- •1.Общие сведения о системах связи. Описание структурной схемы. Основные понятия.
- •2 Модели непрерывных каналов связи
- •3.Характеристики системы связи
- •4. Модели дискретных каналов связи.
- •3. Матем. Модели сообщений, сигналов и помех.
- •6.Оптимал алгоритмы когерент приема с-лов
- •7.Спектральное и временное представление периодических сигналов
- •8. Некогерентный прием сигналов
- •9. Спектральное представление непериодических сигналов и его свойства.Ширина спектра.
- •10.Оптимальная демодуляция и фильтрация непрерывных сигналов
- •11 Дискретизация непрерывных сигналов. Теорема Котельникова
- •12. Критерии качества и правила приема дискретных сообщений
- •13.Аналого-цифровое и цифро-аналоговое преобразование сигналов. Методы построения ацп и цап, основные параметры.
- •14.Критерии помехоустойчивости приема непрерывных сообщений.
- •Таким образом, спектр простого ам сигнала содержит несущее и два боковых колебания (рис.3.11). Нетрудно видеть, что его ширина , где – частота модулирующего сигнала. 1. Спектр ам сигнала содержит:
- •2. Ширина спектра ам сигнала вдвое больше максимальной модулирующей частоты
- •Детектирование чм сигналов
- •21. Сигналы дискретной модуляции аМн, чМн, фМн, их спектральное представление.
- •23.Формирование и детектирование сигналов с импульсной модуляцией.
- •24.Криптографические методы защиты информации (симметричные криптосистемы).
- •25.Криптографические методы защиты информации (асимметричные криптосистемы).
- •26.Основные характеристики случайных процессов. Акф, вкф и их свойства.
- •27.Методы и средства защиты данных в телекоммуникационныъх сетях
- •28.Спектральный анализ случайных процессов.
- •29.Методы повышения эф-ти сс.
- •38.Квантовая криптография.
- •39.Принципы построения защищенных ткс.
- •8.1. Общая характеристика принципов
- •40.Оценка эффективности защиты информации в ткс.
- •30.Нелинейные цепи
30.Нелинейные цепи
Теория
Детектирвание.
Диодный етектор.
Детектированием называется процесс выделения модулирующего сигнала из модулированного высокочастотного колебания.
Схемы, с помощью которых осуществляется детектирование, применяется и в случаях, когда высокочастотные колебания не являются модулированными. Поэтому часто под детектированием понимают процесс выделения тех или иных параметров высокочастотного колебания.
И спользуя принцип детектирования, можно определить амплитуду, частоту, фазу, длительность отрезка высокочастотного колебания или время его прихода, а также выявить изменения этих величин, если они происходят.
Наиболее широко применяется диодный детектор. Схема диодного детектора и процесс детектирования показаны на рис. 1 и рис. 2 соответственно. При наличии на входе детектора немодулированного колебания на выходе появляется постоянное напряжение с небольшими пульсациями.
Следует обратить внимание на различие постоянных времени заряда и разряда конденсатора. Постоянная времени заряда конденсатора:
,
г де – сопротивление диода в прямом направлении; – емкость, шунтирующая сопротивление нагрузки детектора .
Постоянная времени разряда конденсатора:
.
Как правило, эти постоянные времени сильно различаются, так как обычно .
Если увеличить сопротивление нагрузки , то угол отсечки уменьшится и постоянная составляющая выходного напряжения приблизится к амплитуде входного напряжения .
Иногда временные диаграммы удобно изображать в непосредственной связи с вольтамперной характеристикой диода.
Основные обозначения и расчетные формулы
Напряжение, приложенное к нелинейному сопротивлению:
.
Ток, протекающий через нелинейное сопротивление под действием напряжения :
Аппроксимация вольтамперной характеристики нелинейного сопротивления ломаной прямой (кусочно-нелинейная аппроксимация):
,
где – крутизна.
;
,
где – угол отсечки тока; – Gamma; – Alfa; – Beta.
;
,
где – амплитуда импульса тока;
;
.
Аппроксимация вольтамперной характеристики нелинейного сопротивления степенным рядом (полиномиальная аппроксимация):
.
.
Аппроксимация вольтамперной характеристики нелинейного сопротивления показательной функции:
,
где , , – постоянные:
;
,
где , – модифицированные функции Бесселя нулевого и k-го порядка.
Индексы: «б» – базовая цепь, «к» – коллекторная цепь (например, , ).
Угол отсечки при диодном детектировании находится из соотношения:
,
где – сопротивление нагрузки, – крутизна характеристики диода.
16.парелетрические(линецные?) цепи
Теория
Соотношение, определяющее критическое значение относительного изменения емкости, при котором произойдет параметрическое возбуждение колебательной системы:
.
Схема замещения параметрического конденсатора. В зависимости от соотношения между начальными фазами источника входного сигнала и генератора накачки возможен режим, когда управляемый конденсатор ведет себя подобно активному элементу, не потребляя, а поставляя в цепь мощность на частоте входного сигнала:
,
где: – коэффициент, характеризующий глубину модуляции емкости; – частота сигнала; ; – активное сопротивление, вносимое данным элементом в цепь.
Одноконтурный параметрический усилитель. Принципиальная и эквивалентная схемы приведены на рис. 2 и рис. 3 соответственно:
,
– отрицательная активная проводимость, вносимая варактором.
Устойчивость параметрического усилителя. Если отрицательная проводимость варактора полностью компенсирует сумму проводимостей генератора и нагрузки, то параметрический усилитель становится неустойчивым и самовозбуждается. Критическое значение вносимой отрицательной проводимости:
Критическая глубина модуляции емкости:
.
Двухконтурный параметрический усилитель. Работы, направленные на улучшение эксплуатационных характеристик параметрических усилителей привели к созданию принципиально новых устройств. Двухконтурный усилитель способен работать при произвольном соотношении частот сигнала и накачки, причем независимо от начальных фаз этих колебаний. Схема приведена на рис. 4. Вносимая активная отрицательная проводимость:
.
Вносимая проводимость будет отрицательна всегда, если .