Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Английский язык 3 семестр КР6

.doc
Скачиваний:
11
Добавлен:
01.04.2014
Размер:
32.77 Кб
Скачать

Министерство образования Республики Беларусь

Учреждение образования

«Белорусский государственный университет

информатики и радиоэлектроники»

Кафедра иностранных языков №1

Контрольные работы № 6

по английскому языку для студентов

2-го курса

дистанционной формы получения образования

ИСИТвЭ

Минск 2010

I

1

1. Почти все проблемы на сборочном конвейере, как зафиксировано в литературе, были решены данным способом. 2. Используя энергию атома мы производим электроэнергию на АЭС. 3. Важно знать какой основной принцип соблюдать в разработке и использовании оптического оборудования. 4. Анализ показывает, что это очень маловероятно вылится в какую-либо ошибку. 5. Разработав конфигурацию устройства, он преуспел в получении более высокой производительности при более низком потреблении мощности.

2

1. Этот метод лёгок в использовании и действительно обеспечивает требуемый уровень устойчивости (стабильности) системы. 2. Именно преимущества транзистора сделали возможным увеличить производительность электронных приспособлений. 3. Этот тип интегральных микросхем в самом деле делает чип намного более эффективным. 4. Именно этот феномен привлек внимание учёного, но он не мог объяснить его природу в то время.

3

1. Компилятор, конечно же, не проверяет все вещи, которые проверяет FORTAN, но он действительно выполняет очень хорошую программу. 2. Невозможно никакое подключение, кроме указанного в инструкции по эксплуатации. 3. Другие методы не такие эффективные, как этот. 4. Метод, который был исследован для решения этих проблем, это метод комбинаторного программирования.

II

  1. не соответствует

  2. не соответствует

  3. соответствует

III

  1. b

  2. a

IV

  1. a

  2. b

  3. b

V

3. Биполярный плоскостной транзистор, в отличие от других транзисторов, не является симметричным устройством. Это означает то, что переключения коллектора и эмиттера вынуждают транзистор переходить из активного прямого режима в обработанный режим. Из-за того, что внутренняя структура транзистора обычно оптимизируется для действия в прямом режиме, переключения коллектора и эмиттера делает величины α и β обратном действии намного меньше, чем величины в прямом действии; обычно α в обратном режиме ниже чем 0,5. Отсутствие симметрии в первую очередь объясняетя соотношением уровней примесей эмиттера и коллектора. Эмиттер имеет большое количество примесей, в то время как коллектор имеет мало примесей, что позволяет применять большое напряжение обратного смещения до того как соединение коллектор-база выйдет из стоя. Соединение коллектор-база при нормальном действии находятся в обратном смещении. Причина, по которой эмиттер имеет большое количество примесей – это увеличить эффективность инъекции эмиттера: соотношение носителей введенных эмиттером к тем, которые введены базой. Для получения высокого тока, большинство носителей, веденных в соединение эмиттер-база должны происходить от эмиттера.

Незначительные изменения в напряжении, применяемые через терминалы база-эмиттер вызывает ток, который протекает между эмиттером и коллектором, чтобы иметь значительные изменения. Этот эффект может использоваться для усиления входного напряжения или тока, BJT могут рассматриваться как источники тока, контролируемого напряжением, но более просто характеризуются как источники тока, контролируемого током, или как усилители тока, благодаря низкому полному сопротивлению на базе.

4. Раньше транзисторы изготавливались из германия, но большинство современных BJT изготавливаются из силикона. Значительное меньшинство сейчас так же изготавливается из арсенида галлия, особенно для применений очень высокой скорости.