3. Методика расчета значений h-параметров транзистора

Расчет значений h-параметров транзистора производится для его элект-рического режима, соответствующей рабочей точке (точке покоя) на стати-ческих характеристиках прибора. Значения тока базы и напряжения коллек-тор-эмиттер в рабочей точке выдаются преподавателем.

Значения параметров h₁₁, h₂₁ и h₂₂ рассчитываются по результатам построений на статических характеристиках транзистора с использованием соотношений (3), (5) и (6).

Величина параметра h₁₂ близка к нулю. Свидетельством этого является тот факт, что входные вольт-амперные характеристики транзистора практически не зависят от значения напряжения коллектор-эмиттер (при его значении превышающем напряжение база-эмиттер). Поэтому по обычно приводимым входным характеристикам значение параметра h₁₂ не рассчитывается.

Построения для определения параметра h₁₁ проводятся на входной характеристике, а для определения параметра h₂₁ и h₂₂ – на выходной характеристике.

Величины приращений токов и напряжений, входящие в используемые соотношения, определяются как разность между крайними значениями соответствующих параметров. Величины же этих параметров (рабочая точка) должны располагаться в центре интервала между крайними значениями.

Рис. 5. Построения на входной характеристике транзистора

для определения значения параметра h₁₁.

Построения, используемые при расчете параметра h₁₁, показаны на рис. 5. Сначала с учетом задаваемого значения тока базы I_бп фиксируются крайние точки тока базы для определения его приращения I_б. По этим данным при использовании входной характеристики, соответствующей ненулевому зна-чению напряжения коллектор-эмиттер, определяются рабочее значение на-пряжения база-эмиттер U_бэп и значение приращения этого параметра U_бэ. Определенные таким образом значения I_б и U_бэ используются в соотно-шении (3) при расчете параметра h₁₁.

Рис. 6. Построения на выходной характеристике транзистора

для определения значения параметра h₂₂.

Построения, используемые при расчете параметра h₂₂, показаны на рис. 6.

Сначала с учетом задаваемого значения напряжения коллектор-эмиттер U_кэп фиксируются крайние точки напряжения коллектор-эмиттер для определения приращения этого параметра U_кэ. По этим данным при использовании вы-ходной характеристики, соответствующей задаваемому значению тока базы I_бп, определяются рабочее значение тока коллектора I_кп и значение прираще-ния этого параметра I_к. Определенные таким образом значения I_к и U_кэ используются в соотношении (5) при расчете параметра h₂₂.

Рис. 7. Построения для определения значения параметра h₂₁.

Построения для определения значения параметра h₂₁ проводятся в два этапа. Сначала с использованием выходной характеристики строится зависи-мость тока коллектора от тока базы при заданном значении напряжения кол-лектор-эмиттер. С этой целью на выходной характеристике через точку, со-ответствующей заданному значению напряжения коллектор-эмиттер U_кэп, проводится вертикальная прямая, как показано на рис. 7,а. По точкам ее пере-сечения с вольт-амперными характеристиками строится зависимость тока коллектора от тока базы, вид которой приведен на рис. 7,б. Построенная эта зависимость используется для расчета значения параметра h₂₁. Как и в предыдущих случаях, на оси тока базы фиксируются крайние точки, распо-ложенные на одном расстоянии по обе стороны относительно значения за-данного тока базы I_бп, по которым определяется значение приращения этого параметра I_б. По этим данным при использовании построенной зависимости I_к(I_б) определяются рабочее значение тока коллектора и значение его прира-щения I_к. Определенные таким образом значения I_к и I_б используются в соотношении (6) при расчете параметра h₂₁.