Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лабораторная работа1 электроника.docx
Скачиваний:
5
Добавлен:
12.08.2019
Размер:
150.3 Кб
Скачать

Контрольные вопросы

  1. Какие свойства p-n перехода нашли применение в электронике?

  2. Как определяют дифференциальное и статическое сопротивление полупроводниковых приборов?

  3. В чем заключается принцип действия диода?

  4. В чем заключается принцип действия варикапа?

1 Так называемое обратное напряжение, когда к п- области прикладывается «+» потенциал, а к р- области «-» потенциал.

2 Так называемое прямое напряжение, когда к п- области прикладывается «-» потенциал, а к р- области «+» потенциал.

3 Когда число инжектируемых неосновных для области базы носителей заряда, становится значительно больше основных, уровень инжекции считается большим.

4 Диффузионная емкость возникает в приконтактном слое р-п-перехода за счет изменения количества диффундируемых дырок и электронов, т.е. за счет изменения заряда вызванного изменением прямого напряжения.

5 Зарядная емкость возникает при обратном напряжении на р-п-переходе и обусловлена изменением в нем объемного заряда.

6 В выпускаемых промышленностью варикапах значение емкости Св изменяется от единиц до сотен пикофарад.

7 Кс = 2 ... 20

8 Для получения напряжения более 15 В необходимо соединить последовательно регулируемый и нерегулируемый источники напряжения.

9 Резонансная частота в данном случае – это та частота, при которой напряжение U1 достигает максимум.