1. Цель работы.

Исследовать зависимость обратных токов коллектора и эмиттера от температуры.

2. Описание установки.

Обратные токи транзистора измеряются с помощью лабораторного стенда для исследования полупроводниковых диодов (рис. 1.2).

Для определения обратного тока коллектора I_КБо выводы коллектора (К) и базы (Б) транзистора соединяются с клеммами С и Д стенда, а вывод эмиттера (Э) остается разомкнутым. При этом на коллектор подается обратное напряжение заданной величины.

Для определения обратного тока коллектора I_КБк вывод эмиттера должен быть соединен с выводом базы.

Для определения обратных токов эмиттера I_ЭБо и I_ЭБк с клеммами С и Д соединяются выводы транзистора Э и Б, а цепь коллектора остается разомкнутой (I_ЭБо), либо замкнутой с базой (I_ЭБк). При этом на эмиттер подается обратное напряжение заданной величины.

Аналогичным образом определяются и обратные токи I_КЭо и I_КЭк.

3. Задание.

3.1. Измерить обратные токи транзистора при комнатной температуре. Для выполнения этого пункта задания транзистор помещают в термостат, соединяют клеммы термостата, соответствующие выводам Б, Э и К, с клеммами стенда, ручкой потенциометра «U1» устанавливают номинальное обратное напряжение и измеряют величину обратного тока.

3.2. Снять температурную зависимость обратных токов транзистора. Для этого включают нагреватель и, по мере нагрева транзистора, измеряют значения обратных токов вплоть до температуры 70-80⁰С. Количество измерений должно быть таким, чтобы величина каждого из обратных токов оказалась измеренной при 5-6 значениях температуры.

3.3. Построить графики зависимости обратных токов транзистора от температуры.

4. Содержание отчета.

4.1. Название работы и ее цель.

4.2. Схемы для измерения обратных токов транзистора.

4.3. Результаты исследований в виде таблиц и графиков.

4.4. Выводы по выполненной работе.

5. Контрольные вопросы.

5.1. Дайте определение статических параметров транзистора в режиме отсечки.

5.2. Для чего при расчетах схем на транзисторах учитываются статические параметры режима отсечки?

5.3. Каким образом измеряются обратные токи транзистора?

5.4. Какая связь существует между обратными токами транзистора?

5.5. Какой из обратных токов больше: I_КБо или I_КБк ? Почему?

5.6. Объясните температурную зависимость обратных токов транзистора.

6. Литература.

Дулин В.Н. Электронные приборы. М.: Энергия, 1977, с. 313-314, 287-297.

Прянишников В.А. Электроника. М.: Бином-Пресс, 2006, с. 42-51.

Лабораторная работа №11.

Оптрон.

1. Цель работы.

Познакомиться с принципом действия диодного оптрона, снять его основные статические характеристики и определить четырехполюсные параметры.

2. Описание установки.

Для снятия характеристик используется схема рис. 1.1.

В цепь светодиода (излучателя) включены миллиамперметр mA₁ и электронный вольтметр V₁. В цепь фотодиода (приемника) включены микроамперметр и вольтметр V₂. Для ограничения входного тока и выходного напряжения в эти цепи включены добавочные резисторы (на схеме не показаны), благодаря чему ток светодиода не превышает (15..20)мА, а напряжение на фотодиоде - (15..20)В. Для измерения небольших напряжений параллельно вольтметру V₂ может подключаться электронный вольтметр с небольшим пределом измерения. Схема рис. 11.1 собирается на лицевой панели лабораторного стенда. При этом в цепи светодиода используется схема рис. 1.1, а в цепи фотодиода - схема рис. 1.2.