Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Вопросы к экзамену. ч.1.doc
Скачиваний:
7
Добавлен:
21.07.2019
Размер:
87.04 Кб
Скачать

Федеральное агентство связи

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики»

Кафедра радиоприёмных устройств.

УТВЕРЖДАЮ

зав. кафедрой РПУ

д.т.н., профессор Тяжев А.И.

« » 2011г.

Вопросы

для подготовки к экзамену

по дисциплине «СХЕМОТЕХНИКА»

Разработал

к.т.н. доцент Галочкин В.А.

Обсуждено на заседании кафедры

« » 20011г.

Протокол №____

Самара

2008г.

Вопросы

для подготовки к экзамену

по дисциплине «СХЕМОТЕХНИКА»

Часть 1 «схемотехника аналоговых устройств»

1. Аналоговые электронные устройства (АЭУ)

  1. Классификация аналоговых электронных устройств

  2. Устройства на основе усилителей:

    1. Электронные устройства

    2. Краткий обзор развития аналоговой электронной техники

    3. Основные технические характеристики и показатели анало-

говых электронных устройств:

      1. Стандартизация. Унификация

      2. Входное и выходное сопротивление

      3. Коэффициент усиления по напряжению; по току

      4. Коэффициент усиления по мощности

      5. Амплитудно- и фазочастотная характеристики

      6. Переходная характеристика

      7. Нелинейные искажения

      8. Коэффициент полезного действия

      9. Собственные помехи.

3.3.10. Амплитудная характеристика. Динамический диапазон

3.3.11. Специфические показатели АЭУ

3.3.11. Стабильность показателей

  1. Характеристические параметры диодов

    1. Ширина запрещенной зоны

    2. Подвижность носителей зарядов

    3. Время жизни зарядов

    1. Проводимость полупроводников

4.5. Высота потенциального барьера

  1. Вольтамперная характеристика p-n перехода

  2. Эквивалентные схемы п/п диодов

6.1. Эквивалентная схема диода при прямом смещении

6.2. Эквивалентная схема диода при обратном смещении

  1. Эксплуатационные характеристики полупроводниковых диодов

    1. Силовые (выпрямительные) диоды

    2. Опорные диоды (стабилитроны)

    1. Диоды ВЧ и СВЧ

7.4. Варикапы

    1. Туннельные диоды

    2. Генераторные диоды

    3. Фотодиоды

    4. Светодиоды

8. Схемы на полупроводниковых диодах

    1. Регулятор на стабилитроне

    2. Схема усиления на туннельном диоде

    3. Схемы на силовых диодах

8.4. Схемы резервирования питания

    1. Двухсторонний ограничитель

    2. Схемы умножения

    3. Схема получения симметричного напряжения

    4. Схема логарифмирования

9. Биполярные транзисторы

    1. Основные свойства

    2. Вольтамперные характеристики (ВАХ) биполярных транзис-торов

    3. Усилительные параметры и эквивалентные схемы

    4. Частотные параметры биполярных транзисторов

    5. Шумы биполярных транзисторов

    6. Максимальные предельные режимы

  1. Полевые транзисторы

    1. Устройство принцип работы полевого транзистора

    2. ВАХ полевого транзистора (выходная, стоковая)

    3. Крутизна полевого транзистора. Дифференциальное

сопротивление стока

10.4. Схемы включения полевых транзисторов с управляемым

p-n переходом

10.5. Модели полевых транзисторов

10.6. Частотные свойства полевых транзисторов с p-n переходом

10.7. Температурные зависимости транзисторов с p-n переходом

10.8. Шумы полевых транзисторов с p-n переходом

10.9. МДП-транзисторы

10.9.1. Принцип работы МДП-транзистора

10.9.2. ВАХ МДП-транзистора с индуцированным каналом

10.9.3. ВАХ МДП-транзистора со встроенным каналом

10.9.4. Частотные свойства МДП-транзисторов

10.9.5. Температурные характеристики МДП-транзисторов

10.9.6. Собственные шумы МДП-транзисторов

10.9.7. Особенности влияния Rвх МДП-транзистора

  1. Требования к цепям питания усилительных элементов

    1. Нестабилизированные цепи питания.

11.1.1. Смещение фиксированным током базы

11.1.2. Смещение фиксированным напряжением база – эмиттер

11.1.3. Установка рабочей точки фиксацией тока эмиттера

    1. Стабилизация режима транзистора.

11.2.1. Эмиттерная стабилизация

11.2.2. Коллекторная стабилизация

11.2.3. Комбинированная стабилизация (коллеекторно-

эмиттерная

11.3. Цепи смещения с температурной стабилизацией

    1. Схемы с непосредственной связью между элементами

    2. Стабилизация режимов полевых транзисторов (ПТ)

11.5. Цепи смещения без стабилизации режимов ПТ

11.6. Цепи смещения со стабилизацией режима работы ПТ

    1. Генераторы стабильного тока ( ГСТ )

11.7.1. Принцип работы ГСТ

11.7.2. Схемы ГСТ

  1. Обратная связь. Основные понятия и определения

    1. Виды обратной связи ( ОС

      1. Параллельная по входу и выходу ОС

      2. Последовательная по входу и выходу ОС

      3. Последовательная по входу и параллельная по выходу ОС

      4. Параллельная по входу и последовательная по выходу ОС

    2. Влияние ОС на коэффициент усиления

    3. Стабильность коэффициента усиления при ОС

    4. Влияние ОС на входные и выходные сопротивления (про-

водимости)