Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
МЕТОД_КП.doc
Скачиваний:
78
Добавлен:
04.05.2019
Размер:
5.53 Mб
Скачать

Варианты индивидуальных заданий

Таблица 1.2- Технические параметры усилителя

Характеристические параметры

Вариант

1

Проводимость транзистора:

«pnp» – нечетный;

«npn» – четный

Номер варианта («чет.» -«нечет.»)

выбирается по последней цифре

зачетной книжки

2

Напряжение питания (В)*10-1

две последних цифры зачетной

книжки

3

Сопротивление нагрузки (Ом)

две последних цифры зачетной

книжки

4

Коэффициент передачи тока базы
транзистора

две последних цифры зачетной

книжки (либо выбирается по справочнику)

5

Ток эмиттера транзистора в статическом режиме (мА*10-1)

две последних цифры зачетной

книжки (либо выбирается по справочнику)

6

Частота входного сигнала (Гц)

три последних цифры зачетной

книжки

Методика расчета усилителя с общим коллектором

1. Выбор транзистора (по индивидуальному заданию)

Выбор транзистора осуществляется по типу проводимости и по параметру . (h21э- статический коэффициент передачи тока базы для различных транзисторов  лежит в диапазоне 10…150).

2. Расчет емкости разделительного конденсатора на выходе эп

Разделительный конденсатор С3 совместно с сопротивлением нагрузки Rн=R4, образует RС-цепь, которая подавляет низкие частоты и пропускает высокие частоты. Поэтому конденсатор С3 не пропускает постоянный потенциал эмиттера в нагрузку.

Величина конденсатора С3 определяются по формуле:

С3 расч.(1/2fсигн Rн).

Рассчитанное значение емкости С3 будет соответствовать ослаблению входного сигнала в раз относительно сигнала на более высоких частотах. Для уменьшения ослабления входного сигнала и расширения за счет этого полосы пропускания усилителя расчетное значение емкости С3расч увеличиваются на 1-2 порядка (в 10-100 раз).

3. Расчет резистора в цепи эмиттера

Для исключения искажений сигнала при усилении тока статический потенциал на эмиттере Uэ выбирается из условия:

0,5Епит= Uэ.

При заданном токе эмиттера Iэ резистор в цепи эмиттера R3 определяется по закону Ома

Rэ=R3=Uэ/Iэ.

Ток эмиттера Iэ выбирается в диапазоне (0,5…1,0)мА, задается индивидуально, либо выбирается по справочнику.

Определяется мощность Р3, рассеиваемая на сопротивлении Rэ=R3 в эмиттерной цепи транзистора

Р3 = (Iэ)2*R3.

4. Расчет эквивалентного сопротивления нагрузки ЭП переменному току.

При достаточно большой емкости разделительного конденсатора С3 эквивалентное сопротивление нагрузки ЭП на переменном токе Rн.экв.эп определяется параллельным соединением эмиттерного резистора Rэ=R3 и сопротивления нагрузки Rн=R4

Rн.экв.эп =[Rэ*Rн/(Rэ+Rн)].

5. Расчет входного сопротивления ЭП Rвх.эп

Rвх.эп= Rн.экв.эп *(+1).

6. Расчет сопротивлений делителя в цепи базы.

Сопротивления R1, R2 выбираются таким образом, чтобы подключение делителя практически не влияло на входное сопротивление ЭП Rвхэп. Для выполнения данного условия необходимо обеспечить малый ток делителя Iд. Расчет сопротивлений делителя R1, R2 проводится в следующей последовательности:

6.1 Расчет потенциала базы:

Uб=d+Uэ=d+0,5Еп.

6.2 Выбор сопротивления R2.