27. При зворотньому включенні р-п переходу небезпечним є:

    • Перевищення струмом величини Ізв, що веде до теплового пробою переходу;

    • Перевищення напругою величини Uзв, що веде до електричного пробою переходу;

    • Перевищення струмом величини Ізвmax, що веде до теплового пробою переходу;

    • Перевищення напругою величини Uзвmax, що веде до електричного пробою переходу.

28. При збільшенні частоти властивості р-п переходу погіршуються :

    • У випадку прямого включення внаслідок впливу дифузійної ємності переходу;

    • У випадку зворотнього включення внаслідок впливу дифузійної ємності переходу;

    • У випадку прямого включення внаслідок впливу барєрної ємності переходу;

    • У випадку зворотнього включення внаслідок впливу барєрної ємності переходу.

29. При збільшенні температури властивості р-п переходу погіршуються :

    • У випадку прямого включення внаслідок збільшення концентрації основних носіїв зарядів;

    • У випадку зворотнього включення внаслідок збільшення концентрації основних носіїв зарядів;

    • У випадку зворотнього включення внаслідок збільшення концентрації неосновних носіїв зарядів;

    • У випадку прямого включення внаслідок збільшення концентрації неосновних носіїв зарядів.

30. Контакт метал-напівпровідник п-типу при Ам>Ап :

    • Буде являти собою контакт з односторонньою провідністю;

    • Буде являти собою омічний контакт;

    • Буде являти собою гетероперехід;

31. Контакт метал-напівпровідник п-типу при Ам<Ап :

    • Буде являти собою контакт з односторонньою провідністю;

    • Буде являти собою омічний контакт;

    • Буде являти собою гетероперехід

32. Яка особливість переходу Шотткі? :

    • Відсутність інжекції неосновних носіїв зарядів;

    • Відсутність інжекції неосновних носіїв зарядів, внаслідок чого відсутня дифузійна ємність та значно меньше значення падіння напруги на переході;

    • Відсутність інжекції неосновних носіїв зарядів, внаслідок чого відсутня дифузійна ємність, що значно покращує частотні властивості переходу, а, також значно меньше значення падіння напруги на переході.

33. Фотопровідність напівпровідників це:

    • Величина провідності напівпровідника, який освітлюється джерелом світла;

    • Збільшення електропровідності напівпровідника під дією електромагнітного випромінювання;

    • Збільшення електропровідності напівпровідника під дією електромагнітного випромінювання при умові, що енергія кванта більша за ширину забороненої зони напівпровідника;

    • Збільшення електропровідності напівпровідника під дією електромагнітного випромінювання при умові, що енергія кванта меньша за ширину забороненої зони напівпровідника.

34. Явище фотопровідності використовується в:

    • фоторезисторах;

    • фоторезисторах, фотодіодах, фототранзисторах та ін.;

    • фотодіодах, фототранзисторах та ін.;

    • фоторезисторах, резисторних оптопарах.

35. Явище фотоефекту використовується в:

    • Фоторезисторах;

    • фоторезисторах, фотодіодах, фототранзисторах та ін.;

    • фотодіодах, фототранзисторах та ін.;

    • фоторезисторах, резисторних оптопарах.

36. Які параметри діода відносяться до граничних:

    • Іпрмакс, Uпрмакс, fмакс, Ізвмакс, Uзвмакс, Рмакс;

    • Іпрмакс, fмакс, Ізвмакс, Рмакс;

    • Іпрмакс, fмакс, Uзвмакс, Рмакс.;

    • Іпрмакс, Uзвмакс, Рмакс.

37. Які з приведених нижче параметрів відповідають параметрам стабілітрона?

    • Іпрмакс, Uпрмакс, Істмін, Істмакс, Rдин, Рмакс, Uстмакс;

    • Істмін, Істмакс, Rдин, Uстмакс, Рмакс;

    • Істмін, Істмакс, Rдин, Uстмін, Uстмакс, Рмакс;

    • Істмін, Істмакс, Rдиф, Uстмін, Uстмакс, Рмакс.

38. Як буде вести себе трьохшарова напівпровідникова структура у випадку, якщо особливості будови біполярного транзистора не будуть виконані?

    • Буде виконувати підсилювальні функції, але в меньшій мірі;

    • Не буде зовсім виконувати підсилювальних функцій, буде являти собою два діода із загальним анодом (катодом);

    • Зможе виконувати функцію діода;

    • Не зможе виконувати ніяких функцій.

39. В основі принципу роботи біполярного транзистора:

    • є робота емітерного р-п переходу при прямому включенні;

    • є робота колекторного р-п переходу при зворотньому включенні;

    • є робота емітерного р-п переходу при прямому, а колекторного - при зворотньому включенні;

    • є робота колекторного р-п переходу при прямому, а емітерного - при зворотньому включенні;

40. В якій схемі включення біполярного транзистора можна отримати найбільше значення коефіцієнту підсилення по потужності?

    • Із спільною базою;

    • Із спільним емітером;

    • Із спільним колектором;

    • Із спільним емітером та спільною базою;

41. В якій схемі включення біполярного транзистора можна отримати найбільше значення коефіцієнту підсилення по струму?

    • Із спільною базою;

    • Із спільним емітером;

    • Із спільним колектором;

    • Із спільним емітером та спільним колектором;

42. В якій схемі включення біполярного транзистора можна отримати найбільше значення коефіцієнту підсилення по напрузі?

    • Із спільною базою;

    • Із спільним емітером;

    • Із спільним колектором;

    • Із спільним емітером та спільною базою;

43. Вибрати із списку ту послідовність схем включення біполярного транзистора при якій вхідний опір буде збільшуватись?

    • СЕ, СБ, СК;

    • СБ, СК. СЕ;

    • СК, СЕ. СБ;

    • СБ. СЕ. СК.

44. Символом „β” позначається:

    • Коефіцієнт передачі струму в схемі включення із спільною базою;

    • Коефіцієнт передачі струму в схемі включення із спільним емітером;

    • h_12e;

    • h_12б.

45. Символом „α” позначається:

    • Коефіцієнт передачі струму в схемі включення із спільною базою;

    • Коефіцієнт передачі струму в схемі включення із спільним емітером;

    • h_12e;

    • h_12б.

46. Функція Iе = f(Uбе ) при Uке - const:

    • Є вхідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним емітером;

    • Є вхідною статичною характеристикою для схеми включення із спільною базою;

    • Є вхідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним колектором;

    • Такий вираз не існує.

47. Функція Iе = f(Uбе ) при Uкб - const:

    • Є вхідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним емітером;

    • Є вхідною статичною характеристикою для схеми включення із спільною базою;

    • Є вхідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним колектором;

    • Такий вираз не існує.

48. Функція Iб = f(Uбе ) при Uке - const:

    • Є вхідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним емітером;

    • Є вхідною статичною характеристикою для схеми включення із спільною базою;

    • Є вхідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним колектором;

    • Такий вираз не існує.

49. Функція Iб = f(Uбе ) при Uкб - const:

    • Є вхідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним емітером;

    • Є вхідною статичною характеристикою для схеми включення із спільною базою;

    • Є вхідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним колектором;

    • Такий вираз не існує.

50. Функція Iк = f(Uке ) при Іе - const:

    • Є вихідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним емітером;

    • Є вихідною статичною характеристикою для схеми включення із спільною базою;

    • Є вихідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним колектором;

    • Такий вираз не існує.

51. Функція Iк = f(Uке ) при Іб - const:

    • Є вихідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним емітером;

    • Є вихідною статичною характеристикою для схеми включення із спільною базою;

    • Є вихідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним колектором;

    • Такий вираз не існує.

52. Функція Iк = f(Uкб ) при Іе - const:

    • Є вихідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним емітером;

    • Є вихідною статичною характеристикою для схеми включення із спільною базою;

    • Є вихідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним колектором;

    • Такий вираз не існує.

53. Функція Iк = f(Uкб ) при Іб - const:

    • Є вихідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним емітером;

    • Є вихідною статичною характеристикою для схеми включення із спільною базою;

    • Є вихідною статичною характеристикою для схеми включення із спільним колектором;

    • Такий вираз не існує.

54. Для визначення напруги Uке та струму Ік при певному значенні струму бази необхідно мати:

    • Множину вихідних статичних характеристик для схеми включення із спільним емітером;

    • Множину вихідних статичних характеристик та множину вхідних статичних характеристик для схеми включення із спільним емітером;

    • Множину вихідних статичних характеристик для схеми включення із спільним емітером та навантажувальну пряму;

    • Множину вихідних статичних характеристик та множину вхідних статичних характеристик для схеми включення із спільним емітером та навантажувальну пряму.

55. Вхідним опором для схеми включення із спільним емітером являється:

    • h_12e;

    • h₁₁;

    • h_11e;

    • h_22е.

56. Вихідним опором для схеми включення із спільним емітером являється:

    • h_22e;

    • h_21е;

    • h_11e;

    • такого параметру немає.

57. h_12e - це:

    • Вхідний опір для схеми включення із спільним емітером;

    • Коефіцієнт передачі по напрузі для схеми включення із спільним емітером;

    • Коефіцієнт зворотнього звязку для схеми включення із спільним емітером;

    • Коефіцієнт передачі по струму для схеми включення із спільним емітером;

58. Вихідною провідністю для схеми включення із спільним емітером являється:

    • h_22e;

    • h_21е;

    • h_11e;

    • Такого параметру немає.

59. Який з приведених нижче параметрів біполярного транзистора приводиться в довідниковій літературі?

    • h_12e;

    • h₂₁;

    • h_11e;

    • h_21е.

60. Які з приведених нижче параметрів біполярного транзистора є основними та приводиться в довідниковій літературі?

    • h_21e, Uке, Ік,Іе, Uкб, Uеб, fгр,Рмакс;

    • h_21, Uке, Ік,Іе, Іб, Uкб, Uеб, fгр,Рмакс;

    • Uке, Ік, Uкб, Uеб, fгр,Рмакс;

    • h_21е, Uке, Ік, Uкб, Uеб, fгр,Рмакс_,.

61. При збільшенні частоти:

    • Відбувається зсув по фазі між струмом емітера та струмом колектора,;

    • Зменьшується коефіцієнт передачі „α”;

    • Зменьшується коефіцієнт передачі „β”;

    • Відбувається зсув по фазі між струмом емітера та струмом колектора, зменьшується коефіцієнт передачі „α” або „β”.

62. Що найбільше впливає на роботу транзистора при збільшенні температури?

    • Збільшення струму колектора Ік ;

    • Збільшення струму колектора Ік та струму бази Іб;

    • Збільшення струму Ікбз;

    • Збільшення струму бази Іб.

63. Біполярний транзистор знаходиться в режимі відсіку. В якому стані знаходяться емітерний та колекторний р-п переходи?

    • ЕП – пряме, КП – звор.;

    • ЕП – пряме, КП – пряме;

    • ЕП – звор, КП – звор;

    • ЕП – звор, КП – пряме .

64. Які з приведених нижче параметрів польового транзистора є основними та приводиться в довідниковій літературі?

    • Uвідс, Іс, S, Uвс, fгр, Рмакс;

    • Uвідс, Іс, S, Rвих, fгр, Рмакс;

    • Uвідс, Іс, S, Uвс, Rвих,fгр, Рмакс;

    • Uвідс(Uпор), Іс, S, Uвс, fгр, Rвих, Рмакс

65. Які з приведених нижче параметрів польового транзистора є граничними?

    • Uвідс, Іс, Uвс, fгр, Рмакс;

    • Uвідс, Uвз, Іс, S, Rвих, fгр, Рмакс;

    • Uвз, Іс, Uвс, fгр, Рмакс;

    • Uвз, Іс, Uвс, Рмакс

66. У яких з приведених нижче польових транзисторів можна змінювати полярність напруги витік-затвор?

    • З р-п переходом, та МДН з вбудованим каналом;

    • З р-п переходом;

    • МДН з вбудованим каналом;

    • У всіх МДН транзисторів.

67. У яких з приведених нижче польових транзисторів не можна змінювати полярність напруги витік-затвор?

    • З р-п переходом, та МДН з вбудованим каналом;

    • З р-п переходом та МДН з індукованим каналом;

    • МДН з вбудованим каналом;

    • У всіх МДН транзисторів.

68. Стоко-затворна характеристика польового транзистора – це залежність:

    • Iс = f(Uвз ) при Із - const;

    • Iс = f(Uвз ) при Uвс - const;

    • Iс = f(Uвс ) при Uвз - const;

    • Iс = f(Uвз ) при ΔUвс - const.

69. Стокова характеристика польового транзистора – це залежність:

    • Iс = f(Uвз ) при Із - const;

    • Iс = f(Uвз ) при Uвс - const;

    • Iс = f(Uвс ) при Uвз - const;

    • Iс = f(Uвз ) при ΔUвс - const.

70. В якому пункті найбільш повно розкриті переваги польових транзисторів?

    • Високий вхідний опір, малий рівень власних шумів, висока стійкість проти впливу радіоактивних випромінювань;

    • Високий вхідний опір, малий рівень власних шумів, висока стійкість проти впливу радіоактивних випромінювань, краща стійкість до впливу температури, можливість забезпечення високої щільності розміщення елементів;

    • Високий вхідний опір, малий рівень власних шумів, висока стійкість проти впливу радіоактивних випромінювань, відсутність впливу на їх роботу потужних електричних полів;

    • Високий вхідний опір, малий рівень власних шумів, висока стійкість проти впливу радіоактивних випромінювань, відсутність впливу на їх роботу потужних електричних полів, можливість роботи в ключовому режимі.

71. Скільки виводів має діністор?

    • 2;

    • 3;

    • 4;

    • 5.

72. Скільки виводів має тірістор?

    • 2;

    • 3;

    • 4;

    • 5.

73. Скільки виводів має симістор?

    • 2;

    • 3;

    • 5;

    • 7.

74. Який з приведених приладів може регулювати напругу змінного струму?

    • діністор;

    • тірістор;

    • симістор;

    • два симістора.

75. Основою вольтамперної характеристики діністора, тірістора, симістора являється:

    • Пряма вітка вольтамперної характеристики діода;

    • Зворотня вітка вольтамперної характеристики діода;

    • Зворотня вітка вольтамперної характеристики стабілітрона;

    • Пряма вітка вольтамперної характеристики тунельного діода.

76. В основі принципу роботи фоторезисторів лежить:

    • Явище фотопровідності р-п переходу;

    • Явище фотоефекту в р-п переході;

    • Явище фотопровідності напівпровідників;

    • Явище фотопровідності резисторів.

77. В основі принципу роботи фотодіодів лежить:

    • Явище фотопровідності р-п переходу;

    • Явище фотоефекту в р-п переході;

    • Явище фотопровідності напівпровідників;

    • Явище фотопровідності діодів.

78. В основі принципу роботи світлодіодів лежить:

    • Явище виділення енергії в напівпровіднику при включенні його в електричне коло;

    • Явище виділення енергії в напівпровідниках при рекомбінації носіїв зарядів при умові прямого включення р-п переходу;

    • Явище виділення енергії в напівпровідниках при рекомбінації носіїв зарядів при умові зворотнього включення р-п переходу;

    • Явище фотоефекту в р-п переході..

79. Для яких з нижчеприведених приладів робочим включенням є зворотнє?

    • Діністор та стабілітрон;

    • Стабілітрон, фотодіод та варікап;

    • Стабілітрон, варікап та тунельний діод;

    • Діністор, стабілітрон та тунельний діод..

80. Які з нижчеприведених приладів можуть забезпечувати комутацію електричних ланцюгів?

    • Вимикачі, перемикачі та зєднувачі;

    • Вимикачі, перемикачі, зєднувачі, діоди та транзистори;

    • Вимикачі, перемикачі, зєднувачі, транзистори,діністори;

    • Правильний перший та третій варіант.

81. Які основні параметри комутаційних пристроїв? Вкажіть найбільш повний варіант.

    • Iком, Uком, R, L, С, термін служби(кількість комутацій);

    • Рком, Uком, R, L, С, термін служби(кількість комутацій);

    • Iком, Uком, R, L, С, Uпроб, термін служби(кількість комутацій);

    • Правильний перший та другий варіант.

82. На корпусі резистора написано М10К, повний запис позначення буде мати вигляд:

    • Резистор опором 10М ±10%;

    • Резистор опором 10МОм ±10%;

    • Резистор опором 100кОм ±10%;

    • С2-23-0,125-100кОм ±10%, ТУ

83. На корпусі резистора написано 1К6М, повний запис позначення буде мати вигляд:

    • Резистор опором 16К ±10%,ТУ;

    • Резистор опором 16кОм ±20%, ТУ;

    • Резистор опором 1,6кОм ±20%,ТУ;

    • С2-23-0,125-1,6кОм±20%, ТУ

84. Як встановлюють величини опорів, потужностей, відхилень опорів резисторів при їх виготовленні:

    • Згідно встановленим стандартами рядами опорів, потужностей, відхилень;

    • Будь-які значення за бажанням замовників;

    • Згідно встановленим стандартами рядами опорів, потужностей, відхилень і з урахуванням бажань замовників;

    • Правильна перша та третя відповідь.

85. Що означає запис НР1-1-1-12-1кОм±10%ТУ?

    • Що це набір дротових резисторів типу НР1-1-1 опором 1кОм, які мають відхилення ±10% ;

    • Що це набір резисторів, який складається із 12 недротових резисторів типу НР1-1, включених за першою типовою схемою опором 1кОм, і які мають відхилення ±10% та виконані згідно заданим технічним умовам;

    • Що це набір із 12 недротових резисторів типу НР1-1-1 опором 1кОм, які мають відхилення ±10% та виконані згідно заданих технічних умов;

    • Що це набір резисторів типу НР1-1, який складається із 12 недротових резисторів, включених за першою типовою схемою, опором 1кОм, які мають відхилення ±10% та відповідають вказаним технічним умовам.

86. Який з приведених записів відповідає неполярному керамічному конденсатору?

    • К15-5 –Н90-1500В-3300пФ ±20%,ТУ;

    • К15-5 –Н90-3300пФ ±20%,ТУ;

    • К53-19а-10мкФ-16В±20%,ТУ;

    • К53-19а-16В-10мкФ-±20%,ТУ

87. Який з приведених записів відповідає полярному електролітичному конденсатору?

    • К15-5 –Н90-1500В-3300пФ ±20%,ТУ;

    • К53-19а-10мкФ-16В±20%,ТУ;

    • К53-19а-16В-10мкФ-±20%,ТУ

    • Ні один.

88. Який з приведених записів відповідає полярному оксиднонапівпровідниковому конденсатору?

    • К15-5 –Н90-1500В-3300пФ ±20%,ТУ;

    • К53-19а-10мкФ-16В±20%,ТУ;

    • К53-19а-16В-10мкФ-±20%,ТУ

    • Ні один.

89. Що означають цифри, як вказуються в позначенні типу конденсатора після букви „К”?

    • Матеріал, з якого виготовлений конденсатор;

    • Різновидність застосованого діелектрика;

    • Матеріал, з якого виготовлений конденсатор та робочу напругу

    • Ні один із вказаних варіантів не підходить для відповіді.

90. Які напрямки техніки відносяться до мікроелектроніки?

    • Створення гібридних мікросхем та напівпровідникових мікросхем;

    • Створення напівпровідникових мікросхем та функціональних пристроїв;

    • Створення гібридних мікросхем та функціональних пристроїв;

    • Охоплює функції, вказані в усіх трьох варіантах

91. Скільки транзисторів має процесор Pentium III?

    • < 1млн;

    • 2...3млн;

    • 5...6млн;

    • 9…10млн.

92. Основними елементами гібридної мікросхеми є:

    • Підложка, навісні безкорпусні напівпровідникові прилади, корпус;

    • Пасивна частина, навісні мініатюрні пасивні елементи, корпус;

    • Підложка, навісні безкорпусні напівпровідникові прилади, навісні мініатюрні пасивні елементи, корпус;

    • Все враховано в першому та другому варіантах.

93. Пасивна частина гібридної мікросхеми є:

    • Підложка, провідники, контактні площадки, резистори, конденсатори, корпус;

    • Підложка, провідники, контактні площадки, резистори, конденсатори, індуктивності;

    • Підложка, провідники, контактні площадки, резистори;

    • Все враховано в першому та другому варіантах.

94. Які з приведених операцій використовуються при виробництві гібридних мікросхем: 1: аналіз принципової схеми, 2: розробка топології, 3: виготовлення фотошаблонів, 4: виготовлення фотошаблонів та масок, 5: нанесення плівкових пасивних елементів, 6: нанесення плівкових пасивних елементів та установка дискретних елементів, 7: конструктивне оформлення, 8: дифузія, 9: епітаксія?

    • 1, 2, 4, 5, 7, 8;

    • 1, 2, 3, 4, 5, 7, 9;

    • 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7;

    • 1, 2, 4, 6, 7.

95. Які з приведених операцій використовуються при виробництві напівпровідникових мікросхем: 1: аналіз принципової схеми, 2: розробка топології, 3: виготовлення фотошаблонів, 4: виготовлення фотошаблонів та масок, 5: нанесення плівкових пасивних елементів, 6: нанесення плівкових пасивних елементів та установка дискретних елементів, 7: конструктивне оформлення, 8: дифузія, 9: епітаксія?

    • 1, 2, 4, 5, 7, 8;

    • 1, 2, 3, 4, 5, 7, 9;

    • 1, 2, 4, 8, 9;

    • 1, 2, 4, 6, 7.

96. Які з приведених оптопар можуть працювати в ланцюгах тільки постійного струму: 1: резисторні, 2: діодні, 3: транзисторні, 4: тірісторні?

    • 1, 2, 3;

    • 1, 2, 3, 4;

    • 2, 3;

    • 2, 3, 4.

97. Які з приведених оптопар можуть працювати в ланцюгах змінного струму: 1: резисторні, 2: діодні, 3: транзисторні, 4: тірісторні?

    • 1, 2, 3;

    • 1, 2, 3, 4;

    • 1, 4;

    • 2, 3, 4.

98. Які з приведених оптопар можуть працювати в ланцюгах постійного та змінного струму: 1: резисторні, 2: діодні, 3: транзисторні, 4: тірісторні?

    • 1, 2, 3;

    • 1, 2, 3, 4;

    • 1, 2, 4;

    • 1, 4

99. Яка величина напруги живлення ТТЛ мікросхем – 1: 5...6В, 2: -5...-7В, 3: 9...10В, 4: 3...5В

    • 1;

    • 2;

    • 3;

    • 4.

100. Яка величина напруги живлення ЕЗЛ мікросхем – 1: 5...6В, 2: -5...-7В, 3: 9...10В, 4: 3...5В

     • 1;

     • 2;

     • 3;

     • 4.

101. Яка величина напруги живлення МДН (КМДН) мікросхем – 1: 5...6В, 2: -5...-7В, 3: 9...10В, 4: 3...5В

     • 1;

     • 2;

     • 3;

     • 1,3.

102. На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• Напівпровідникового випрямного діода;

• Високочастотного діода;

• Обидва варіанти правильні;

• Обидва варіанти неправильні.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• стабілітрона;

• тунельного діода;

• оберненого діода;

• варікапа.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• стабілітрона;

• тунельного діода;

• оберненого діода;

• варікапа.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• стабілітрона;

• тунельного діода;

• оберненого діода;

• варікапа.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• Двохкатодного стабілітрона;

• тунельного діода;

• оберненого діода;

• двоханодного стабілітрона.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• стабілітрона;

• двоанодного стабілітрона;

• оберненого діода;

• діода Шоткі.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• фотодіода;

• світлодіода;

• фотодіністора;

• всі варіанти неправильні.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• стабілітрона;

• тунельного діода;

• оберненого діода;

• діністора.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• оберненого діода;

• діністора;

• діністора з управлінням по аноду;

• тірістора з управлінням по аноду.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• оберненого діода;

• діністора;

• діністора з управлінням по катоду;

• тірістора з управлінням по катоду.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• симістора;

• діністора;

• діністора з управлінням по аноду;

• тірістора з управлінням по аноду.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• Біполярного транзистора структури п-р-п;

• Біполярного транзистора структури р-п-р;

• польового транзистора;

• всі варіанти неправильні.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• Біполярного транзистора структури п-р-п;

• Біполярного транзистора структури р-п-р;

• польового транзистора;

• всі варіанти неправильні.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• Польового транзистора з вбудованим каналом р-типу;

• Польового транзистора з р-п переходом та каналом р-типу;

• Польового транзистора з р-п переходом та каналом п-типу;

• Польового транзистора з вбудованим каналом п-типу.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• Польового транзистора з вбудованим каналом р-типу без вивода від основи;

• Польового МДН транзистора з вбудованим каналом р-типу;

• Польового МДН транзистора з індукованим каналом п-типу без вивода від основи;

• Польового МДН транзистора з індукованим каналом р-типу без вивода від основи.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• Польового транзистора з вбудованим каналом р-типу без вивода від основи;

• Польового МДН транзистора з вбудованим каналом р-типу;

• Польового МДН транзистора з індукованим каналом п-типу без вивода від основи;

• Польового МДН транзистора з індукованим каналом р-типу без вивода від основи.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• Польового транзистора з вбудованим каналом р-типу без вивода від основи;

• Польового МДН транзистора з вбудованим каналом р-типу;

• Польового МДН транзистора з індукованим каналом п-типу без вивода від основи;

• Польового МДН транзистора з вбудованим каналом р-типу без вивода від основи.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• Польового транзистора з вбудованим каналом р-типу без вивода від основи;

• Польового МДН транзистора з вбудованим каналом р-типу;

• Польового МДН транзистора з вбудованим каналом п-типу без вивода від основи;

• Польового МДН транзистора з вбудованим каналом р-типу без вивода від основи.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• Польового МДН транзистора з індукованим каналом п-типу з виводом від основи;

• Польового МДН транзистора з вбудованим каналом п-типу;

• Польового МДН транзистора з вбудованим каналом п-типу з виводом від основи;

• Польового МДН транзистора з вбудованим каналом р-типу з виводом від основи.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• фоторезистора;

• фотодіода;

• резистора;

• всі варіанти неправильні.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• фоторезистора;

• фотодіода;

• діода;

• всі варіанти неправильні.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• фотодіністора;

• фототріака;

• фототірістора;

• другий та третій варіанти правильні.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• фототранзистора;

• фототранзистора структури п-р-п;

• фототранзистора структури р-п-р;

• перший та третій варіанти правильні.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• Діодної оптопари;

• Діодної фототопари;

• Тірісторної оптопари;

• Діністорної оптопари.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• Діодної оптопари;

• Діодної фототопари;

• Тірісторної оптопари;

• Діністорної оптопари.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• Діодної оптопари;

• Діодної фототопари;

• Резисторної оптопари;

• Резисторної фотопари.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• транзисторної оптопари;

• фототранзисторної фототопари;

• транзисторної оптопари з виводом від бази;

• перший та третій варіанти правильні.

На приведеному рисунку:

показано умовне графічне зображення:

• транзисторної оптопари;

• фототранзисторної фототопари;

• транзисторної оптопари без виводу від бази;

• перший та третій варіанти правильні.