Контрольные вопросы.

1. Классификация полупроводниковых диодов (ПД) по назначению.

2. Устройство и принцип работы ПД.

3. Характеристики и параметры ПД.

4. Возможность технического применения ПД.

5. Выбор рабочей точки на ВАХ различных типов ПД.

6. Охарактеризуйте виды пробоя в ПД.

7. Что такое туннельный эффект и как его использовать.

8. Влияние емкости p-n перехода на свойства ПД.

9. Объясните влияние температуры на ВАХ ПД.

10. Объясните различия ВАХ реального и идеального ПД.

11. Описать процессы в p-n переходе при отсутствии внешнего напряжения, при его прямом и обратном включении.

12. Охарактеризовать температурные и частотные свойства p-n перехода.

13. Принцип действия исследуемых ПД.

14. Объясните термин "отрицательное сопротивление".

Лабораторная работа №2.2.

“ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ”

Цель работы: освоить методику снятия статических характеристик биполярных транзисторов, научиться определять основные параметры транзисторов.

Оборудование: макет, вольтметр.

Подготовка к работе.

Изучить назначение, принцип действия, обозначения, схемы включения, основные характеристики и параметры, свойства, особенности и области применения исследуемых полупроводниковых приборов (тип транзистора указывается преподавателем). Определить по справочнику диапазоны изменения измеряемых параметров и их предельно допустимые значения. Изобразить предполагаемый вид графиков снимаемых в работе зависимостей с указанием на них предельно допустимых значений. ВНИМАНИЕ! Не допускать превышения в ходе работы предельно допустимых параметров транзисторов во избежание выхода их из строя!

Проведение исследований.

Часть 2. «Включение транзистора по схеме с общим эмиттером»

1.1. Выставить ручки регулировки ГТ, ГН1 и ГН2 в крайнее против часовой стрелки положение. Поставить переключатели макета в следующие положения: S1 – С4, S2- Д1, пределы А1 - 1мА. Подключить к гнездам V1 и V2 вольтметры постоянного напряжения. Включить макет. Снять переходную характеристику I_К=f(I_Б) при U_КЭ=-5В, U_КЭ=-10В, U_КЭ=-15В не превышая максимальных допустимых выходных тока и мощности. Определить максимальный входной ток для каждого U_КЭ. Все характеристики построить на одном графике.

1.2. Снять входную характеристику I_Б=f(U_ЭБ) при U_КЭ=-5В, U_КЭ=-10В, U_КЭ=-15В не превышая максимального входного тока. Все характеристики построить на одном графике.

1.3. Снять семейство выходных характеристик I_К=f(U_КЭ) при 8-10 значениях (включая I_Б=0) не превышая максимальных допустимых выходных тока и мощности в диапазоне U_КЭ от 0В до 15В. Все характеристики построить на одном графике.

1.4. По снятым характеристикам определить параметры: коэффициент передачи тока, входное сопротивление, внутреннее сопротивление коллектора и крутизну характеристики.

1.5. На семействе выходных характеристик построить нагрузочные прямые U_КЭ=E_К-I_КR_Н при R_Н = 1 кОм, 3 кОм, 5,1 кОм, 10 кОм и E_К = -15 В.

1.6. В выводах проанализировать полученные результаты.

Контрольные вопросы.

1. Чем объяснить принципиальную возможность усиления электрических сигналов с помощью транзисторов?

2. Объяснить устройство и принцип действия биполярного транзистора.

3. Начертить основные схемы включения транзисторов. Объяснить свойства каждой из схем.

4. Физический смысл основных параметров транзистора.

5. h-параметры транзисторов. Их определение по статическим характеристикам. Почему h-параметры называют гибридными?

6. Указать области активного режима, отсечки, насыщения на статических характеристиках транзистора.

7. Почему транзистор называют активным четырехполюсником?

8. Определение рабочей точки.