
- •Основы кристаллографии и дефекты кристаллического строения
- •Лекция 1. Основные понятия о кристаллах План лекции
- •1.1. Закон постоянства гранных углов
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 2. Структура кристаллов и пространственная
- •План лекции
- •2.1. Элементарная ячейка, её выбор, метрика
- •2.2. Кристаллическая структура
- •2.3. Кристаллографические символы узлов, плоскостей и направлений в кристаллах кубической сингонии
- •2.4. Символы узлов
- •2.5. Символы рядов (ребер, направлений)
- •2.6. Символы плоскостей (граней)
- •Контрольные вопросы
- •3.2. Определение символа атомной плоскости по координатам трёх узлов пространственной решётки
- •3.4. Кристаллографическая символика в гексагональной сингонии
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 4. Элементы симметрии конечных фигур План лекции
- •4.1. Понятие о симметрии
- •4.2. Элементы симметрии кристаллических многогранников
- •Обозначение элементов симметрии
- •4.3. Взаимодействие симметрических операций (элементов симметрии)
- •4.4. Осевая теорема Эйлера
- •4.5. Теоремы сложения элементов симметрии
- •4.6. Точечные группы симметрии
- •Контрольные вопросы
- •5.2. Правила кристаллографической установки кристаллов для различных сингоний.
- •5.3. Кристаллографические проекции
- •5.4. Сферическая проекция
- •5.5. Стереографическая проекция
- •5.6. Гномостереографическая проекция
- •Контрольные вопросы
- •План лекции
- •6.1. Классы симметрии
- •6.2. Виды симметрии кристаллов, обладающих единичных направлением
- •6.3. Элементы симметрии бесконечных фигур
- •6.4. Винтовые оси симметрии
- •6.5. Плоскость скользящего отражения
- •6.6 Решетки Бравэ
- •6.7. Условия выбора ячеек Бравэ
- •6.8 Характеристика решеток Бравэ
- •Тип ячейки Бравэ.
- •6.9. Трансляционная группа, базис ячейки
- •6.10. Пример Выбора элементарной ячейки Бравэ
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 7. Задачи, решаемые кристаллохимией План лекции
- •7.1 Координационное число, координационный полиэдр, число формульных единиц
- •7. 2. Плотнейшие шаровые упаковки в кристаллах
- •7.3. Основные типы структур
- •7.4. Основные категории кристаллохимии
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 8. Точечные дефекты План лекции
- •8.1. Понятие об идеальном и реальном кристалле
- •8.2. Классификация дефектов кристаллической решетки
- •8.3. Точечные дефекты
- •8.4. Искажение решетки вокруг точечных дефектов
- •8.5. Термодинамика точечных дефектов
- •8.6. Миграция точечных дефектов
- •8.6.1.Миграция вакансий
- •8.6.2. Миграция межузельных атомов
- •8.6.3.Миграция примесных атомов
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 9. Основные типы дислокаций и их движение План лекции
- •9.2. Скольжение краевой дислокации
- •9.3.Переползание краевой дислокации
- •9.6. Смешанные дислокации и их движение
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 10. Количественные характеристики дислокаций План лекции
- •10.2 Вектор Бюргерса
- •10.3. Плотность дислокаций
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 11. Упругие свойства дислокаций План лекции
- •11.1. Энергия дислокации
- •11.2. Силы, действующие на дислокацию
- •11.3. Упругое взаимодействие параллельных краевых дислокаций
- •11.4. Упругое взаимодействие параллельных винтовых дислокации
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 13. Пересечение дислокаций План лекции
- •13.1. Пересечение краевых дислокаций
- •13.2. Пересечение краевой и винтовой дислокаций
- •13.3. Пересечение винтовых дислокаций
- •13.4. Движение дислокации с порогами
- •13.5. Пересечение растянутых дислокаций
- •Контрольные вопросы
- •14.1.2 Атмосферы Снука
- •14.1.3. Атмосферы Сузуки
- •1.4.2. Взаимодействие дислокаций с вакансиями и межузельными атомами
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 15. Образование дислокаций План лекции
- •15.1. Происхождение дислокаций
- •15.2. Размножение дислокаций при пластической деформации Источник Франка — Рида
- •Контрольные вопросы
- •Лекция 16. Границы зерен и субзерен План лекции
- •16.1.Границы кручения и наклона
- •16.2. Малоугловые границы
- •16.3. Высокоугловые границы
- •16.4. Специальные и произвольные границы
- •16.5. Зернограничные дислокации
- •План лекции
- •17.2. Торможение дислокаций при их взаимодействии с другими дислокациями и границами зерен
- •17.3. Торможение дислокаций дисперсными частицами
- •17.4. Выгибание дислокаций между дисперсными частицами
- •17.5. Локальное поперечное скольжение
- •17.6. Перерезание дислокациями дисперсных частиц
- •17.7.2. Торможение дислокаций в твердых растворах
11.2. Силы, действующие на дислокацию
Движение дислокации вызывает пластическую деформацию кристалла, т.е. дислокация совершает работу. Учитывая это, можно оперировать представлением о действии некоторой силы на линию дислокации как на самостоятельный физический объект. Фактически же дислокация - не частица, не тело, а особая конфигурация в расположении атомов. Следовательно, ниже речь идет о силе, действующей на эту конфигурацию, и такую силу не следует смешивать с силами, действующими на атомы. Это наглядно видно из рассмотрения атомного механизма перемещения винтовой дислокации на рис. 9.11. Выше уже отмечалось, что в области ядра дислокации атомы смещаются вниз и вверх в направлении действующих на них сил, а сама конфигурация называемая винтовой дислокацией, перемешается вправо перпендикулярно этому направлению. В рассматриваемом случае можно говорить о силе, действующей на дислокацию и направленной перпендикулярно приложенным касательным напряжениям.
В общем случае на дислокацию действуют силы разного происхождения: внешние силы, приложенные к поверхности кристалла, внутренние силы от действия поля напряжений вокруг соседних дислокаций, инородных атомов и других несовершенств.
Ниже рассматривается случай действия только внешних сил (внутренние напряжения от других дефектов отсутствуют). Основная идея расчета состоит в следующем. Кристалл от внешнего источника получает дополнительную энергию в виде механической работы А. Вся эта энергия переходит в работу Ад, совершаемую силой Fд, действующей на дислокацию (Ад=А).
Рассмотрим краевую дислокацию на рис. 11.1 и 11.2. Однородные касательные напряжения τ от внешней силы F, совершив сквозной сдвиг верхней части кристалла относительно нижней на величину b, произведут работу A=Fb. Так как касательные напряжения действуют нa площади l1l2 где 11—длина и l2—ширина кристалла, то сила, действующая в этой плоскости, F= τl1l2 и A=bτl1l2.
Нашей целью является вычисление силы f, действующей на единицу длины дислокации. Сила, действующая на всю дислокацию, Fд=f l2.
При перемещении дислокации через всю длину кристалла l1 работа этой силы Aд=Fдl1=f l1l2. Она, как уже указывалось, равна затраченной работе А.
Следовательно, fl1l2=bτl1l2.Откуда
f =bτ. (11.8)
|
Рис.11.1. Сдвиг, создавший краевую дислокацию А В. Стрелка — вектор сдвига (l1 и l2— длина и ширина кристалла соответственно) |
|
Рис. 11.2. Краевая дислокация в примитивной кубической решетке: cтрелка — вектор сдвига |
Сила, действующая на единицу длины дислокации, равна произведению вектора Бюргерса на касательное напряжение в плоскости скольжения. Эта сила перпендикулярна линии дислокации и направлена к той части плоскости скольжения, где скольжение еще не происходило.
Аналогичные расчеты легко выполнить для случая движения винтовой дислокации под действием однородных касательных напряжений . Здесь на сквозной сдвиг величиной b ,через всю ширину кристалла l2 затрачивается работа внешних сил А=Fb=bτl1l2. На линию винтовой дислокации действует перпендикулярная ей сила Fд=f l1. Работа этой силы при продвижении дислокации через всю ширину кристалла Ад=Fдl1. Так как А=Ад, то fl1l2=l1l2 и f=b.
Доказывается, что и в случае смешанной дислокации сила, действующая на единицу ее длины, равна произведению вектора. Бюргерса на касательное напряжение и направлена перпендикулярно линии дислокации в любой ее точке в сторону участка плоскости скольжения, еще не охваченного сдвигом. Так как вектор Бюргерса является инвариантом дислокации, а при однородных касательных напряжениях величина τ на всей плоскости скольжения одна и та же, то сила, действующая на единицу длины дислокации, по своей величине (но не по направлению) одна и та же в любом участке криволинейной дислокации, находящейся в плоскости скольжения.
Если направление приложенных касательных напряжений не совпадает с направлением вектора Бюргерса, то в формуле (11.8) величина τ представляет собой проекцию касательного напряжения на направление вектора Бюргерса.
Когда разные участки дислокации лежат в не параллельных плоскостях, то проекция касательного напряжения на направление вектора Бюргерса в разных плоскостях может быть неодинаковой и соответственно разной будет сила f.
Например, сила, действующая на единицу длины дислокации в плоскости (111), в общем случае должна отличаться от силы, действующей в плоскости (111).
Весьма важно выгибание линии дислокации под действием касательных напряжений. Выгибанию дислокации препятствует ее линейное натяжение. Найдем напряжение τ, необходимое для выгибания линии дислокации в дугу с радиусом r (рис. 11.3).
Рис. 11.3. Схема к расчету напряжения, выгибающего дислокацию в дугу
На элемент дуги δl действует сила от внешних напряжений bτδl, направленная вдоль ОА. Противодействующая ей восстанавливающая сила F (результат линейного натяжения) направлена к центру кривизны вдоль АО. Силу F можно определить, считая, что линейное натяжение создается силами Т, приложенными по концам дуги. Тогда F = 2Tsin 1/2.
При малых углах sin1/2δθ≈1/2δθ и F=T δθ. Так как δθ=δl/r, то F=Tδl/r. Подставляя сюда значение Т из выражения (3), получаем для восстанавливающей силы
F=αGb2δl/r. (11.9)
Для стабильной дуги bτδ1 = F, т. е. bτδl =αGb2δl/r. Отсюда напряжение, необходимое для изгиба линии дислокации в дугу с радиусом r:
τ=αGb/r. (11.10)