– Некерований зворотний струм колектора.

Для малопотужних транзисторів у залежності від матеріалу, на основі якого він виготовлений, напруга між базою і емітером складає (0,30,7) В; при цьому в колі бази проходить струм у декілька десятків мікроампер. Напруга, що прикладається між емітером і колектором, може становити (530) В; при цьому струм колектора може досягнути значення декількох десятків міліампер.

При ввімкненні транзистора в схемі з спільною базою підсилювальний каскад забезпечує підсилення за напругою і за потужністю, а коефіцієнт підсилення за струмом менший від одиниці. Для такої схеми ввімкнення транзистора відсутній фазовий зсув між вихідною і вхідною напругами. Транзистор має найменший вхідний (від одиниць до десятків Ом) і найбільший вихідний (сотні кілоом) опори. Схема ввімкнення транзистора з спільною базою забезпечує найкращі частотні властивості і найвищу температурну стабільність підсилювального каскаду.

Незважаючи на те, що струми, які проходять через емітерний і колекторний переходи, майже однакові, потужність, що розсіюється на колекторі, значно більша, ніж потужність, яка розсіюється на емітерному переході. Це пояснюється тим, що напруга між базою і емітером значно менша, ніж напруга між базою і колектором. Щоб полегшити відведення тепла від колектора, його роблять більшої площі, ніж емітер.

У потужних транзисторах область колектора приєднана до масивного металевого корпусу, що покращує відвід тепла від колектора і дозволяє підвищити потужність, яка на ньому розсіюється.

Контрольні запитання

1. Розповісти про побудову біполярних транзисторів, їх умовне позначення.

2. У чому відмінність керування струмом колектора транзистора від керування анодним струмом електронної лампи?

3. Вкажіть особливості ввімкнення транзистора в схемі із спільною базою.

4. Яку залежність описує вхідна статична характеристика транзистора?

5. Яку залежність описує вихідна статична характеристика транзистора?

6. Чим пояснити відсутність підсилення за струмом у схемі із спільною базою ?

7. Як впливає значення напруги між базою і колектором на вигляд вхідної статичної характеристики транзистора?

8. Охарактеризуйте кожен з h_б-параметрів транзистора для схеми із спільною базою. Вкажіть розмірність h_б-параметрів, поясніть їхній фізичний зміст.

9. Яким чином можна визначити h_б-параметри за статичними характеристиками транзистора?

10. Яке практичне застосування транзистора в схемі із спільною базою?

Схема для дослідження, необхідні прилади

Схема для зняття характеристик транзистора при його ввімкненні з спільною базою наведена на рис.3 (полярність джерел живлення показана для випадку дослідження транзистора з провідністю р-n-р типу).

П ідбираючи елементи схеми, необхідно знати допустимі значення струмів напруг досліджуваного транзистора. У табл.1 наведені електричні параметри деяких біполярних транзисторів з провідністю типу р-п-р.

Таблиця 1

Електричні параметри деяких типів транзисторів

Тип транзистора	Максимально допустимий постійний Струм колектора Ік макс, мА	Максимально допустима напруга між колектором і емітером Uке макс, В	Максимально допустима напруга між колектором і базою Uкб. макс, В	Максимально допустима зворотна напруга між емітером і базою Uеб. макс зв, В	Максимально допустима потужність, яка розсіюється на колекторі Рк макс, Вт
П27	6	5	5	5	30
КТ203А	10	60	60	30	150
ГТ109А	20	6	10	5	30
МП41	20	15	15	15	150
КТ361А	50	25	25	4	150
КТ3107А	100	25	30	5	300
КТ503А	150	25	40	5	350

У схемі є два джерела живлення, що дозволяє незалежно змінювати напругу на емітерному і колекторному переходах. При дослідженні малопотужних транзисторів джерелом е.р.с. E₁ може служити сухий елемент чи акумулятор, що дає напругу порядку декількох вольт, а джерелом е.р.с. E₂ – батарея чи випрямляч на (2030) В. Потенціометри R₁ і R₁— низькоомний з опором у декілька десятків Ом. Послідовне ввімкнення цих потенціометрів дозволяє плавно змінювати напругу на ділянці емітер-база. Потенціометр R₂ — високоомний (одиниці кілоом). Вимірювальні прилади у вхідному і вихідному колах транзистора повинні бути розраховані нa вимірювання постійних струмів і напруг. Доцільно застосовувати прилади магнітоелектричної системи, не забуваючи, що при під’єднанні їх у схему необхідно дотримуватися відповідної полярності. Межі вимірювальних приладів повинні бути зручними для зняття вхідних і вихідних характеристик і залежати від значень струмів і напруг у колах досліджуваного транзистора.