3. Задание.

3.1. Записать параметры типового режима испытуемого транзистора МП41А.

3.2. Снять семейства выходных характеристик I_K=f(U_K) при I_Э=const и характеристик обратной связи U_Э=f(U_K) при I_Э=const транзистор в схеме ОБ. Для снятия характеристик ручки потенциометров R1 и R2 поворачивают до влево до упора, подключают к стенду испытуемый транзистор и выпрямитель, включают схему ОБ. Ручкой R1 устанавливают входной ток I_Э, который в процессе снятия характеристик поддерживают постоянным, а ручкой R2 изменяют напряжение на коллекторе. Показания приборов записывают в табл. 1. Рекомендуемые режимы тоже указаны.

I_Э=1; 2; 3; 4; 5 мА

Таблица 1.

-UK, В	0	1	2	3	4
IК, мА
UЭ, мВ

По полученным значениям строят характеристики.

3.3. Снять семейства входных характеристик I_Э=f(U_Э) при U_K=const и характеристик передачи I_K=f(I_Э) при U_K=const транзистора в схеме ОБ. Для этого ручкой R2 устанавливают выходное напряжение U_K, которое в процессе снятия характеристик поддерживается постоянным, а ручкой R1 изменяют ток эмиттера I_Э. Показания приборов записывают в табл. 2.

U_K=0;-2;-4 В

Таблица 2.

IЭ, мА	0	2	4	6	8
IK, мА
UЭ, мВ

По полученным данным строят характеристики.

3.4. Построить нагрузочную характеристику в семействе выходных и входных характеристик ОБ транзистора по заданным величинам E_K= -5 В, R_Н= 0,5 кОм, I_МЭ= 2мА и определить в выбранной рабочей точке рабочие параметры K_i, K_U, K_P, P_K, P_вых.

3.5. Снять семейства выходных характеристик I_K=f(U_K) при I_Б=const и характеристик обратной связи U_Б=f(U_K) при I_Б=const транзистора в схеме ОЭ. Для этого ручки потенциометров R1 и R2 поворачивают влево до упора и включают схему ОЭ. Ручкой R1 устанавливают входной ток I_Б, поддерживаемый при снятии характеристик постоянным, и изменяют напряжение U_K ручкой R2. Показания приборов записывают в табл. 3.

I_Б=20; 40; 60; 80; 100 мкА

Таблица 3.

-UK, B	0	1	2	3	4
IK, мА
UБ, мВ

По полученным значениям строят характеристики.

3.6. Снять семейства входных характеристик I_Б=f(U_Б) при U_K=const и характеристик передачи I_K=f(I_Б) при U_K=const в схеме ОЭ. Для этого ручкой R2 устанавливают выходное напряжение U_K, поддерживаемое в процессе снятия характеристик постоянным, а ручкой R1 изменяют ток базы I_Б. Показания приборов записывают в табл. 4.

U_K=0; -2; -4 B

Таблица 4.

IБ, мкА	0	20	40	60	80	100
UБ, мВ
IК, мА

По полученным значениям строят характеристики.

3.7. Построить нагрузочную характеристику в семействе выходных и входных характеристик ОЭ транзистора по величинам E_K= -5В; R_H= 0,5 кОм; I_mб= 40 мкА и определить в выбранной рабочей точке рабочие параметры K_i, K_U, K_P, P_k, P_вых.

3.8. Определить параметры транзистора h₁₁, h₁₂, h₂₁ и h₂₂ по характеристикам, снятым для схем ОБ и ОЭ.

4. Содержание отчета.

4.1. Название работы и ее цель.

4.2. Параметры типового режима транзистора МП41А и схема расположения его выводов.

4.3. Схемы ОБ и ОЭ для снятия характеристик.

4.4. Результаты измерений и вычислений в виде формул, расчетов, графиков, таблиц.

4.5. Сопоставление полученных в работе результатов с литературными и справочными данными.

4.6. Выводы о проделанной работе.

5. Контрольные вопросы.

5.1. Объясните ход выходных характеристик для схемы ОБ. Почему при U_K=0 ток коллектора не равен нулю.

5.2. Объясните ход входных характеристик транзистора для схемы ОБ. Почему при увеличении обратного напряжения на коллекторе входная характеристика смещается влево?

5.3. Объясните ход входных характеристик транзистора для схемы ОЭ. Почему при U_K=0 в цепи коллектора течет ток противоположного направления?

5.4. Объясните ход входных характеристик транзистора для схемы ОЭ. Почему при увеличении обратного напряжения на коллекторе входная характеристика смещается вправо и вниз?

5.5. По каким характеристикам и как можно определить h-параметры?

5.6. По каким характеристикам и как можно определить рабочие параметры транзистора?

6. Литература.

Дулин В.Н. Электронные приборы. М.: Энергия, 1977, с. 301-312, 314-318, 322-323.

Батушев В.А. Электронные приборы. В. школа, 1980, с. 109-116, 148-155.

Прянишников В.А. Электроника. М.: Бином-Пресс, 2006, с. 42-51.

Лабораторная работа №6.

Малосигнальные параметры транзистора.