемещением валентных электронов между оболочками соседних атомов.
проводимость
Донорные –
увеличивают число электронов в
полупроводнике, т.к. валентность больше.
Полупроводник
n
- типа
примеси
Акцепторные –
увеличивают число дырок в полупроводнике,
т.к. валентность меньше.
• •
• • •
• • •
•
• • •
• • •
• •
Полупроводник р - типа
р – n переход
р – n переход это контактный слой, возникающий
в месте спая полупроводников разного типа и
обладающий большим сопротивлением
(запирающий слой).
(толщина слоя 10-7м – 10-8м, напряженность контактного поля 105 В/м)
П
Диод
–
прибор работающий на свойстве р
– n перехода
(односторонней
проводимости)
+ _ Е внеш
Диод открыт
+ -
Е внеш
_ +
Диод закрыт
Транзистор
( триод) – прибор с двумя р – n
переходами и тремя выводами для
подключения.
К
Б
Э
Б – база, тонкий слой с небольшой
концентрацией примесей (регулирует
ток)
К – коллектор, обладает небольшим
числом примесей, имеет наименьшую
площадь контакта с базой (перехватывает
поток носителей заряда)
Э – обладает высокой концентрацией
заряда (источник свободных зарядов)
Э Б К
олупроводниковые
приборы:
Термисторы- приборы работающие на способности п/проводников уменьшать сопротивление при увеличении температуры.
Е К
ЕЭ R
- + - +
Ток в коллекторной цепи увеличивается