- •1. Электрофизические свойства полупроводников
- •1.1 Собственные и примесные полупроводники
- •Собственный полупроводник
- •Электронный полупроводник
- •Дырочный полупроводник
- •1.2. Энергетические диаграммы полупроводников
- •1.3. Расчет равновесной концентрации свободных носителей заряда
- •1.4. Hеpавновесное состояние полупpоводника
- •Время жизни неосновных носителей заряда
- •2.3. Вах реального p-n-перехода
- •2.4. Влияние температуры на вах p-n-перехода
- •2.5. Емкости p-n-перехода
- •Система электропитания. Классификация и характеристики выпрямителей. Одно- и двухполупериодный выпрямитель с r нагрузкой.
- •Однополупериодная схема выпрямителя.
- •Двухполупериодная схема со средней точкой.
- •Выпрямители с активной нагрузкой Однополупериодная схема выпрямителя
- •Двухполупериодные схемы выпрямителей
- •1.2. Выпрямители с активно-емкостной нагрузкой
- •1.2.1. Расчетные соотношения для выпрямителей с активно- емкостной нагрузкой
- •Реальная нагрузочная характеристика представляется в координатах , .
- •1.2.2. Выпрямители с умножением напряжения
- •1.3. Сглаживающие фильтры выпрямителей
- •6. Биполярные транзисторы
- •Полярные транзисторы
- •Область насыщения
- •7. Усилители напряжения на биполярных транзисторах
- •2.1 Простейший усилитель на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общей базой
- •2.2 Усилитель напряжения на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером
- •8 Частотные характеристики rc-усилителей звуковых частот
- •3.1 Звуковые частоты, характерные области частот
- •3.2 Характеристики усилителей напряжения в области средних звуковых частот
- •3.3 Низкие звуковые частоты
- •3.4 Работа усилителя в области верхних звуковых частот
- •9 Усилитель на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим коллектором (эмиттерный повторитель)
- •Усилители напряжения на полевых транзисторах Усилитель на полевом транзисторе, включенном по схеме с общим истоком
- •10 Причины нелинейных искажений
- •5.4 Входные динамические характеристики транзисторов. Сквозная характеристика каскада
- •5.5 Методы расчета нелинейных искажений
- •Обратные связи в усилителях
- •8.1 Общие понятия и классификация обратных связей
- •8.2 Влияние обратной связи на основные параметры усилителя
- •8.4 Практические схемы усилительных каскадов с обратными связями
- •11 Влияние обратной связи на входное и выходное сопротивления усилителя
- •12 Усилители мощности
- •4.1 Согласование источника сигнала с нагрузкой. Классификация усилителей мощности
- •4.2 Однотактные усилители мощности
- •4.4 Двухтактные усилители мощности
- •4.5 Бестрансформаторные усилители мощности
- •14 Аналоговые микроэлектронные структуры. Операционные усилители на интегральных микросхемах
- •8.1 Классификация аналоговых интегральных микросхем и элементы их схемотехники, взаимные компоненты, входные каскады
- •8.3 Операционные усилители, эквивалентная схема усилителя
- •15 Инвертирующий и неинвертирующий усилители
- •9.2 Сумматоры, интеграторы и дифференциаторы на базе усилителей
- •16. Интеграторы. Дифференциаторы. Логарифматоры и антилагорифматоры.
- •9.3 Схемы установки нуля и частотной коррекции усилителей
- •9.4 Логарифмирующие и антилогарифмирующие схемы
- •13.1 Методы анализа условий возбуждения генераторов
- •13.1 Общие положения теории rc-генераторов
- •12.3 Rc генераторы с нулевой фазосдвигающей цепочкой
1. Электрофизические свойства полупроводников
Полупроводниками являются вещества, занимающие по величине удельной проводимости промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Эти вещества обладают как свойствами проводника, так и свойствами диэлектрика. Вместе с тем они обладают рядом специфических свойств, резко отличающих их от проводников и диэлектриков, основным из которых является сильная зависимость удельной проводимости от воэдействия внешних факторов (температуры, света, электрического поля и др.) К полупроводникам относятся элементы четвертой группы периодической таблицы Менделеева, а также химические соединения элементов третьей и пятой групп типа AIII BV (GaAs, InSb) и второй и шестой групп типа AII B VI ( CdS, BbS, CdFe). Ведущее место среди полупроводниковых материалов, используемых в полупроводниковой электронике, занимают кремний, германий и арсенид галлия GaAs.
1.1 Собственные и примесные полупроводники
Собственными полупроводниками или полупроводниками типа i (от английского intrinsic - собственный) называются чистые полупроводники, не содержащие примесей. Примесными полупроводникам называются полупроводники, содержащие примеси, валентность которых отличается от валентности основных атомов. Они подразделяются на электронные и дырочные.
Собственный полупроводник
Собственные полупроводники имеют кристаллическую структуру, характеризующуюся периодическим расположением атомов в узлах пространственной кристаллической решетки. В такой решетке каждый атом взаимно связан с четырьмя соседними атомами ковалентными связями (рис. 1.1), в результате которых происходит обобществление валентных электронов и образование устойчивых электронных оболочек, состоящих из восьми электронов. При температуре абсолютного нуля (T=0° K) все валентные электроны находятся в ковалентных связях, следовательно, свободные носители заряда отсутствуют, и полупроводник подобен диэлектрику. При повышении температуры или при облучении полупроводника лучистой энергией валентный электрон может выйти из ковалентной связи и стать свободным носителем электрического заряда. (Рис. 1.2). При этом ковалентная связь становится дефектной, в ней образуется свободное (вакантное) место, которое может занять один из валентных электронов соседней связи, в результате чего вакантное место переместится к другой паре атомов. Перемещение вакантного места внутри кристаллической решетки можно рассматривать как перемещение некоторого фиктивного (виртуального) положительного заряда, величина которого равна заряду электрона. Такой положительный заряд принято называть дыркой.
Процесс возникновения свободных электронов и дырок, обусловленный разрывом ковалентных связей, называется тепловой генерацией носителей заряда. Его характеризуют скоростью генерации G, определяющей количество пар носителей заряда, возникающих в единицу времени в единице объема. Скорость генерации тем больше, чем выше температура и чем меньше энергия, затрачиваемая на разрыв ковалентных связей. Возникшие в результате генерации электроны и дырки, находясь в состоянии хаотического теплового движения, спустя некоторое время, среднее значение которого называется временем жизни носителей заряда, встречаются друг с другом, в результате чего происходит восстановление ковалентных связей. Этот процесс называется рекомбинацией носителей заряда и характеризуется скоростью рекомбинации R, которая определяет количество пар носителей заряда, исчезающих в единицу времени в единице объема. Произведение скорости генерации на время жизни носителей заряда определяет их концентрацию, то есть количество электронов и дырок в единице объема. При неизменной температуре генерационно- рекомбинационные процессы находятся в динамическом равновесии, то есть в единицу времени рождается и исчезает одинаковое количество носителей заряда (R=G). Это условие называется законом равновесия масс. Состояние полупроводника, когда R=G, называется равновесным; в этом состоянии в собственном полупроводнике устанавливаются равновесные концентрации электронов и дырок, обозначаемые ni и pi . Поскольку электроны и дырки генерируются парами, то выполняется условие: ni=pi . При этом полупроводник остается электрически нейтральным, т.к. суммарный отрицательный заряд электронов компенсируется суммарным положительным зарядом дырок. Это условие называется законом нейтральности заряда. При комнатной температуре в кремнии ni=pi=1,4· 1010 см-3, а в германии ni=pi=2,5· 1013 см-3. Различие в концентрациях объясняется тем, что для разрыва ковалентных связей в кремнии требуются большие затраты энергии, чем в германии. С ростом температуры концентрации электронов и дырок возрастают по экспоненциальному закону.