
- •Основы кристаллографии и дефекты кристаллического строения
- •Лекция 1. Основные понятия о кристаллах План лекции
- •1.1. Закон постоянства гранных углов
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 2. Структура кристаллов и пространственная
- •План лекции
- •2.1. Элементарная ячейка, её выбор, метрика
- •2.2. Кристаллическая структура
- •2.3. Кристаллографические символы узлов, плоскостей и направлений в кристаллах кубической сингонии
- •2.4. Символы узлов
- •2.5. Символы рядов (ребер, направлений)
- •2.6. Символы плоскостей (граней)
- •Контрольные вопросы
- •3.2. Определение символа атомной плоскости по координатам трёх узлов пространственной решётки
- •3.4. Кристаллографическая символика в гексагональной сингонии
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 4. Элементы симметрии конечных фигур План лекции
- •4.1. Понятие о симметрии
- •4.2. Элементы симметрии кристаллических многогранников
- •Обозначение элементов симметрии
- •4.3. Взаимодействие симметрических операций (элементов симметрии)
- •4.4. Осевая теорема Эйлера
- •4.5. Теоремы сложения элементов симметрии
- •4.6. Точечные группы симметрии
- •Контрольные вопросы
- •5.2. Правила кристаллографической установки кристаллов для различных сингоний.
- •5.3. Кристаллографические проекции
- •5.4. Сферическая проекция
- •5.5. Стереографическая проекция
- •5.6. Гномостереографическая проекция
- •Контрольные вопросы
- •План лекции
- •6.1. Классы симметрии
- •6.2. Виды симметрии кристаллов, обладающих единичных направлением
- •6.3. Элементы симметрии бесконечных фигур
- •6.4. Винтовые оси симметрии
- •6.5. Плоскость скользящего отражения
- •6.6 Решетки Бравэ
- •6.7. Условия выбора ячеек Бравэ
- •6.8 Характеристика решеток Бравэ
- •Тип ячейки Бравэ.
- •6.9. Трансляционная группа, базис ячейки
- •6.10. Пример Выбора элементарной ячейки Бравэ
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 7. Задачи, решаемые кристаллохимией План лекции
- •7.1 Координационное число, координационный полиэдр, число формульных единиц
- •7. 2. Плотнейшие шаровые упаковки в кристаллах
- •7.3. Основные типы структур
- •7.4. Основные категории кристаллохимии
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 8. Точечные дефекты План лекции
- •8.1. Понятие об идеальном и реальном кристалле
- •8.2. Классификация дефектов кристаллической решетки
- •8.3. Точечные дефекты
- •8.4. Искажение решетки вокруг точечных дефектов
- •8.5. Термодинамика точечных дефектов
- •8.6. Миграция точечных дефектов
- •8.6.1.Миграция вакансий
- •8.6.2. Миграция межузельных атомов
- •8.6.3.Миграция примесных атомов
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 9. Основные типы дислокаций и их движение План лекции
- •9.2. Скольжение краевой дислокации
- •9.3.Переползание краевой дислокации
- •9.6. Смешанные дислокации и их движение
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 10. Количественные характеристики дислокаций План лекции
- •10.2 Вектор Бюргерса
- •10.3. Плотность дислокаций
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 11. Упругие свойства дислокаций План лекции
- •11.1. Энергия дислокации
- •11.2. Силы, действующие на дислокацию
- •11.3. Упругое взаимодействие параллельных краевых дислокаций
- •11.4. Упругое взаимодействие параллельных винтовых дислокации
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 13. Пересечение дислокаций План лекции
- •13.1. Пересечение краевых дислокаций
- •13.2. Пересечение краевой и винтовой дислокаций
- •13.3. Пересечение винтовых дислокаций
- •13.4. Движение дислокации с порогами
- •13.5. Пересечение растянутых дислокаций
- •Контрольные вопросы
- •14.1.2 Атмосферы Снука
- •14.1.3. Атмосферы Сузуки
- •1.4.2. Взаимодействие дислокаций с вакансиями и межузельными атомами
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 15. Образование дислокаций План лекции
- •15.1. Происхождение дислокаций
- •15.2. Размножение дислокаций при пластической деформации Источник Франка — Рида
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 16. Границы зерен и субзерен План лекции
- •16.1.Границы кручения и наклона
- •16.2. Малоугловые границы
- •16.3. Высокоугловые границы
- •16.4. Специальные и произвольные границы
- •16.5. Зернограничные дислокации
- •План лекции
- •17.2. Торможение дислокаций при их взаимодействии с другими дислокациями и границами зерен
- •17.3. Торможение дислокаций дисперсными частицами
- •17.4. Выгибание дислокаций между дисперсными частицами
- •17.5. Локальное поперечное скольжение
- •17.6. Перерезание дислокациями дисперсных частиц
- •17.7.2. Торможение дислокаций в твердых растворах
3.2. Определение символа атомной плоскости по координатам трёх узлов пространственной решётки
Положение атомной плоскости в кристалле наряду с описанными методами может быть также определено с помощью совмещенных с этой плоскостью трех узлов пространственной решетки.
Пусть заданы координаты трех узлов пространственной решетки.
М1[[m1; n1; p1]], М2[[m2; n2; p2]], М3[[m3; n3; p3]],
Тогда отношение индексов атомной плоскости можно определить с помощью трех детерминантов:
(3.2)
С помощью формулы (3) определим символ плоскости, заданной тремя точками М1[[1; 1/2; 1]], М2[[1/2; 1; 1]], М3[[1; 1; 1/2]]:
В результате получим символ плоскости (111).
В заключение отметим, что индексы плоскости h, k, l в большинстве случаев выражаются небольшими (однозначными) числами, что непосредственно связано с законом Бравэ. Действительно, наиболее плотноупакованным граням кристалла соответствуют сравнительно высокая ретикулярная плотность, высокая вероятность образования грани на растущем кристалле и небольшие численные значения индексов. Так, с уменьшением ретикулярной плотности r атомных плоскостей увеличиваются значения индексов (рис. 3.2).
3.3. Определение символов граней и направлений по методу
косинусов в кубической решетке
Положение любой грани кристалла (h k l) ( или плоскости в решетке) определяется углами, которые составляют нормаль к этой грани с осями координат. Плоскость АВС отсекает на осях координат отрезки ОА, ОВ, ОС (рис.3.3)
Из
начала координат опущен перпендикуляр
на плоскость АВС. Нормаль ОР образует
с осями координат углы
Из
чертежа вытекает, что
;
;
.
Если
ОА=m,
ОВ=n,
OC=p,
то
.
С
другой стороны
В
результате, для кубических кристаллов
,
то есть составив отношение направляющих
косинусов легко получить символ грани.
Символ
направлений связан с направляющими
косинусами соотношением
,
в котором углы
между соответствующими кристаллографическими
осями и направлением.
Рис. 3.3. К выводу соотношения между индексами и направляющими косинусами грани.
3.4. Кристаллографическая символика в гексагональной сингонии
В гексагональной решетке начало координат помещают в центр основания элементарной ячейки (рис. 3.4). Кристаллографические оси х и у проходят из этого центра через вершины шестиугольного основания элементарной ячейки, располагаясь под углом 120° одна к другой, а ось z является вертикальной осью гексагональной призмы. За единицу измерения вдоль осей х и у принимают период решетки а, а вдоль оси z— период с.
В
гексагональной решетке, как и в кубической,
индексами Миллера плоскости являются
приведенные к наименьшим целым числам
величины, обратные отрезкам, отсекаемым
плоскостью на трех кристаллографических
осях. Например, плоскость базиса
элементарной ячейки, параллельная осям
х
и у
и отсекающая на оси z
отрезок в один период решетки, имеет
индексы
,
т.е. (001). Передняя вертикальная грань
призмы, отсекающая на оси х
отрезок в один период решетки и
параллельная осям у и z,
имеет индексы
,
т.е. (100). Заштрихованная боковая грань
призмы, отсекающая на осях х
и у отрезки
в один период решетки и параллельная
оси z,
имеет индексы
,
т.е.
.
Рассмотренные
плоскости призмы
и
структурно эквивалентны, но они не имеют
подобных индексов Миллера. Это неудобно,
так как по сочетанию трех индексов
нельзя сразу сказать, являются ли
непараллельные плоскости (а также
направления) структурно эквивалентными.
Поэтому чаще пользуются четырехиндексовой
системой Миллера—Браве.
В плоскости базиса проводят дополнительную ось и, расположенную под углом 120° к осям х и у. Направление - и находится между направлениями + х и + у. Дополнительный индекс i определяют точно так же, как и индексы Миллера, и ставят на третьем месте (hkil).
Положение
плоскости в пространстве полностью
задается тремя индексами. Поэтому новый
индекс является зависимым а именно он
равен сумме первых двух с обратным
знаком: i=
- (h+k).
Для проверки правильности написания
индексе плоскости индекс i
можно не вычислять, а определять
одновременно с другими индексами по
величине, обратной отрезку, отсекаемому
на оси и.
Например, передняя вертикальная грань
призмы имеет индексы Миллера—Бравэ
,
т.е.
,
а боковая заштрихованная грань—индексы
,
т.е.
.
При
четырехиндексовой системе индексы
по-разному ориентированных структурно
эквивалентных плоскостей получают
перестановкой и переменой знака первых
трех индексов. Всю совокупность таких
плоскостей обозначают заключенными в
фигурные скобки индексами любой из
плоскостей. Например, структурно
эквивалентные плоскости призмы 1-го
рода имеют индексы
,
а плоскости призмы 2-го рода—индексы
[плоскость с индексами
на
рис. 10 проходит через штрихпунктирные
резки]. Плоскости пирамиды 1-го рода
имеют индексы
,
а 2-го рода
.
Для
определения индексов направлений в
гексагональной решетке также чаще
используют четырехиндексовую систему.
Для этого направление переносят
параллельно самому себе в начало
координат и из любой его точки опускают
перпендикуляры на четыре кристаллографические
оси. Например, координатами точки q
на (рис. 3.4) по осям х,
у, и и z
являются отрезки—
и 0 (ось z
перпендикулярна плоскости чертежа).
Соответственно направление +у имеет
индексы
.
Шесть структурно эквивалентных
направлений +х,
—х,
+у, —у, +и, —и,
имеют индексы
или
и т.д.
Т
z
очка
r
имеет координаты
,
0,
и
0. Направление проходящее через эту
точку и начало координат, имеет индексы
.
Соответствующие структурно эквивалентные
направления можно обозначить индексами
или
и т.д.
х
Рис.3.4. Пример
кристаллографических плоскостей в
гексагональной решетке