Виконання роботи

План роботи:

1.Складання і випробування схеми.

2.Зняття вхідних статичних характеристик транзистора І_е=f (U_еб) при U_кб=сonst.

3. Зняття вихідних статичних характеристик транзистора І_к=f (U_кб )при І_е=сonst.

4. Побудова статичних характеристик транзистора.

5. Визначення h_11б-, h_12б-, h_21б-, h_22б-параметрів за статичними характеристиками транзистора.

Складання і випробування схеми

Досліджуваний транзистор, джерела живлення, вимірювальні прилади і потенціометри з'єднують за схемою, зображеною на рис.3. Після перевірки приступають до випробування схеми. Для цього потенціометром R₂ встановлюють напругу на ділянці колектор-база U_кб порядку (5060)% від максимально допустимого значення цієї напруги для досліджуваного транзистора. Підтримуючи цю напругу сталою, змінюють напругу U_еб (за допомогою потенціометрів R₁ і R₁) і стежать за показами міліамперметра, що вимірює струм емітера І_е, значення якого повинно змінюватися в межах, достатніх для зняття вхідної характеристики транзистора.

Потім перевіряють можливість зняття вихідної характеристики, встановлюючи повзунки потенціометрів R₁ і R₁ у середнє положення, підтримуючи значення струму емітера І_е незмінним. Змінюючи напругу U_кб, стежать за значенням струму колектора I_к.

Зняття вхідних статичних характеристик транзистора

І_е=f ( U_еб ) при U_кб=сonst

Перед зняттям характеристик готують таблицю спостережень (табл.2).

Таблиця 2

І_е=f(U_еб) при U_кб=сonst

Транзистор типу ___________

Uкб=…, В		Uкб=…, В		Uкб=…, В
Uбе, В	Іе, мА	Uбе, В	Іе, мА	Uбе, В	Іе, мА

Вхідні статичні характеристики транзистора знімають для двох значень напруги U_кб, для U_кб=0 В і значення напруги U_кб, що складає (210) В. Значення напруг U_кб і U_кб залежать від типу досліджуваного транзистора. Для малопотужних транзисторів напругу між базою і емітером U_бе змінюють потенціометрами R₁ і R'₁ від 0 до (300700) мВ через (2030) мВ.

Зняття вихідних статичних характеристик транзистора

І_к= f ( U_кб ) при І_е=сonst

Дані спостережень записують у табл. 3.

Таблиця 3

І_к=f(U_кб) при І_е=сonst

Транзистор типу __________

Іе=…, мА		Іе=…, мА		Іе=…, мА		Іе=…, мА
Uкб , В	Ік , мА	Uкб , В	Ік , мА	Uкб , В	Ік , мА	Uкб , В	Ік , мА

Вихідні статичні характеристики знімають для чотирьох значень струму емітера І_е, І_е, І_е та І_е, які встановлюють потенціометрами R₁ і R'₁ і підтримують у процесі спостережень незмінними. Значення струмів емітера залежать від типу досліджуваного транзистора. Для малопотужних транзисторів напругу U_кб змінюють потенціометром R₂ від 0 до (1030) В через (23) В.

Побудова статичних характеристик транзистора

На підставі експериментальних даних, які занесені в табл.2 і табл.3, будують сімейства вхідних і вихідних статичних характеристик досліджуваного транзистора в схемі з спільною базою.