5. Обработка экспериментальных данных

1. На выходных характеристиках выделите штриховкой области активного режима и режима насыщения, а также покажите область режима отсечки.

2. По входным и выходным характеристикам рассчитайте приближенные значения h-параметров для схемы с общей базой.

Они вычисляются в рабочей точке методом малых приращений по следующим формулам:

входное сопротивление ;

к

по напряжению

оэффициент обратной связи ; (3.2)

к

тока базы

оэффициент передачи ;

выходная проводимость .

В отчете приведите рассчитанные значения h-параметров и дайте заключение об их соответствии типовым значениям.

3. Проведите анализ работы усилительного каскада по семейству полученных входных и выходных характеристик транзистора (см. пп. 2 и 3 на стр. 28).

Для этого на выходных характеристиках по двум точкам постройте нагрузочную прямую

, (3.3)

где - из п.4.5; - указано на стенде или задаётся преподавателем.

Первую точку возьмите на оси напряжений I_к = 0, ; вторую – на оси токов U_кб = 0, .

Пример построения нагрузочной характеристики показан на рис. 3.4, а. Задайте рабочую точку как точку пересечения нагрузочной прямой с центральной выходной характеристикой ( ), определите ее координаты: .

Внимание! При правильно проведённом эксперименте нагрузочная прямая должна пройти через экспериментальную рабочую точку (п. 4.5).

Рассчитайте по графику коэффициенты усиления по току и напряжению . Для этого относительно дайте приращение и найдите соответствующие приращения , , как показано на рис. 3.3, а. Приращение необходимо определять по входной характеристике, перестроенной с учетом влияния нагруз- ки. Однако, так как слабо зависит от , можно использовать ста- тическую входную характеристику при – 5 В, как показано на рис. 3.4, б.

а б

Рис. 3.4. Выходные (а) и входные (б) характеристики

транзистора в схеме с общей базой

В отчете приведите входные и выходные характеристики с построениями для вычисления коэффициентов усиления, а также значения коэффициентов усиления, найденные по графикам.

4. Рассчитайте коэффициенты усиления исследуемого каскада по h-параметрам и сопротивлению нагрузки R2.

На рис. 3.5 показана эквивалентная схема транзистора. Ее анализ с включенной на выходе нагрузкой (R2) дает следующие соотношения:

Рис. 3.5. Эквивалентная схема транзистора

на основе h-параметров

6. Содержание отчета

1. Цель работы.

2. Паспортные данные исследуемого транзистора.

3. Схема проведения экспериментов.

4. Графики семейств статических входных и выходных характеристик с отмеченными на них областями активного режима, режима насыщения и отсечки, а также точками и нагрузочной прямой.

5. Экспериментально измеренные значения .

6. Рассчитанные по графикам значения h-параметров, а также .

7. Рассчитанные с использованием h-параметров коэффициенты .

8. Анализ проделанной работы.