Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лекция №18_Зонная теория тв.тел.doc
Скачиваний:
22
Добавлен:
10.08.2019
Размер:
1 Mб
Скачать

Концентрация носителей тока и их подвижность

При Т=0о К в полупроводнике нет свободных носителей заряда, все энергетические уровни валентной зоны заняты электронами, а энергетические уровни в зоне проводимости свободны.

Будем рассматривать процессы, в которых электроны располагаются на нижних уровнях зоны проводимости, на верхних уровнях валентной зоны и на локальных уровнях примеси в запрещенной зоне кристалла.

Вероятность заполнения электроном энергетического уровня определяется функцией Ферми

. (1)

Вероятность того, что энергетический уровень занят дыркой

. (2)

Концентрация свободных электронов в зоне проводимости

.

Концентрация дырок в валентной зоне

.

Здесь - плотность разрешенных состояний в зоне;

- число состояний в интервале энергии от до .

Начало отсчета - потолок валентной зоны.

Поскольку вероятности заполнения уровней зоны проводимости и заполнения валентных уровней << 1, то в формулах (1) и (2) можно пренебречь 1 по сравнению с экспонентой. Тогда

,

.

Эти выражения представляют собой функцию распределения Больцмана и выражают распределение частиц по энергиям.

При небольших концентрациях свободных электронов и дырок, с которыми мы имеем дело, в полупроводнике эти частицы образуют невырожденный электронный и дырочный газ.

При повышении температуры концентрация примесных носителей тока быстро достигает насыщения. Это означает, что практически освобождаются все донорные или заполняются электронами все акцепторные уровни. С ростом температуры сказывается собственная проводимость полупроводника, обусловленная переходом электронов из валентной зоны в зону проводимости. Таким образом, при высоких температурах проводимость полупроводника будет складываться из примесной и собственной проводимостей.

При низких температурах преобладает примесная, а при высоких – собственная проводимость.

Эффект Холла

Изучение свойств полупроводников заключается в определении знака и концентрации носителей заряда. Наиболее распространенным методом измерения концентрации и знака носителей заряда в проводнике является метод измерения напряжения Холла.

В 1880г. американский физик Э.Холл обнаружил следующее явление: если металлическую пластинку, вдоль которой течет постоянный электрический ток, поместить в перпендикулярное к ней магнитное поле, то между параллельными току и полю гранями возникнет разность потенциалов.

Величина ее определяется выражением:

, (1)

где i – сила тока;

- ширина пластины;

R – постоянная Холла (величина ее для различных металлов разная).

Эффект Холла можно объяснить следующим образом:

Ток в пластине обусловлен упорядоченным движением электрических зарядов е. обозначив через - число зарядов в единице объема, а через - среднюю скорость их упорядоченного движения, силу тока можно выразить как

.

Откуда , (2)

где - площадь поперечного сечения пластины.

Если заряды е положительны, то направления и совпадают. Если – отрицательны, то - не совпадают.

На заряд, движущийся в магнитном поле с индукцией В действует сила Лоренца, в нашем случае равная . Так как перпендикулярна и , то заряды будут описывать криволинейные траектории (см. рис.) и создавать на одной пластине избыток, а на другой – недостаток зарядов. На сторонах пластины возникает разность потенциалов. В результате этого возникнет поперечное электрическое поле, направленное сверху вниз, если заряды положительны и снизу вверх – если они отрицательны.

Так как, в случае изображенном на рисунке, заряд е отрицателен, то, сила, действующая на заряд со стороны электрического поля еЕ будет направлена противоположно Е, то есть в нашем случае вниз.

В случае положительного заряда эта сила так же направлена противоположно силе Лоренца.

В установившемся состоянии должно соблюдаться равенство или . Откуда

.

Подставив вместо ее значение из формулы (2), получим

.

Если пластина достаточно длинная и широкая, то электрическое поле в ней можно считать однородным. Тогда

.

Сравнивая эту формулу с формулой (1). Получим

.

Как видно из этой формулы, знак константы Холла совпадает со знаком носителей тока е. поэтому на основании измерения константы Холла для полупроводников можно судить о характере проводимости (при электронной проводимости R<0, при дырочной R>0).

По измерению постоянной Холла можно найти концентрацию носителей тока (их число в единице объема).

Определив из опытных данных константу Холла, можно вычислить концентрацию носителей заряда в проводнике. Если для образца известно значение R и удельной электропроводности , то для носителей одного знака их подвижность равна .

Эффект Холла широко используется в измерительной технике. Миниатюрные датчики Холла, сделанные из небольшой полупроводниковой пластинки с двумя электродами для подводки тока и с двумя другими- для измерения поперечной разности потенциалов, применяются для измерения таких величин, как сила тока через датчик, индукция и напряженность внешнего магнитного поля, ориентировка датчика относительно этого поля и т.д.

Кроме этого, эффект Холла используется во многих электро- и радиотехнических установках для модуляции электрических колебаний, преобразования токов, записи звуков, усиления постоянного и переменного токов и т.д.