
- •Глава 1. Основные теории электрических цепей и сигналов.
- •§1. Основные понятия теории электрических цепей.
- •§ 2. Элементы электрических цепей и их уравнения. Классификация цепей по признаку линейности.
- •§ 3. Зависимые (управляемые) источники.
- •§ 4.Топологические параметры. Электрическая цепь и уравнение соединений.
- •Глава 2. Электрические цепи при гармоническом воздействии.
- •§1. Основные понятия линейных цепей. Среднее и действующее значение синусоидального тока.
- •§2. Гармонические колебания. Изображение синусоидальных токов векторами и комплексными числами.
- •§3. Комплексная форма уравнений элементов.
- •§3.1. Цепь переменного тока с резистором, активная мощность.
- •§3.2. Цепь переменного тока с индуктивностью, реактивная мощность.
- •§3.3. Цепь переменного тока с емкостью.
- •§3.4. Расчет цепи с реальной индуктивностью.
- •§3.5. Расчет активно-емкостной цепи, треугольники напряжений, сопротивлений; мощность.
- •§4. Колебательные контуры и их частотные характеристики.
- •§4.1. Последовательный колебательный контур.
- •§4.2. Резонанс напряжения.
- •§4.3. Свободные колебания в реальном lc - контуре.
- •§4.4. Уравнение резонансной кривой последовательного контура.
- •§4.5. Вынужденные колебания в параллельном колебательном контуре. Резонанс токов.
- •§4.6. Связанные контуры как полосовой фильтр.
- •Глава 5. Электронные приборы.
- •§1. Классификация электронных приборов.
- •В газоразрядных (или ионных) приборах движение электронов происходит в атмосфере инертных газов. Электрические процессы в них представляют собой разряд в газе.
- •§2. Полупроводниковые приборы.
- •§2.1. Собственная электропроводность.
- •§2.2. Примесные полупроводники.
- •§2.3. Электронно-дырочный переход.
- •§3. Полупроводниковые диоды, их свойства и назначение.
- •§3.1. Применение полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
- •§3.2. Полупроводниковые стабилитроны.
- •§3.3. Варикапы.
- •§3.4. Тиристор.
- •§3.5. Оптоэлектронные устройства.
- •§3.6. Фотодиоды.
- •§4. Полевые транзисторы.
- •§4.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом.
- •§4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором.
- •§4.3. Дифференциальные параметры полевых транзисторов.
- •§ 5. Биполярные транзисторы.
- •§ 5.1. Статические характеристики. Дифференциальные параметры транзистора.
- •§ 5.2. Определение н-параметров транзисторов по характеристикам.
- •Глава 6. Усилители.
- •§1. Основные показатели.
- •§2. Резисторный усилитель напряжения.
- •Из последней формулы следует, что для расширения полосы пропускания усилителя в сторону верхних частот необходимо уменьшать с0Rэ.
- •§3. Дифференциальный усилитель.
- •§4. Операционные усилители.
- •§5. Основные схемы включения операционных усилителей.
- •§6. Обратная связь в усилительных устройствах.
- •Коэффициент передачи усилителя с обратной связью:
- •§7. Диаграмма Найквиста
- •§8. Повышение стабильности усиления и расширение полосы
- •§9. Частотно-зависимая обратная связь
- •При малых относительных расстройках .
§8. Повышение стабильности усиления и расширение полосы
Коэффициент передачи может изменяться вследствие температурного изменения параметров, их замены, изменения э.д.с. питания и т.д.
Усилитель с глубокой ООС имеет высокую стабильность.
При
:
.
Т.о., при глубокой ООС
не зависит от
и не изменяется при изменении
.
Коэффициент обратной связи
определяется делителем, состоящим из
пассивных элементов, поэтому он стабилен.
Если
изменяется, то
тоже изменяется.
Учитывая, что
,
после дифференцирования получаем
,
откуда:
,
следовательно, относительное изменение
коэффициента усиления усилителя,
охваченного обратной связью, в
раз меньше, чем неохваченного.
Введение в усилитель ООС позволяет
расширить его полосу пропускания. У
резисторного УНЧ без ООС наблюдается
завал в областях НЧ и ВЧ относительно
средней частоты. Если относительное
уменьшение усиления при этом равно
,
то при наличии ООС при том же отклонении
частоты в усилителе относительное
уменьшение усиления в
раз меньше, что приводит к увеличению
полосы пропускания усилителя. При этом
однокаскадный резисторный усилитель,
охваченный ООС, имеет следующие граничные
частоты:
;
,
где
– коэффициент передачи напряжения в
области средних частот для усилителя
без обратной связи.
Для разных частот ООС влияет на
коэффициент передачи неодинаково. В
области СЧ, где
,
ООС снижает его в
раз. В области НЧ и ВЧ, где усиление
снижается и без ОС, напряжение ОС
будет уменьшаться, и ООС становится
слабее, следовательно, коэффициент
усиления на этих частотах уменьшается
в меньшее число раз, что приводит к
сглаживанию амплитудно-частотной
характеристики усилителя.
§9. Частотно-зависимая обратная связь
Для изменения АЧХ усилителя применяют частотно зависимую отрицательную обратную связь. Одним из примеров является избирательный усилитель с ООС с помощью двойного Т-образного моста (рис. 24). Двойной Т-образный мост (рис. 25) имеет коэффициент передачи напряжения:
,
,
при
и
,
.
При малых относительных расстройках .
Чтобы при
получить ООС, необходимо, чтобы
коэффициент передачи основного усилителя
был отрицателен (
).
Полагая
коэффициент передачи усилителя с двойным
Т-образным мостом
.
Амплитудно- и фазочастотные характеристики 2Т–моста и избирательного усилителя с 2Т–мостом приведены на рис. 26 и 27.
Для резонансной кривой колебательного контура:
.
Сравнение
показывает, что избирательный усилитель
обладает эквивалентной добротностью:
.
Отсюда
.