Контрольні запитання

1. Розкажіть про будову та принцип дії польового транзистора з керованим n-p переходом.

2. Намалюйте схему включення польового транзистора з врахуванням полярності джерел живлення в колі затвору і стоку.

3. Яке умовне позначення польових транзисторів з керованим n-p переходом?

4. Чим пояснити високий вхідний опір польового транзистора порівняно з біполярними транзисторами?

5. Які носії зарядів (основні чи неосновні) беруть участь в утворенні струму стоку?

6. Зобразіть сімейство стокових характеристик польового транзистора та поясніть вплив напруги стоку та затвору на струм стоку.

7. Вкажіть на стоковій характеристиці її робочу область.

8. Намалюйте стоково-затворну характеристику польового транзистора і поясніть принцип керування струмом стоку.

9. Назвіть основні параметри польового транзистора і способи їх визначення за статичними характеристики.

10. Порівняйте властивості польового (уніполярного) транзистора з біполярним транзистором та електронною лампою (пентодом).

11. Розкажіть про можливості практичного застосування польових транзисторів в електронній апаратурі.

Схема для дослідження, необхідні прилади та деталі

Схема для зняття характеристик польового транзистора з керованим n-p переходу наведена на рис.1.

Для добору елементів схеми необхідно знати допустимі значення струмів і напруг досліджуваного транзистора. В табл.1 вказані основні параметри деяких польових транзисторів із керованим n-p переходом.

У схемі є два незалежні джерела живлення, що дозволяє змінювати напругу на затворі і стоці польового транзистора. Потенціометри R₁ і R₂, які дозволяють регулювати напругу на затворі і стоці транзистора, мають опір порядку (5001000) Ом. Вимірювальні прилади в колах затвору і стоку розраховані на вимірювання постійних струмів і напруг. Доцільно застосовувати прилади магнітоелектричної системи. Межі вимірювань цих приладів повинні бути зручними для зняття стокових та стоково-затворних характеристик і залежать від значення струмів і напруг у колах досліджуваного транзистора (уточнюються при випробуванні схеми).

Таблиця 1.

Тип польового транзистора	Максималь-ний струм стоку, , мА	Крутизна S, мА/В	Напруга відсічки , В	Максималь-ний струм витікання затвора , нА	Максимальна напруга між стоком і витоком , В
КП101Г КП101Е	25	0,150,4	48	 2	10
КП 102А КП 102Е	0,56	0,251,3	2,810	 15	20
КП103Е КП103М	0,312	0,44,4	0,47	 20	1012
КП302А КП302Г	365	57	510	 1	20

.

Виконання роботи План роботи:

1. Складання та випробування схеми.

2. Зняття стокових характеристик польового транзистора при .

3. Зняття стоково-затворної характеристики польового транзистора при .

4. Побудова стокових і стоково-затворних характеристик польового транзистора.

5. Визначення параметрів польового транзистора за стоковою характеристикою:

• крутизни характеристики ;

• вихідного диференціального опору .

6. Визначення параметрів польового транзистора за стоково-затворною характеристикою:

• максимального струму стоку ;

• крутизни характеристики ;

• напруги відсічки .