Питання до тестів з дисципліни «Основи електроніки та електрорадіоматеріали»

1. Які види звязку між атомами властиві напівпровідникам?

   • Іонні;

   • Металічні;

   • Ковалентні;

   • Донорно-акцепторні

2. Принцип заборони Паулі означає що:

   • В атомі не може бути двох електронів, які мають однакові всі квантові числа;

   • Електрон може мати тільки дискретні значення енергії;

   • Електрон при переході з одного стаціонарного стану до іншого випромінює або поглинає квант енергії;

   • Електрон в атомі може знаходитись тільки в стаціонарному стані

3. Величина опору провідника:

   • Прямо пропорційна величині питомого опору, довжині провідника та зворотньо пропорційна площі поперечного перерізу;

   • Прямо пропорційна довжині провідника та зворотньо пропорційна плолщі поперечного перерізу;

   • Прямо пропорційна величині питомого опору, площі поперечного перерізу та зворотньо пропорційна довжині провідника;

   • Прямо пропорційна величині питомого опору та зворотньо пропорційна площі поперечного перерізу та величині питомого опору.

4. Основні параметри провідникових матеріалів це:

   • величина питомого опору, довжина провідника;

   • величина питомого опору, довжина провідника, температурний коефіцієнт питомого опору, коефіцієнт термо-ерс;

   • величина питомого опору, довжина провідника, температурний коефіцієнт питомого опору, коефіцієнт термо-ерс, коефіцієнт теплопровідності;

   • величина питомого опору, температурний коефіцієнт питомого опору, коефіцієнт термо-ерс, коефіцієнт теплопровідності.

5. Величина втрат в діелектрику залежить від:

   • Частоти зміни напруги та її величини;

   • Частоти зміни напруги, величини напруги, розмірів діелектрика та його різновидності;

   • Частоти зміни напруги та розмірів діелектрика;

   • Частоти зміни напруги, розмірів діелектрика та його різновидності;

6. Пробій діелектрика це:

   • Лавинне наростання струму через діелектрик;

   • Лавинне наростання струму через діелектрик внаслідок зростання кількості носіїв зарядів через досягнення напруженості електричного поля певної величини;

   • Лавинне наростання кількості носіїв зарядів внаслідок зростання напруженості магнітного поля;

   • Збільшення струму через діелектрик внаслідок зростання напруженості магнітного поля.

7. Поляризація діелектрика характеризується:

   • Поляризованістю;

   • Поляризованістю та поверхневою щільністю зарядів;

   • Поляризованістю та напруженістю електричного поля;

   • Поляризованістю та дипольним електричним моментом молекул;

8. Загальний струм через діелектрик залежить від:

   • скрізного струму та струму абсорбції;

   • скрізного струму, струму абсорбції, струму зміщення та тангенса кута діелектричних втрат;

   • скрізного струму, струму абсорбції, струму зміщення;

   • скрізного струму, струму абсорбції, струму зміщення та кута зсуву по фазі між вектором еапруги та вектором струму;

9. Пайка – це:

   • Спосіб зєднання металевих та металізованих деталей з допомогою спеціальних сплавів або металів;

   • Спосіб зєднання металевих деталей з допомогою спеціальних сплавів або металів;

   • Спосіб зєднання металевих деталей з допомогою спеціальних сплавів;

   • Спосіб зєднання металевих та металізованих деталей з допомогою спеціальних сплавів.

10. Припой повинен мати:

    • Добру рідкотекучість, механічну міцність та електропровідність;

    • Добру рідкотекучість, механічну міцність, корозійну стійкість та електропровідність;

    • Добру рідкотекучість, малий інтервал температур кристалізації, механічну міцність, корозійну стійкість та електропровідність;

    • Добру рідкотекучість, малий інтервал температур кристалізації, механічну міцність, корозійну стійкість, електропровідність та захищати поверхні , що паяються, від окислення в процесі пайки.

11. Флюси повинні забезпечувати:

    • Розчинення оксидних плівок на поверхнях, що паяються та мати добру електропровідність;

    • Розчинення оксидних плівок та захист від окислення в процесі пайки поверхонь, що паяються , та мати добру електропровідність;

    • Розчинення оксидних плівок та захист від окислення в процесі пайки поверхонь, що паяються, мати якомога меньшу електропровідність;

    • Розчинення оксидних плівок та захист від окислення в процесі пайки поверхонь, що паяються, можливість легкого видалення їх з поверхонь після пайки, мати якомога меньшу електропровідність.

12. До основних параметрів магнітних матеріалів відносяться:

    • магнітна проникність, остаточна магнітна індукція, індукція насичення;

    • початкова магнітна проникність, остаточна магнітна індукція, індукція насичення, магнітострикційна деформація насичення;

    • початкова та максимальна магнітна проникність, остаточна магнітна індукція, індукція насичення, коерцитивна сила, температура Кюрі, магнітострикційна деформація насичення;

    • початкова та максимальна магнітна проникність, остаточна магнітна індукція, індукція насичення, коерцитивна сила, температура Кюрі, магнітострикційна деформація насичення, втрати на гістерезис;

13. Втрати на гістерезис залежать від:

    • Частоти, товщини матеріалу, площі, та максимальної індукції;

    • Частоти в квадраті, товщини матеріалу, площі, та максимальної індукції;

    • Частоти в квадраті, товщини матеріалу в квадраті, максимальної індукції в квадраті, щільності матеріалу та питомого опору;

    • Частоти в квадраті, товщини матеріалу в квадраті, максимальної індукції в квадраті, площі, щільності матеріалу та питомого опору;

14. Яка ширина забороненої зони германію?

    • 1,1ЕВ;

    • 1,42ЕВ;

    • 0,6ЕВ;

    • 0,66ЕВ;

15. Яка ширина забороненої зони кремнію?

    • 1,1ЕВ;

    • 1,42ЕВ;

    • 0,6ЕВ;

    • 0,66ЕВ;

16. Яка ширина забороненої зони арсеніду галію?

    • 1,1ЕВ;

    • 1,42ЕВ;

    • 0,6ЕВ;

    • 0,66ЕВ;

17. Зміст рівня Фермі можна визначити користуючись:

    • Статистикою Фермі-Дірака;

    • Енергетичною діаграмою Фермі-Дірака;

    • Енергетичною діаграмою контакту двох напівпровідників;

    • Поняттям власної електропровідності напівпровідника;

18. Власна електропровідність напівпровідника залежить від:

    • Різновидності напівпровідника, ширини забороненої зони, температури навколишнього середовища;

    • Різновидності напівпровідника, температури навколишнього середовища;

    • Різновидності напівпровідника, рухливості електронів, дірок, ширини забороненої зони, температури навколишнього середовища;

    • Різновидності напівпровідника, концентрації домішок та температури навколишнього середовища;

19. Wв це:

    • Рівень енергії валентних електронів;

    • Верхній рівень енергії валентних електронів;

    • Верхній рівень енергії електронів валентної зони;

    • Нижній рівень енергії електронів валентної зони.

20. Wп це:

    • Рівень енергії вільних електронів;

    • Верхній рівень енергії вільних електронів;

    • Нижній рівень енергії електронів зони провідності;

    • Верхній рівень енергії електронів зони провідності;

21. Дифузійний струм:

    • Має електронну та діркову складові та залежить від градієнту концентрацій носіїв;

    • Має електронну складову та залежить від градієнту концентрацій електронів та різновидності матеріалу;

    • Має електронну та діркову складові та залежить від градієнту концентрацій носіїв та різновидності матеріалу;

    • Має електронну та діркову складові та залежить від напруженості електричного поля та різновидності матеріалу;

22. Дрейфовий струм:

    • Має електронну та діркову складові та залежить від градієнту концентрацій носіїв;

    • Має електронну складову та залежить від градієнту концентрацій електронів, різновидності матеріалу та напруженості електричного поля;

    • Має електронну та діркову складові та залежить від напруженості електричного поля та різновидності матеріалу;

    • Має електронну та діркову складові та залежить від напруженості електричного поля.

23. При збільшенні концентрації домішок у випадку контакту двох напівпровідників з різним типом провідності:

    • Збільшується ширина р-п переходу та відстань від рівня Фермі до відповідного рівня енергії електронів;

    • Зменьшується ширина р-п переходу та відстань від рівня Фермі до відповідного рівня енергії електронів ;

    • Збільшується ширина р-п переходу та зменьшується відстань від рівня Фермі до відповідного рівня енергії електронів;

    • Зменьшується ширина р-п переходу та збільшується відстань від рівня Фермі до відповідного рівня енергії електронів;

24. При прямому включенні р-п переходу::

    • Зменьшується потенціальний барєр, зменьшується дифузійна ємність, зменьшується його ширина – перехід веде себе як провідниковий матеріал;

    • Зменьшується потенціальний барєр, збільшується дифузійна ємність, зменьшується його ширина – перехід веде себе як провідниковий матеріал;

    • Зменьшується потенціальний барєр, утворюється дифузійна ємність, ширина переходу не змінюється – перехід веде себе як провідниковий матеріал;

    • Зменьшується потенціальний барєр, утворюється дифузійна ємність, зменьшується його ширина – перехід веде себе як провідниковий матеріал;

25. При зворотньому включенні р-п переходу::

    • Збільшується потенціальний барєр, зменьшується дифузійна ємність, зменьшується його ширина – перехід веде себе як діелектричний матеріал;

    • Збільшується потенціальний барєр, збільшується дифузійна ємність, збільшується його ширина – перехід веде себе як діелектричний матеріал;

    • Збільшується потенціальний барєр, утворюється барєрна ємність, ширина переходу не змінюється – перехід веде себе як діелектричний матеріал;

    • Збільшується потенціальний барєр, утворюється барєрна ємність, збільшується його ширина – перехід веде себе як діелектричний матеріал;

26. При прямому включенні р-п переходу небезпечним є:

    • Перевищення струмом величини Іпр, що веде до теплового пробою переходу;

    • Перевищення напругою величини Uпр, що веде до електричного пробою переходу;

    • Перевищення струмом величини Іпрmax, що веде до теплового пробою переходу;

    • Перевищення напругою величини Uпрmax, що веде до електричного пробою переходу.