Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
lab7_исправлен.doc
Скачиваний:
3
Добавлен:
18.08.2019
Размер:
328.19 Кб
Скачать

8.2.2. Измерение полных сопротивлений.

О размере сопротивления можно судить по реакции настроенного в резонанс контура.

При малом значении модуля полного сопротивления исследуемый объект включают последовательно с LСобр контуром. При этом к зажимам «Lx» куметра подключают последовательно соединенный измеряемый объект (зажимы 3-4). и вспомогательную катушку индуктивности (зажимы 1-2).

При большом значении модуля полного сопротивления исследуемый объект подключают параллельно конденсатору контура - к зажимам 4-5 «CX» измерителя добротности.

Если величина модуля исследуемого объекта неизвестна, необходимо опробовать обе схемы включения и выбрать схему, при которой добротность измерительного конура выше.

Процесс измерения параметров двухполюсника состоит из двух этапов.

1 этап. Измеряют параметры образцового резонансного контура, состоящего из встроенного в прибор образцового конденсатора и вспомогательной сменной катушки (рис. 5.1.). Вспомогательную катушку выбирают таким образом, чтобы в диапазон частот, указанный на вспомогательной катушке попадала частота, на которой будут выполнять измерения.Настроив на заданной частоте образцовый контур в резонанс путем изменения образцовой емкости Собр, снимают показания добротности и образцовой емкости, которые обозначим через Q1 и С1 .

2 этап. В зависимости от размера модуля сопротивления, исследуемый объект включают параллельно (рис. 5.4.) или последовательно (рис. 5.5.) в образцовый контур. После этого, производят настройку образованного контура в резонанс на частоте, установленной в 1 этапе, изменением образцовой емкости Собр. Полученные значения добротность контура и образцовой емкости в этом случае обозначим через Q2 и C2 .

По полученным экспериментальным данным (С12, Q1, Q2 ) на частоте измерения f с помощью формул, приведенных в табл. 8.1., производят вычисления параметров исследуемого двухполюсника (Rэфф, Xэфф, Lэфф,Cэфф, Qэфф ).

По значениям С1 и С2 можно определить характер реактивности двухполюсника.

При С1 больше С2 характер реактивности:

Хпос - индуктивный; Хпар - емкостной.

При С1 меньше С2 характер реактивности:

Хпос - емкостной; Хпар - индуктивный.

8.2.3. Действительные и эффективные параметры катушки индуктивности

Куметр позволяет определить эффективные значения добротности, индуктивности, емкости и резистивного сопротивления, так как реальную катушку индуктивности (рис. 8.2.а) заменяют эквивалентной схемой (рис. 8.2.б)

Рис. 8.2. а) Реальная схема катушки индуктивности на высоких частотах.

б) Эквивалентная схема катушки индуктивности.

где: R - резистивное сопротивление, обусловленное потерями в катушке индуктивности; С0 - собственная емкость катушки; L – действительная индуктивность катушки.

Действительные значения параметров индуктивности отличаются от эффективных, вследствие наличия у катушки индуктивности собственной емкости. Связь между эффективными и действительными значениями параметров катушки индуктивности могут быть найдены из условия равенства полных сопротивлений

Rэфф + jω Lэфф = 1 / ( jωC0 + (1 / (R + jωL))) (8.4.)

Сделав математические преобразования, и пренебрегая некоторыми слагаемыми в виду их малости, и приравняв действительные и мнимые составляющие обеих частей управления, получим:

Lэфф= L / (1-ω2 C0L) = L / (1-ω2/ ω2pc) (8.5)

Rэфф = R / (1-ω2C0L)2= R / (1-ω22pc)2 (8.6)

Отсюда можно определить действительные значения:

действительное значение индуктивности L= Lэфф/(1+ ω2 C0 Lэфф), (8.7)

действительное значение резистивного сопротивления R=Rэфф(1- ω 2C0L)2 (8.8)

действительное значение добротности Q = Qэфф/ (1- ω 2LC0) (8.9)

Собственная резонансная частота катушки индуктивности fpc=1/(2π )(8.10)

Таблица 8.1

Определяемый параметр

Параллельное включение двухполюсника к измерительному конденсатору (к зажимам «Сх»)

Эквивалентная схема измеряемого двухполюсника

Формула

Р езистивное сопротивление

Rэфф

Rnap

Xnap

1,59 * 108 * Q1 Q2

f * C1 * (Q1 – Q2)

Р еактивное сопротивление Xэфф

Rnap

Xnap

1,59 * 108

f * (C1 – C2)

И ндуктивность Lэфф

Rnap

Lnap

2,53 * 1010

f2 * (C2 – C1)

Емкость

Сэфф

Rnap

Cnap

C1 – C2

Д обротность

Qэфф

Qx

Q1 * Q2 * (C1 – C2)

C1 * (Q1 – Q2)

Таблица 8.1(продолжение)

Определяемый параметр

Последовательное включение двухполюсника в измерительный контур

Эквивалентная схема измеряемого двухполюсника

Формула

Р езистивное сопротивление Rэфф

Rnoc Xnoc

1,59 108 ((C1/C2 )Q1-Q2)

f * C1 * Q1 *Q2

Р еактивное сопротивление Xэфф

Rnoc Xnoc

1,59 * 108 (C1 – C2)

f * C1 * C2

И ндуктивность Lэфф

Rnoc Lnoc

2,53 * 1010 (C1 – C2)

f2 * C1 * C2

Емкость

Сэфф

Rnoc Cnoc

C1 * C2

C2 – C1

Добротность

Qэфф

Qx

Q1 *Q2 * (C2 –C1)

C1 * Q1 – C2 * Q2

В приведенных формулах размерность величин: f – [кГц]; C1 и C2 - [пФ];

L -[мкГн]; R и X - [Ом].

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]