- •Доц. ИгорьНиколаевич Запасный Доц. Владимир Иванович Сметанин
- •К лабораторной работе №7
- •1. Цель работы
- •2. Программа лабораторной работы
- •3. Состав лабораторной установки
- •4. Подготовка к выполнению лабораторной работы.
- •Метрологические характеристики применяемых приборов
- •4.6. Вопросы для контроля готовности к выполнению лабораторной работы.
- •4.7. Задачи.
- •Данные для расчетов параметров измеряемого двухполюсника (к задаче №1)
- •Данные для расчетов параметров измеряемого двухполюсника (к задаче №1)
- •Параметры измерительного контура к задаче №2
- •Относительные неопределенности параметров измерительного контура к задаче №2
- •5. Методические рекомендации по выполнению лабораторной работы
- •5.1. Общие положения
- •5.2. Измерения параметров двухполюсников универсальным мостом
- •Результаты измерений и вычислений объектов универсальным мостом
- •5.3. Измерение параметров двухполюсников с помощью измерителя добротности.
- •Результаты измерений с помощью измерителя добротности и вычисления параметров катушки индуктивности
- •Результаты измерения с помощью измерителя добротности и вычисления параметров конденсатора и резистора
- •6. Содержание отчета
- •7. Литература
- •8. Приложения
- •8.1. Оценка основной абсолютной неопределенности измерения параметров двухполюсников
- •8.2. Измерение параметров двухполюсников резонансным методом с помощью измерителя добротности (куметром)
- •8.2.1.Обшее положение.
- •8.2.2. Измерение полных сопротивлений.
- •8.2.3. Действительные и эффективные параметры катушки индуктивности
- •8.2.4. Измерение действительного значения индуктивности и резистивного сопротивления катушки индуктивности
- •8.2.5. Измерение собственной емкости и действительного значения индуктивности катушки индуктивности
- •8.2.6.Измерение параметров конденсаторов
- •8.2.6. Измерение сопротивления резистора и его паразитной емкости
- •8.2.7. Формулы перехода от эквивалентной схемы параллельного типа к последовательной
8.2.2. Измерение полных сопротивлений.
О размере сопротивления можно судить по реакции настроенного в резонанс контура.
При малом значении модуля полного сопротивления исследуемый объект включают последовательно с LСобр контуром. При этом к зажимам «Lx» куметра подключают последовательно соединенный измеряемый объект (зажимы 3-4). и вспомогательную катушку индуктивности (зажимы 1-2).
При большом значении модуля полного сопротивления исследуемый объект подключают параллельно конденсатору контура - к зажимам 4-5 «CX» измерителя добротности.
Если величина модуля исследуемого объекта неизвестна, необходимо опробовать обе схемы включения и выбрать схему, при которой добротность измерительного конура выше.
Процесс измерения параметров двухполюсника состоит из двух этапов.
1 этап. Измеряют параметры образцового резонансного контура, состоящего из встроенного в прибор образцового конденсатора и вспомогательной сменной катушки (рис. 5.1.). Вспомогательную катушку выбирают таким образом, чтобы в диапазон частот, указанный на вспомогательной катушке попадала частота, на которой будут выполнять измерения.Настроив на заданной частоте образцовый контур в резонанс путем изменения образцовой емкости Собр, снимают показания добротности и образцовой емкости, которые обозначим через Q1 и С1 .
2 этап. В зависимости от размера модуля сопротивления, исследуемый объект включают параллельно (рис. 5.4.) или последовательно (рис. 5.5.) в образцовый контур. После этого, производят настройку образованного контура в резонанс на частоте, установленной в 1 этапе, изменением образцовой емкости Собр. Полученные значения добротность контура и образцовой емкости в этом случае обозначим через Q2 и C2 .
По полученным экспериментальным данным (С1 ,С2, Q1, Q2 ) на частоте измерения f с помощью формул, приведенных в табл. 8.1., производят вычисления параметров исследуемого двухполюсника (Rэфф, Xэфф, Lэфф,Cэфф, Qэфф ).
По значениям С1 и С2 можно определить характер реактивности двухполюсника.
При С1 больше С2 характер реактивности:
Хпос - индуктивный; Хпар - емкостной.
При С1 меньше С2 характер реактивности:
Хпос - емкостной; Хпар - индуктивный.
8.2.3. Действительные и эффективные параметры катушки индуктивности
Куметр позволяет определить эффективные значения добротности, индуктивности, емкости и резистивного сопротивления, так как реальную катушку индуктивности (рис. 8.2.а) заменяют эквивалентной схемой (рис. 8.2.б)
Рис. 8.2. а) Реальная схема катушки индуктивности на высоких частотах.
б) Эквивалентная схема катушки индуктивности.
где: R - резистивное сопротивление, обусловленное потерями в катушке индуктивности; С0 - собственная емкость катушки; L – действительная индуктивность катушки.
Действительные значения параметров индуктивности отличаются от эффективных, вследствие наличия у катушки индуктивности собственной емкости. Связь между эффективными и действительными значениями параметров катушки индуктивности могут быть найдены из условия равенства полных сопротивлений
Rэфф + jω Lэфф = 1 / ( jωC0 + (1 / (R + jωL))) (8.4.)
Сделав математические преобразования, и пренебрегая некоторыми слагаемыми в виду их малости, и приравняв действительные и мнимые составляющие обеих частей управления, получим:
Lэфф= L / (1-ω2 C0L) = L / (1-ω2/ ω2pc) (8.5)
Rэфф = R / (1-ω2C0L)2= R / (1-ω2/ω2pc)2 (8.6)
Отсюда можно определить действительные значения:
действительное значение индуктивности L= Lэфф/(1+ ω2 C0 Lэфф), (8.7)
действительное значение резистивного сопротивления R=Rэфф(1- ω 2C0L)2 (8.8)
действительное значение добротности Q = Qэфф/ (1- ω 2LC0) (8.9)
Собственная резонансная частота катушки индуктивности fpc=1/(2π )(8.10)
Таблица 8.1
Определяемый параметр |
Параллельное включение двухполюсника к измерительному конденсатору (к зажимам «Сх») |
|
|
Эквивалентная схема измеряемого двухполюсника |
Формула |
Р езистивное сопротивление Rэфф |
Rnap
Xnap |
1,59 * 108 * Q1 Q2 f * C1 * (Q1 – Q2) |
Р еактивное сопротивление Xэфф |
Rnap
Xnap |
1,59 * 108 f * (C1 – C2) |
И ндуктивность Lэфф
|
Rnap
Lnap |
2,53 * 1010 f2 * (C2 – C1) |
Емкость Сэфф |
Rnap
Cnap |
C1 – C2 |
Д обротность Qэфф |
Qx |
Q1 * Q2 * (C1 – C2) C1 * (Q1 – Q2) |
Таблица 8.1(продолжение)
Определяемый параметр |
Последовательное включение двухполюсника в измерительный контур |
|
|
Эквивалентная схема измеряемого двухполюсника |
Формула |
Р езистивное сопротивление Rэфф |
Rnoc Xnoc |
1,59 108 ((C1/C2 )Q1-Q2) f * C1 * Q1 *Q2 |
Р еактивное сопротивление Xэфф |
Rnoc Xnoc |
1,59 * 108 (C1 – C2) f * C1 * C2 |
И ндуктивность Lэфф
|
Rnoc Lnoc |
2,53 * 1010 (C1 – C2) f2 * C1 * C2 |
Емкость Сэфф |
Rnoc Cnoc |
C1 * C2 C2 – C1 |
Добротность Qэфф |
Qx |
Q1 *Q2 * (C2 –C1) C1 * Q1 – C2 * Q2 |
В приведенных формулах размерность величин: f – [кГц]; C1 и C2 - [пФ];
L -[мкГн]; R и X - [Ом].