Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Курсач по ВИПЭ 2.doc
Скачиваний:
7
Добавлен:
18.07.2019
Размер:
717.31 Кб
Скачать

Сводка промежуточных результатов

Параметр

Значение

1

Диффузионная длина примеси в базе

Lb = 0,2426 мкм

2

Диффузионная длина примеси в эмиттере

Le = 0,1289 мкм

3

Градиент концентрации примеси в переходе Э-Б

= 4,9*1023 см-4

4

Градиент концентрации примеси в переходе К-Б

= 1,7*.1022 см-4

5

Контактная разность потенциалов перехода Э-Б

0,97 В

6

Контактная разность потенциалов перехода К-Б

0,85 В

7

Равновесная ширина перехода Э-Б

0,054 мкм

8

Ширина перехода Э-Б в рабочем режиме

0,03 мкм

9

Равновесная ширина перехода К-Б

0,16 мкм

10

Ширина перехода К-Б в рабочем режиме

0,24 мкм

11

Концентрация примеси в базе на границе с переходом Э-Б

5,6*1017 см-3

12

Концентрация примеси в базе на границе с переходом К-Б

4,7*1017 см-3

13

Толщина базы

= 0,12 мк

14

Толщина эмиттера = 0,24 мкм

= 0,24 мкм

15

Средняя концентрация примеси в базе

2,2*1017 см-3

16

Среднее значение коэффициента диффузии электронов в базе

15 см2

17

Число Гуммеля в базе

2,8*1011см-4с

18

Эффективная концентрация примеси в эмиттере

4,3*1018 см-3

19

Среднее значение коэффициента диффузии дырок в эмиттере

1,3 см2

20

Эффективное число Гуммеля в эмиттере

781012 см-4с

21

Среднее время диффузии электронов через базу

пс

22

Эффективность эмиттера

= 0,996

23

Фактор поля в базе

24

Среднее время пролета электронов через базу

= 4,3 пс

25

Дифференциальное сопротивление перехода Э-Б

260 Ом

26

Коэффициент переноса

1

2.9 Факультативное задание: Расчет параметров малосигнальной

эквивалентной схемы

Малосигнальная схема Джиаколетто показана на рисунке 2.7. Параметры схемы были описаны ранее.

Рисунок 2.7 - Малосигнальная эквивалентная схема Джиаколетто для n-p-n транзистора.

В предыдущих разделах уже были рассчитаны: CE, CC, CEd, rE.

Расчёт крутизны ВАХ:

мА/В

Наибольший вклад в rB вносит сопротивление тонкой и слаболегированной - активной базы (под эмиттером) длиной wB и площадью поперечного сечения Se=ae*be. ( )

Так как 2,21017 см-3 (вычислено ранее), то подвижность дырок в p-базе определяется как:

см2/Вс.

Рассчитываем rB:

Наибольший вклад в сопротивление тела коллектора вносит тонкий и слаболегированный n-слой под базой, а также аналогичный слой между n+-скрытым слоем и n+-контактом к коллектору, как показано на рисунке 2.8.

Рисунок 2.8 – Области, определяющие сопротивление тела коллектора и линия протекания тока в структуре

Так как Nc=1017 см-3 (по заданию), то подвижность электронов n-коллекторе определяется как:

775 см2/Вс.

Рассчитываем r'c (из рисунка 2.8 и топологии транзистора) :

Ом*см

90 Ом

Вывод: провели расчет параметров малосигнальной эквивалентной схемы Джиаколетто.

2.10 Факультативное задание: Расчет граничных частот в схемах ОБ, ОЭ

и предельной частоты

Верхняя граничная частота в схеме ОБ :

=46ГГц

Верхняя граничная частота в схеме ОЭ :

МГц;

Предельная частота (в схеме ОЭ) :

ГГц;

Д ля идеального транзистора ( , , , ):

ГГц;

ГГц;

ГГц

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]