
- •Основы кристаллографии и дефекты кристаллического строения
- •Лекция 1. Основные понятия о кристаллах План лекции
- •1.1. Закон постоянства гранных углов
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 2. Структура кристаллов и пространственная
- •План лекции
- •2.1. Элементарная ячейка, её выбор, метрика
- •2.2. Кристаллическая структура
- •2.3. Кристаллографические символы узлов, плоскостей и направлений в кристаллах кубической сингонии
- •2.4. Символы узлов
- •2.5. Символы рядов (ребер, направлений)
- •2.6. Символы плоскостей (граней)
- •Контрольные вопросы
- •3.2. Определение символа атомной плоскости по координатам трёх узлов пространственной решётки
- •3.4. Кристаллографическая символика в гексагональной сингонии
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 4. Элементы симметрии конечных фигур План лекции
- •4.1. Понятие о симметрии
- •4.2. Элементы симметрии кристаллических многогранников
- •Обозначение элементов симметрии
- •4.3. Взаимодействие симметрических операций (элементов симметрии)
- •4.4. Осевая теорема Эйлера
- •4.5. Теоремы сложения элементов симметрии
- •4.6. Точечные группы симметрии
- •Контрольные вопросы
- •5.2. Правила кристаллографической установки кристаллов для различных сингоний.
- •5.3. Кристаллографические проекции
- •5.4. Сферическая проекция
- •5.5. Стереографическая проекция
- •5.6. Гномостереографическая проекция
- •Контрольные вопросы
- •План лекции
- •6.1. Классы симметрии
- •6.2. Виды симметрии кристаллов, обладающих единичных направлением
- •6.3. Элементы симметрии бесконечных фигур
- •6.4. Винтовые оси симметрии
- •6.5. Плоскость скользящего отражения
- •6.6 Решетки Бравэ
- •6.7. Условия выбора ячеек Бравэ
- •6.8 Характеристика решеток Бравэ
- •Тип ячейки Бравэ.
- •6.9. Трансляционная группа, базис ячейки
- •6.10. Пример Выбора элементарной ячейки Бравэ
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 7. Задачи, решаемые кристаллохимией План лекции
- •7.1 Координационное число, координационный полиэдр, число формульных единиц
- •7. 2. Плотнейшие шаровые упаковки в кристаллах
- •7.3. Основные типы структур
- •7.4. Основные категории кристаллохимии
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 8. Точечные дефекты План лекции
- •8.1. Понятие об идеальном и реальном кристалле
- •8.2. Классификация дефектов кристаллической решетки
- •8.3. Точечные дефекты
- •8.4. Искажение решетки вокруг точечных дефектов
- •8.5. Термодинамика точечных дефектов
- •8.6. Миграция точечных дефектов
- •8.6.1.Миграция вакансий
- •8.6.2. Миграция межузельных атомов
- •8.6.3.Миграция примесных атомов
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 9. Основные типы дислокаций и их движение План лекции
- •9.2. Скольжение краевой дислокации
- •9.3.Переползание краевой дислокации
- •9.6. Смешанные дислокации и их движение
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 10. Количественные характеристики дислокаций План лекции
- •10.2 Вектор Бюргерса
- •10.3. Плотность дислокаций
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 11. Упругие свойства дислокаций План лекции
- •11.1. Энергия дислокации
- •11.2. Силы, действующие на дислокацию
- •11.3. Упругое взаимодействие параллельных краевых дислокаций
- •11.4. Упругое взаимодействие параллельных винтовых дислокации
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 13. Пересечение дислокаций План лекции
- •13.1. Пересечение краевых дислокаций
- •13.2. Пересечение краевой и винтовой дислокаций
- •13.3. Пересечение винтовых дислокаций
- •13.4. Движение дислокации с порогами
- •13.5. Пересечение растянутых дислокаций
- •Контрольные вопросы
- •14.1.2 Атмосферы Снука
- •14.1.3. Атмосферы Сузуки
- •1.4.2. Взаимодействие дислокаций с вакансиями и межузельными атомами
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 15. Образование дислокаций План лекции
- •15.1. Происхождение дислокаций
- •15.2. Размножение дислокаций при пластической деформации Источник Франка — Рида
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 16. Границы зерен и субзерен План лекции
- •16.1.Границы кручения и наклона
- •16.2. Малоугловые границы
- •16.3. Высокоугловые границы
- •16.4. Специальные и произвольные границы
- •16.5. Зернограничные дислокации
- •План лекции
- •17.2. Торможение дислокаций при их взаимодействии с другими дислокациями и границами зерен
- •17.3. Торможение дислокаций дисперсными частицами
- •17.4. Выгибание дислокаций между дисперсными частицами
- •17.5. Локальное поперечное скольжение
- •17.6. Перерезание дислокациями дисперсных частиц
- •17.7.2. Торможение дислокаций в твердых растворах
13.4. Движение дислокации с порогами
Пороги на дислокациях в зависимости от их высоты подразделяют на короткие (элементарные) и длинные (составные). Высота элементарного порога равна вектору Бюргерса пересекающей дислокации. Пороги на рис. 1—4 элементарные.
Если же дислокацию последовательно пересекает ряд дислокаций, скользящих в одной плоскости, то возникает длинный (составной) порог размером в несколько векторов Бюргерса.
Порог РР' краевой дислокации на рис. 13.1,б имеет краевую ориентацию и лежит в плоскости klтп, являющейся одной из плоскостей скольжения в кристалле. Поэтому порог РР' может скользить вместе со своей краевой дислокацией ЕР, которая скользит в плоскости rstv.
Рис. 13.5 Скользящая винтовая дислокация с элементарным порогом, имеющим краевую ориентацию: v – направления скольжения
Значительно многообразнее и важнее поведение порогов на винтовых дислокациях. Эти пороги (см, рис. 13.3, б и 13.4,6) имеют краевую ориентацию способны скользить, только вдоль линии винтовой дислокации в направлении вектора Бюргерса, Например, на рис. 4,5 элементарный порог РР' может скользить только вдоль линии СD. Винтовая же дислокация СD на рис.4 скользит справа налево. Ее порог РР' в этом направлении может перемещаться нормальным способом только переползанием — медленной диффузионной достройкой экстраплоскости, находящейся справа от порога РР'.
Быстро скользя, справа налево, дислокация как бы протаскивает за собой порог РР', оставляя на его пути (заштрихован на рис. 13.4,б) дорожку вакансий. Протаскивание элементарного порога на одно межатомное расстояние влево означает образование позади него вакансии. Рис. 13.5 более наглядно иллюстрирует образование дорожки из вакансий (пустоты перед заштрихованной экстраплоскостью) при протаскивании порога. Если порог будет протаскиваться в обратном направлении, то возникает цепочка из межузельных атомов. Следовательно, один и тот же порог на винтовой дислокации в зависимости от направления его. протаскивания генерирует или вакансии, или межузельные атомы и соответственно называется вакансионным или межузельным порозом.
Цепочка точечных дефектов, образующихся в хвосте за протаскиваемым порогом, быстро рассасывается диффузионным путем в разные стороны, и с этой точки зрения передвижение винтовой дислокации с порогом — необратимый процесс.
Процесс образования точечных дефектов при скольжении винтовых дислокаций с элементарными порогами изучен недостаточно. Многие авторы придают ему большое значение, считая, что это основной механизм генерирования вакансий при пластической деформации. Сам факт увеличения числа вакансий при пластической деформации сомнений не вызывает. В частности, именно им объясняется увеличение электропроводности хлористого натрия примерно в 100 раз после пластической деформации на 10 % (увеличение числа вакансий облегчает диффузию, а перенос электричества в ионных кристаллах происходит путем диффузионного перемещения ионов).
|
|
Рис. 13.6 Образование цепочек вакансий при скольжении винтовой дислокации с элементарными порогами: а —дислокация с порогами до приложения напряжений; б — изгибание дислокации между порогами под действием приложенных напряжений; в — скользящая дислокация оставляет позади порогов цепочки вакансий: v — направление скольжения |
Рис. 13.7 Образование диполя и призматических петель при скольжении винтовой дислокации с длинным порогом: v— направление скольжения |
Однако до сих пор не известно число вакансий, образующихся по схеме, изображенной на рис. 13.4,6 и 13.5. Положение осложняется еще и тем, что пороги могут скользить вдоль винтовой дислокации и, встречаясь, могут аннигилировать.
Образование точечных дефектов при протаскивании порогов требует затраты энергии. Пороги на дислокации затрудняют ее скольжение, и линия дислокации выгибается между порогами (ср. рис. 13.6,а и б) под действием приложенных напряжений в соответствии с формулой (11.10).
τ=αGb/r.
Когда напряжение становится больше, чем то, которое требуется для генерирования вакансий, дальнейшее выгибание линии дислокации между порогами прекращается, и дислокация как единое целое скользит, оставляя позади элементарных порогов цепочку вакансий (рис. 13.6,в). По-другому проявляют себя длинные пороги. При скольжении винтовой дислокации порог сразу же отстает от нее, а так как дислокация не может оборваться внутри кристалла, то около порога возникает петля abcd (рис. 13.7, а, б). Параллельные отрезки петли аb и cd имеют краевую ориентацию и противоположные знаки. В предельном случае, когда между этими отрезками одно межатомное расстояние, при их взаимном упругом притяжении они аннигилируют в соответствии с рис. 11.5, б и возникает цепочка вакансий. Это и есть только что рассмотренный случай протаскивания элементарного порога.
Если же на дислокации образовался длинный порог, то краевые дислокации аЬ и ей не аннигилируют, а стремятся вследствие упругого взаимодействия образовать в параллельных плоскостях скольжения устойчивую конфигурацию (0В на рис. 11.4,6). В результате скольжение винтовой дислокации с длинным порогом приводит к образованию довольно устойчивой петли— дислокационного диполя, состоящего из связанных длинным порогом краевых дислокаций разного знака в параллельных плоскостях скольжения (см. рис. 13.7,6). Если порог больше некоторой критической длины, то диполь не образуется, так как отрезки дислокации аb и сd могут под действием приложенных напряжений легко проходить один мимо другого.
Дипольная петля способна понизить свою упругую энергию, разбиваясь на вытянутые или круглые замкнутые призматические дислокационные петли (рис. 13.7,е).
Другой механизм образования дислокационных диполей—двойное поперечное скольжение. В плоскости поперечного скольжения (111) на рис. 9.18, в параллельные участки дислокаций имеют краевую ориентацию и разный знак, т. е. могут образовать устойчивый диполь.