3.4 Розрахунок конденсаторів

Загальні частотні викривлення М_н треба розподілити по конденсаторах, які є в підсилювачі. Розподіл виконуємо рівномірно.

			Мн  МнС1  МнС2
		МнС1  МнС2 			Мн  1.2  1.095
С1 	1				1			 2.75 106 Ф
						3
		2	2  3.14  60  2.16 10				1.2 1
	2   fн  Rвх1  Мн 1

Оскільки опір транзисторів вихідного каскаду значно менший опору нава-нтаження, то при розрахунку конденсатора С2 опором транзисторів можна знехтувати. Тоді ємність конденсатору

С2 	1			1		 1483 106 Ф
	2			2  3.14  60  4 	1.2  1
	2    fн  Rн  Мн  1

Отримана величина узгоджується з теоретичними відомостями, оскільки вихідна ємність повинна бути досить великою.

Обираємо конденсатор С1 — МБГЧ-1 4мкФх250В , С2 — К50-37 2200мкФх100В.

Розрахуємо вплив транзисторів на частотні викривлення. Знаходимо з до-відника [9] граничну частоту передачі струму для транзисторів VТ4 и VТ2.

24

Для транзисторів КТ818 та КТ814 гранична частота дорівнює 3МГц. Звідси

постійна часу







1



1

 53.1109 c

 818

 814

2   f 

2  3.14  3 106

Частотні викривлення для транзисторів

М В4  М В2  1  (2    f В   )2



1  (2  3.14  20000  53.1 109 )2

 1

Тоді частотні викривлення, які вносять вихідним каскадом

M вих  МВ2  МВ4 

Uбm2

(МВ2  МВ4 1)  1

Uбm2  U бm4  U кm 4