2) Мощность. Выражение мощности в комплексной форме записи.

Электри́ческая мощность — физическая величина, характеризующая скорость передачи или преобразования электрической энергии.

Использование комплексной формы записи токов и напряжений позволяет проводить усреднение по времени с помощью простой операции: взятия модуля. Например, действующее значение напряжения получают как или с использованием закона Ома: где |Z| – модуль комплексного сопротивления.

Действительная часть (P) полной мощности (S) является активной мощностью, рассеиваемой в данном участке цепи, а мнимая (Q) – реактивной мощностью.

Полная мощность, развиваемая идеальным источником напряжения:

Полная мощность, развиваемая идеальным источником тока:

Направление тока в источнике напряжения соответствует переносу положительного заряда сторонними силами, т. е. перемещению от минуса к плюсу. Другими словами, это то направления тока, которое возникает в нагрузке при подсоединении ее к источнику. Напряжение на источнике тока определяется нагрузкой. Оно отсчитывается от узла, из которого ток втекает в источник тока. При Re(S)>0 источник поставляет во внешнюю цепь энергию, а при Re(S)<0 потребляет. Для реальных источников необходимо учитывать потери на внутренних сопротивлениях. Поэтому в источнике тока даже при отсоединенной нагрузке идет рассеивание энергии.

3) Обратный ток реального р-п-перехода.

при обратном смещении р-п перехода в нем проте­кает лишь небольшой ток, называемый обратным. Этот ток I₀ и формирует обратную ветвь ВАХ р-п перехода. В общем случае I₀ состоит из четырех составляющих: теплового тока, тока термогенерации, тока утечки и канального тока.

Тепловой ток обусловлен термогенерацией электронно-дырочных пар в об­ластях р- и n-типа, удаленных от i-области не далее чем на диффузионную дли­ну. Строго говоря, диффузионная длина для эмиттера и базы будет разной, но этот факт не играет принципиальной роли для качественного рас­смотрения теплового тока. Электроны и дырки, возникающие в структуре, будут сортироваться электрическим полем: электроны устремляются в n-область, а дырки - в p-область. Относительно теплового тока остается заметить, что он является основной составляющей обратного тока у германие­вых р-п переходов и слабо зависит от величины приложенного обратного на­пряжения.

Другой составляющей обратного тока является ток термогенерации, кото­рый обусловлен генерацией носителей заряда в i-области под действием тепла. Этот ток отличается от теплового только местом, где образуются подвижные носители заряда.

Третьей составляющей обратного тока р-п перехода является ток утечки. Для р-п переходов, изготовленных из «достаточно широкозонных полупроводников, поверхностные утечки могут явиться основной составляющей, опреде­ляющей величину тока I₀. 

Четвертой составляющей обратного тока р-п перехода является канальный ток. Он является основной составляющей для кремниевых р-п переходов, вы­полненных по планарной технологии. 

В реальных условиях в полупроводнике, кроме основных носителей электрических зарядов — электронов и дырок, образующихся при введении примесей, имеются, и неосновные носители зарядов (их значительно меньше) электроны п дырки, образующиеся вследствие теплового движения атомов в кристалле. Часть этих электронов и дырок способна проходить (дрейфовать) через р-n-переход даже при обратной полярности прило­женного к полупроводнику напряжения, создавая так называемый обратный ток, который, несрав­нимо меньше прямого тока. Следовательно, р-n-переход полупроводника весьма определенно проявляет свойство односторонней проводимости, что дает возможность рас­сматривать кристалл в качестве вентиля. Вольт-амперная характеристика р-n-перехода показывает, что уже при сравнительно небольших прямых напряжениях сопротивление перехода падает, а прямой ток резко уве­личивается. У полупроводников обратные напряжения U_обр значи­тельно больше прямых U_пр, а обратные токи намного слабее прямых токов, однако при некотором возросшем значении обратного напряжения наступает явление так называемого пробоя р—п-перехода и обратный ток резко возрастает (точка А). В этом режиме напряжение на диоде изменяется очень мало, даже при изменении тока через прибор в весьма широких пределах, то есть полупроводник ведет себя как стабилитрон. Подобный режим, который будет аварийным для полупроводниковых выпрямителей, успешно исполь­зуется в устройствах стабилизации напряжения.