38.Запишіть в кнф задану табличним способом логічну функцію

N				F
0	0	0	0	1
1	0	0	1	0
2	0	1	1	0
3	1	0	0	1
4	1	0	1	1
5	1	1	0	1
6	1	1	0	1
7	1	1	1	0

39.Запишіть в кнф задану табличним способом логічну функцію

N				F
0	0	0	0	0
1	0	0	1	0
2	0	1	1	1
3	1	0	0	0
4	1	0	1	1
5	1	1	0	1
6	1	1	0	1
7	1	1	1	1

40.Запишіть в кнф задану табличним способом логічну функцію

N				F
0	0	0	0	1
1	0	0	1	0
2	0	1	1	0
3	1	0	0	1
4	1	0	1	0
5	1	1	0	1
6	1	1	0	1
7	1	1	1	1

41.Мінімізуйте логічну функцію

42.Мінімізуйте логічну функцію

43.Яка з зображених схем є схемою АБО?

44.Яка з зображених схем є схемою I?

45.Яка з зображених схем є схемою АБО-НЕ?

46.Яка з зображених схем є схемою I-НЕ?

47.Яка з зображених схем є схемою ВИКЛЮЧАЮЧЕ-АБО?

48. Нарисуйте схему АБО‚ реалізовану на елементах АБО-НЕ.

49. Нарисуйте схему НЕ‚ реалізовану на елементах АБО-НЕ.

50. Нарисуйте схему I‚ реалізовану на елементах АБО-НЕ.

51. Нарисуйте схему АБО‚ реалізовану на елементах I-НЕ.

52. Нарисуйте схему НЕ‚ реалізовану на елементах I-НЕ.

53. Нарисуйте схему I‚ реалізовану на елементах I-НЕ.

54. Який з перелічених записів є правилом де Моргана?

A Б В

Г Д

55. Який з перелічених записів є правилом де Моргана?

A Б В

Г Д

56. Скільки електронів знаходиться на одному заповненому енергетичному рівні?

А Б В Г Д

1 2 3 4 5

57. Як називається енергетична зона з найвищими дозволеними рівнями енергій?

А Б В Г

Валентна зона Зона провідності Свобідна зона Заборонена зона

58. Яке кристалічне тіло є провідником? В якого:

А Б В Г

Відсутня забо- Ширина 0< <3eV >6eV

ронена зона зменшується

при збільшенні

температури

тіла

59. Яке кристалічне тіло є напівпровідником? В якого:

А Б В Г

Відсутня забо- Ширина 0< <3eV >6eV

ронена зона зменшується

при збільшенні

температури

тіла

60. Яке кристалічне тіло є діелектриком? В якого:

А Б В Г

Відсутня забо- Ширина 0< <3eV >6eV

ронена зона зменшується

при збільшенні

температури

тіла

61. Від чого залежить власна провідність напівпровідника?

А Б В Г Д

температури напруги Концентрації роботи концентрації

акцепторної виходу донорної

домішки електронів домішки

62. Від чого залежить електронна провідність напівпровідника?

А Б В Г Д

температури напруги Концентрації роботи концентрації

акцепторної виходу донорної

домішки електронів домішки

63. Від чого залежить діркова провідність напівпровідника?

А Б В Г Д

температури напруги Концентрації роботи концентрації

акцепторної виходу донорної

домішки електронів домішки

64. Що таке час життя носіїв заряду? Це час:

А Б В Г

руху носіїв заряду руху носіїв на протязі якого між появою носіїв

від одного полюса заряду через концентрація заряду при термо-

джерела до другого р-n перехід неосновних носіїв генерації та ре-

заряду зменшується комбінацією

в е раз

65. Під дією якої рушійної сили відбувається дрейфовий рух носіїв заряду?

А	Б	В	Г	Д
температури	різниці концентрацій	освітлення	різниці температур	електричного поля

66. Під дією якої рушійної сили відбувається дифузійний рух носіїв заряду?

А	Б	В	Г	Д
температури	різниці концентрацій	освітлення	різниці температур	електричного поля

67. Від чого залежить концентрація основних носіїв заряду?

А	Б	В	Г
температури	напруги	концентрації домішок	освітлення

68. Від чого залежить концентрація неосновних носіїв заряду?

А	Б	В	Г
температури	напруги	концентрації акцепторних домішок	концентрації донорних домішок

69. Що таке термогенерація?

А	Б	В	Г
перехід електро­на з валентної зо­ни в зону провід­ності	вихід електрона з об’єма тіла	заповнення сво­бідної дирки валентним елек­троном	заповнення сво­бідної дирки електроном з зо­ни провідності

70. Що таке рекомбінація?

А	Б	В	Г
перехід електро­на з валентної зо­ни в зону провід­ності	вихід електрона з об’єма тіла	заповнення сво­бідної дирки валентним елек­троном	заповнення сво­бідної дирки електроном з зо­ни провідності

71. Порівняйте рухливість електронів і дирок.

А	Б	В	Г
рухливість елек­тронів вища від рухливості дірок	рухливості електронів і дірок одинакова	рухливість дірок вища від рухливості електронів	рухливість дірок і електронів різна при різних напругах

72. Яка область р-n структури називається емітером?

А	Б	В	Г	Д
дірковий напівпровід­ник	електронний напівпровид­ник	напівпровід­ник з біль­шою концен­трацією основних носіїв	високоомний напівпровід­ник	напівпровід­ник з мен­шою концен­трацією основних носіїв

73. Яка область р-n структури називається базою?

А	Б	В	Г	Д
дірковий напівпровід­ник	електронний напівпровид­ник	напівпровід­ник з біль­шою концен­трацією основних носіїв	низькоомний напівпровід­ник	напівпровід­ник з мен­шою концен­трацією основних носіїв

74. Як потенціальний бар’єр впливає на рух носіїв заряду через р-n перехід?

А	Б	В	Г
гальмує неоснов­ні і не впливає на основні	гальмує основні і не впливає на неосновні	гальмує неоснов­ні і прискорює основні	гальмує основні і прискорює не основні

75. Як пряма напруга на р-n переході впливає на рух носіїв заряду через р-n перехід?

А	Б	В	Г
гальмує неоснов­ні і не впливає на основні	гальмує основні і не впливає на неосновні	гальмує неоснов­ні і прискорює основні	гальмує основні і прискорює не основні

76. Як обернена напруга на р-n переході впливає на рух носіїв заряду через р-n перехід?

А	Б	В	Г
гальмує неоснов­ні і не впливає на основні	гальмує основні і не впливає на неосновні	гальмує неоснов­ні і прискорює основні	гальмує основні і прискорює не основні

77. Чому дорівнює спад напруги на відкритому кремнієвому р-n переході?

А

Б

В

Г

0 В 0,2...0,4 В 0,6...0,8 В 1...10 В

78. Чому дорівнює спад напруги на відкритому германієвому р-n переході?

А

Б

В

Г

0 В 0,2...0,4 В 0,6...0,8 В 1...10 В

79. Що відбувається в р-n переході при прямій напрузі на ньому?

А	Б	В	Г
опір р-n переходу великий і йде малий дифузій­ний струм	опір р-n переходу малий і йде великий дифузій­ний струм	опір р-n переходу великий і йде малий дрейфовий струм	опір р-n переходу малий і йде великий дрейфовий струм

80. Що відбувається в р-n переході при оберненій напрузі на ньому?

А	Б	В	Г
опір р-n переходу великий і йде малий дифузій­ний струм	опір р-n переходу малий і йде великий дифузій­ний струм	опір р-n переходу великий і йде малий дрейфовий струм	опір р-n переходу малий і йде великий дрейфовий струм

81. Який з пробоїв р-n переходу є незворотнім ?

А

Б

В

Г

лавинний тунельний тепловий поверхневий

82.Коли відбувається тепловий пробій р-n переходу?

А	Б	В	Г
коли зовнішня температура перевищує допустиму	коли обернена напруга на р-n переході перевищує допустиму	коли пряма напруга на р-n переході перевищує допустиму	коли струм р-n переходу перевищує допустимий

83.Коли відбувається лавинний пробій р-n переходу?

А	Б	В	Г
коли зовнішня температура перевищує допустиму	коли обернена напруга на р-n переході перевищує допустиму	коли пряма напруга на р-n переході перевищує допустиму	коли струм р-n переходу перевищує допустимий

84.Коли відбувається тунельний пробій р-n переходу?

А	Б	В	Г
коли зовнішня температура перевищує допустиму	коли обернена напруга на р-n переході перевищує допустиму	коли пряма напруга на р-n переході перевищує допустиму	коли струм р-n переходу перевищує допустимий

85. Від чого залежить величина бар’єрної ємності р-n переходу?

А	Б	В	Г	Д
від темпера­тури	від прямої напруги на р-n переході	від оберненої напруги на р-n переході	від струму через р-n перехід	від частоти вхідного сигналу

86. Від чого залежить величина дифузійної ємності р-n переходу?

А	Б	В	Г	Д
від темпера­тури	від прямої напруги на р-n переході	від оберненої напруги на р-n переході	від струму через р-n перехід	від частоти вхідного сигналу

87. Що відбувається при зростанні бар’єрної ємності діода?

А	Б	В	Г	Д
зростає напруга електричного пробою	зменшується напруга електричного пробою	покращуєть­ся швидкодія	погіршується швидкодія	зростає струм діода

88. Що відбувається при зростанні дифузійної ємності діода?

А	Б	В	Г	Д
зростає напруга електричного пробою	зменшується напруга електричного пробою	покращуєть­ся швидкодія	погіршується швидкодія	зростає струм діода

89. Яке фізичне явище або властивість р-n переходу використовується для побудови стабілітрона?

А	Б	В	Г	Д
термогенера­ція	електричний пробій при прямій напрузі на р-n переході	електричний пробій при обернений напрузі на р-n переході	бар’єрна ємність	дифузійна ємність

90. Яке фізичне явище або властивість р-n переходу використовується для побудови варікапа?

А	Б	В	Г	Д
термогенера­ція	електричний пробій при прямій напрузі на р-n переході	електричний пробій при обернений напрузі на р-n переході	бар’єрна ємність	дифузійна ємність

91. Що є діодом Шоткі?

А	Б	В	Г
р-n перехід з малою бар’єрною ємністю	р-n перехід з малою дифузійною ємністю	випрямний контакт метал-напівпровідник	невипрямний контакт метал- напівпровідник

92. Яку основну функцію виконує випрямний діод?

А	Б	В	Г	Д
стабілізує напругу	пропускає струм тільки в одному напрямку	виконує роль керованої ємності	забезпечує гальванічне розділення між вхідним і вихідним колом	забезпечує підвищену швидкодію в порівнянні з іншими діодами

93. Яку основну функцію виконує стабілітрон?

А	Б	В	Г	Д
стабілізує напругу	пропускає струм тільки в одному напрямку	виконує роль керованої ємності	забезпечує гальванічне розділення між вхідним і вихідним колом	забезпечує підвищену швидкодію в порівнянні з іншими діодами

94. Яку основну функцію виконує варікап?

А	Б	В	Г	Д
стабілізує напругу	пропускає струм тільки в одному напрямку	виконує роль керованої ємності	забезпечує гальванічне розділення між вхідним і вихідним колом	забезпечує підвищену швидкодію в порівнянні з іншими діодами

95. Яку основну функцію виконує діодний оптрон?

А	Б	В	Г	Д
стабілізує напругу	пропускає струм тільки в одному напрямку	виконує роль керованої ємності	забезпечує гальванічне розділення між вхідним і вихідним колом	забезпечує підвищену швидкодію в порівнянні з іншими діодами

96.Яку основну функцію виконує діод Шоткі?

А	Б	В	Г	Д
стабілізує напругу	виконує роль омічного контакта	виконує роль керованої ємності	забезпечує гальванічне розділення між вхідним і вихідним колом	забезпечує підвищену швидкодію в порівнянні з іншими діодами

97. Яку основну функцію виконує світлодіод?

А	Б	В	Г	Д
випромінює світло при прямій напрузі на р-n переході	випромінює світло при оберненій напрузі на р-n переході	при освітленні та прямій напрузі на р-n переході генерує струм	при освітленні та оберненій напрузі на р-n переході генерує струм	міняє двосторонню провідність при освітленні

98. Яку основну функцію виконує фотодіод?

А	Б	В	Г	Д
випромінює світло при прямій напрузі на р-n переході	випромінює світло при оберненій напрузі на р-n переході	при освітленні та прямій напрузі на р-n переході генерує струм	при освітленні та оберненій напрузі на р-n переході генерує струм	міняє двосторонню провідність при освітленні

99. Яку основну функцію виконує фоторезистор?

А	Б	В	Г	Д
випромінює світло при прямій напрузі на р-n переході	випромінює світло при оберненій напрузі на р-n переході	при освітленні та прямій напрузі на р-n переході генерує струм	при освітленні та оберненій напрузі на р-n переході генерує струм	міняє двосторонню провідність при освітленні

100. Який елемент схеми заміщення діода враховує його динамічні параметри?

А	Б	В	Г
динамічний (ди­ференціальний) опір відкритого діода	генератор напруги відсічки	ємність р-n переходу	обернений опір закритого діода

101. Який з зображених діодів є випрямний?

102.Який з зображених діодів є стабілітрон?

103.Який з зображених діодів є варікап?

104.Який з зображених діодів є діод Шоткі?

105. Чим характеризується активний режим роботи транзистора?

А	Б	В	Г
оба переходи відкриті	перехід база- емітер відкритий, а база-колектор закритий	перехід база- емітер закритий, а база-колектор відкритий	оба переходи закриті

106. Чим характеризується режим відсічки транзистора?

А	Б	В	Г
оба переходи відкриті	перехід база- емітер відкритий, а база-колектор закритий	перехід база- емітер закритий, а база-колектор відкритий	оба переходи закриті

107. Чим характеризується режим насичення транзистора?

А	Б	В	Г
оба переходи відкриті	перехід база- емітер відкритий, а база-колектор закритий	перехід база- емітер закритий, а база-колектор відкритий	оба переходи закриті

108. Чим характеризується інверсний режим роботи транзистора?

А	Б	В	Г
оба переходи відкриті	перехід база- емітер відкритий, а база-колектор закритий	перехід база- емітер закритий, а база-колектор відкритий	оба переходи закриті

109. Яка ширина бази біполярного транзистора?

А	Б	В	Г	Д
ширина бази і емітера однакові	ширина бази і колектора однакові	ширина бази не переви­щує довжини пробігу носіїв заряду	ширина бази більша від ширини емітера	ширина бази більша від ширини колектора

110. Яке співвідношення між концентраціями основних носіїв заряду емітера і бази біполярного транзистора?

А

Б

В

Г

Д

= =2 =2 << >>

111. На якому рисунку правильно позначено виводи біполярного транзистора?

112. Вкажіть р-n-р транзистор

113. Вкажіть n-р-n транзистор

114. Яке підсилення має транзистор, ввімкнений по схемі з спільною базою?

А	Б	В	Г
є підсилення по струму і по напрузі	відсутнє підсилення по струму і по напрузі	є підсилення по струму, відсутнє по напрузі	є підсилення по напрузі, відсутнє по струму

115. Яке підсилення має транзистор, ввімкнений по схемі з спільним емітером?

А	Б	В	Г
є підсилення по струму і по напрузі	відсутнє підсилення по струму і по напрузі	є підсилення по струму, відсутнє по напрузі	є підсилення по напрузі, відсутнє по струму

116. Який з h-параметрів є коефіцієнтом передачі струму?

А Б В Г

117. Яка з характеристик є вхідною для схеми з спільною базою?

А	Б	В	Г	Д
при	при	при	при	при

118. Яка з характеристик є вхідною для схеми з спільним емітером?

А	Б	В	Г	Д
при	при	при	при	при

119. Яка з характеристик є вихідною для схеми з спільною базою?

А	Б	В	Г	Д
при	при	при	при	при

120.Яка з характеристик є вихідною для схеми з спільним емітером?

А	Б	В	Г	Д
при	при	при	при	при