Микросхемы
микросхемы DDR SDRAM. По большей части они оказываются похожими на микросхемы SDR SDRAM так, оба типа микросхем, как правило, имеют одинаковую логическую организацию, включая 4-банковую организацию массива памяти, и одинаковый командно-адресный интерфейс. Фундаментальные различия между SDR и DDR лежат в организации логического слоя интерфейса данных. По интерфейсу данных памяти типа SDR SDRAM данные передаются только по положительному перепаду «фронту» синхросигнала. При этом внутренняя частота функционирования микросхем SDRAM совпадает с частотой внешней шины данных, а ширина внутренней шины данных SDR SDRAMсовпадает с шириной внешней шины данных. В то же время, по интерфейсу данных памяти типа DDR (а также DDR2) данные передаются дважды за один такт шины данных — как по положительному перепаду синхросигнала «фронту», так и по отрицательному «срезу».
10 Вопрос
DDR или DDR SDRAM от англ. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory – синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных — тип компьютерной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Модуль имеет 184 контакта. Стандартное питающее напряжение 2,5 В, частота работы до 400 мегагерц. За такт делает выборку 2 бит данных из ячеек микросхемы.
На данный момент практически вышла из использования и модуль DDR чаще всего можно встретить в комиссионном магазине компьютерного железа. Но пока работают старенькие материнские платы ее поддерживающие, спрос на модули DDR не исчезнет.
DDR2 - широко распространенный на данный момент тип памяти. DDR2 в отличие от DDR позволяет делать выборку сразу 4 бита данных за такт 4n-prefetch , DDR только 2 бита за такт , т.е. способна передавать на каждом такте шины памяти 4 бита информации из ячеек микросхемы памяти в буферы ввода-вывода. Модуль выполнен в виде печатной платы с 240 контактами (по 120 с каждой стороны) и имеет стандартное питающее напряжение 1,8 В.
DDR3 - современный тип оперативной памяти, являющийся лидером по производительности. Память типа DDR3 имеет более высокие тактовые частоты (до 1800 мегагерц), пониженное примерно на 30-40% (по сравнению с DDR2) энергопотребление и соответственно меньшее тепловыделение.
Все вышеперечисленные типы памяти изготавливаются в виде модуля, исполненном в форм-факторе DIMM (англ. Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти), который в отличие от своего предшественника SIMM имеет независимые друг от друга контакты на обоих своих сторонах. DIMM'ы различаются по максимальной скорости передачи данных (часто называемой пропускной способностью).
DDR4 - новый тип оперативной памяти, отличающийся от предыдущих поколений более высокими частотными характеристиками и низким напряжением. Будет поддерживать частоты от 2133 до 4266 МГц. В массовое производство выйдет предположительно в 2012 году. 4 января 2011 на выставке CES компания Samsung официально представила новые модули, работающие в режиме DDR4-2133 при напряжениии 1,2 В.