
- •Глава 1. Основные теории электрических цепей и сигналов.
- •§1. Основные понятия теории электрических цепей.
- •§ 2. Элементы электрических цепей и их уравнения. Классификация цепей по признаку линейности.
- •§ 3. Зависимые (управляемые) источники.
- •§ 4.Топологические параметры. Электрическая цепь и уравнение соединений.
- •Глава 2. Электрические цепи при гармоническом воздействии.
- •§1. Основные понятия линейных цепей. Среднее и действующее значение синусоидального тока.
- •§2. Гармонические колебания. Изображение синусоидальных токов векторами и комплексными числами.
- •§3. Комплексная форма уравнений элементов.
- •§3.1. Цепь переменного тока с резистором, активная мощность.
- •§3.2. Цепь переменного тока с индуктивностью, реактивная мощность.
- •§3.3. Цепь переменного тока с емкостью.
- •§3.4. Расчет цепи с реальной индуктивностью.
- •§3.5. Расчет активно-емкостной цепи, треугольники напряжений, сопротивлений; мощность.
- •§4. Колебательные контуры и их частотные характеристики.
- •§4.1. Последовательный колебательный контур.
- •§4.2. Резонанс напряжения.
- •§4.3. Свободные колебания в реальном lc - контуре.
- •§4.4. Уравнение резонансной кривой последовательного контура.
- •§4.5. Вынужденные колебания в параллельном колебательном контуре. Резонанс токов.
- •§4.6. Связанные контуры как полосовой фильтр.
- •Глава 5. Электронные приборы.
- •§1. Классификация электронных приборов.
- •В газоразрядных (или ионных) приборах движение электронов происходит в атмосфере инертных газов. Электрические процессы в них представляют собой разряд в газе.
- •§2. Полупроводниковые приборы.
- •§2.1. Собственная электропроводность.
- •§2.2. Примесные полупроводники.
- •§2.3. Электронно-дырочный переход.
- •§3. Полупроводниковые диоды, их свойства и назначение.
- •§3.1. Применение полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
- •§3.2. Полупроводниковые стабилитроны.
- •§3.3. Варикапы.
- •§3.4. Тиристор.
- •§3.5. Оптоэлектронные устройства.
- •§3.6. Фотодиоды.
- •§4. Полевые транзисторы.
- •§4.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом.
- •§4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •§4.3. Дифференциальные параметры полевых транзисторов.
- •§ 5. Биполярные транзисторы.
- •§ 5.1. Статические характеристики. Дифференциальные параметры транзистора.
- •§ 5.2. Определение н-параметров транзисторов по характеристикам.
- •Глава 6. Усилители.
- •§1. Основные показатели.
- •§2. Резисторный усилитель напряжения.
- •Из последней формулы следует, что для расширения полосы пропускания усилителя в сторону верхних частот необходимо уменьшать с0Rэ.
- •§3. Дифференциальный усилитель.
- •§4. Операционные усилители.
- •§5. Основные схемы включения операционных усилителей.
- •§6. Обратная связь в усилительных устройствах.
- •Коэффициент передачи усилителя с обратной связью:
- •§7. Диаграмма Найквиста
- •§8. Повышение стабильности усиления и расширение полосы
- •§9. Частотно-зависимая обратная связь
- •При малых относительных расстройках .
§4. Колебательные контуры и их частотные характеристики.
§4.1. Последовательный колебательный контур.
Наиболее общий случай
представляет собой цепь переменного
тока состоящая из последовательно
соединенных участков с активным
сопротивлением R
, индуктивностью L
и емкостью С
(рис. 17). Активное сопротивление
характеризует активный (необратимый)
процесс преобразования электрической
энергии в другие виды энергии, а
индуктивность и емкость - обратимый
процесс преобразования энергии
электромагнитного поля. Если по такой
цепи пропустить синусоидальный ток
,
комплексное действующее
значение которого
то, по второму закону
Кирхгофа, в комплексной форме для
действующих значений подводимое к цепи
напряжение равно сумме напряжений на
отдельных участках цепи:
Как известно:
Поэтому
.
Запишем закон Ома в комплексной форме: ,
где Z - комплексное полное сопротивление
где
- модуль полного
сопротивления.
- его аргумент.
Для упрощения записи комплексных полных сопротивлений вводят понятие реактивного сопротивления двухполюсника X. Оно является алгебраической разностью индуктивного и емкостного сопротивлений:
Комплексная полная мощность рассматриваемого двухполюсника:
Знак угла сдвига фаз
определяется знаком реактивного
сопротивления X.
В зависимости от соотношения между
индуктивным и емкостным сопротивлениями
двухполюсник может быть: индуктивным
(при XL>XC),
емкостным (при XL<XC
), чисто активным (при
XL=XC).
1. Индуктивный двухполюсник: XL>XC. Комплексное полное сопротивление:
Реактивное сопротивление
такого двухполюсника носит индуктивный
характер
(эквивалентное индуктивное
сопротивление). Для данного случая
построена векторная диаграмма (рис.
17,б). Подводимое напряжение U
опережает ток цепи на угол сдвига фаз
φL.
2. Емкостный двухполюсник: XL<XC. Комплексное полное сопротивление:
Эквивалентное реактивное
сопротивление такого двухполюсника
носит емкостный характер
.
Для указанного случая
векторная диаграмма приведена на рис.
17, в. Подводимое напряжение U
отстает от тока цепи
на угол сдвига фаз φС.
3. Активный двухполюсник: XL=XC. Комплексное полное сопротивление этой цепи чисто активное: Z=R.
Эквивалентное реактивное сопротивление такого двухполюсника равно нулю. На рис. 17, г представлена векторная диаграмма для данного случая. Подводимое напряжение U совпадает по фазе с током: φ=0.
Явление, при котором в последовательной цепи из элементов R, L и С подводимое напряжение цепи совпадает по фазе с её током, называется резонансом напряжений.
§4.2. Резонанс напряжения.
Основным условием возникновения резонанса напряжений в последовательном контуре является равенство реактивных сопротивлений XL=XC. В этом случае угол сдвига фаз между током и напряжением равен нулю (φ=0) и полное сопротивление цепи равно ее активному сопротивлению.
Из равенства реактивных
сопротивлений XL=XC
или
следует,
что резонанс можно достичь, изменяя или
частоту подводимого напряжения, или
параметры контура - индуктивность
L
или емкость C.
Частота, при которой наступает резонанс,
называется собственной угловой частотой
Индуктивное и емкостное сопротивление при резонансе равны:
(1)
Величина ρ называется волновым или характеристическим сопротивлением цепи.
При резонансе напряжений полное сопротивление цепи равно активному сопротивлению и минимально, а ток такой цепи
- максимален.
Умножив уравнение (1) на ток, получим, что при резонансе напряжения на индуктивности и емкости равны:
(2)
Если активное сопротивление
цепи R
невелико (
),
то при резонансе сила тока в цепи резко
возрастает, и одновременно сильно
возрастают напряжения на емкости и
индуктивности. Они во много раз могут
превысить напряжение на входных зажимах
цепи. Это свойство является важнейшей
особенностью резонанса напряжений и
широко используется в технике. Найдем
отношение напряжений на реактивных
элементах к подводимому:
,
(3)
где
- добротность цепи.
Физическая причина возникновения повышенных частичных напряжений - это колебания значительных количеств энергии между электрическим полем емкости и магнитным полем индуктивности. Умножив равенство (2) на ток получим равенство реактивных индуктивной и емкостной мощностей:
Энергия, поступающая от источника
затрачивается на потери в активном сопротивлении, достаточна для того, чтобы в системе поддерживались колебания энергии между магнитным и электрическими полями. Суммарная энергия электрического и магнитного поля при этом остается постоянной:
(4)
Как известно, если
,
то
.
Подставив эти
выражения в уравнение
(4), получим:
Амплитуда тока
,
a
,
следовательно,
,
на основании чего
Для техники связи, автоматики, радиоэлектроники и т.д. большое практическое значение имеет зависимость параметров цепи от частоты, которая называется амплитудно-частотной характеристикой контура. Зависимость действующих значений токов и напряжений цепи от частоты называется резонансными характеристиками.
Активное сопротивление
большинства устройств от частоты не
зависит. Зависимости индуктивного XL
и емкостного XC
сопротивлений от частоты определяются
формулами
.
Они изображены на рис. 18, а. Реактивное
сопротивление цепи
При
,
XL<
XC,
X
носит ёмкостный характер. При
наступает резонанс
напряжений (XL=XC)
сопротивление цепи чисто активное. При
,
XL>XC
и реактивное сопротивление носит
индуктивный характер.
Резонансные характеристики представлены на рис. 18, б. При наличии в цепи сопротивления R наибольшие значения напряжений на реактивных элементах будут на частотах, отличных от резонансной частоты.
Н
апряжение
на емкости равно:
(5)
Наибольшему значению Uc как функции ω соответствует минимум подкоренного выражения в формуле (5). Следовательно, чтобы определить условия максимума Uс(ω), нужно приравнять нулю первую производную по ω от этого выражения:
На основании этого искомая угловая частота:
Следовательно, напряжение на ёмкости Uc будет иметь наибольшее значение при ωc<ω0 .
Поступая аналогичным образом, найдем, что частота, при которой напряжение UL достигнет максимума, равна:
Следовательно: напряжение на индуктивности UL будет иметь наибольшее значение при ωL>ω0.
Чем больше добротность
схемы
,
тем ближе вершины характеристик UC
,
UL(ω)
и тем острее эти
характеристики.
Из уравнения (3) следует,
что:
.
Таким образом, при резонансе напряжения
на индуктивности и емкости в последовательном
колебательном контуре резко возрастают,
поэтому этот резонанс называется
резонансом напряжений. Резкое увеличение
напряжение на конденсаторе при резонансе
позволяет использовать последовательный
колебательный контур в качестве
частотно-избирательной системы для
выделения из множества сигналов только
одного, несущая частота которая совпадает
с частотой собственных колебаний в
контуре.
График зависимости тока от частоты (рис. 18б) показывает, что рассматриваемая цепь обладает избирательными свойствами. Цепь обладает наименьшим сопротивлением для тока той частоты, которая наиболее близка к ее резонансной частоте.