- •1. Кинематика вращательного движения. Угловая скорость и угловое ускорение. Линейное и нормальное ускорение. Момент силы.
- •2. Силы в природе. Силы упругих деформаций. Закон Гука. Силы трения.
- •3. Динамика вращательного движения. Момент инерции. Момент импульса. Закон сохранения импульса.
- •4. Молекулярная физика. Статистический подход в молекулярной физике. Термодинамика. Термодинамические параметры.
- •5. Молекулярно-кинетическая теория идеального газа. Закон Максвелла распределения молекул по скоростям. Наиболее вероятная средняя арифметическая скорость молекул.
- •6. Уравнение состояния идеального газа (уравнение Клапейрона - Менделеева). Постоянная Больцмана.
- •7. Равновесные процессы в идеальном газе. Изотермический, изобарический и изохорический процессы.
- •8. Адиабатический и политропные процессы.
- •9. Первый закон термодинамики. Теплоёмкость.
- •10. Теплоемкость вещества. Степени свободы молекул. Соотношение между теплоемкостью при постоянном давлении и при постоянном объеме.
- •11. Второй закон термодинамики
- •12. Круговые процессы (циклы). Прямой и обратный циклы.
- •13.Полная энергия системы. Теплота и работа. Теплообмен.
- •14. Обратимые и необратимые процессы. Неравновесные процессы. Механизм перехода неравновесной системы в состояние равновесия.
- •15.Цикл карно. Термический кпд прямого цикла карно.
- •16. Неидеальный газ. Уравнение вад-дер-ваальса. Диаграмма состояния.
- •17. Жидкости. Молекулярное строение жидкости. Средняя скорость движения молекул в жидкости. Поверхностное натяжение жидкости.
- •18. Электрическое поле в вакууме. Элементарный заряд. Закон кулона. Напряженность электрического поля. Принцип суперпозиции электрических полей.
- •19. Поток напряженности электрического поля. Теорема Остроградского-Гаусса.
- •20.Применение теоремы Остроградского-Гаусса к расчету электростатических полей в вакууме. Поле однородно заряженной сферической поверхности. Поле объемного заряженного шара
- •21.Электростатическое поле однородно заряженного бесконечного цилиндра. Поле равномерно заряженной бесконечной пластины.
- •29.Магнитное поле. Магнитная индукция. Сила Лоренца и магнитная индукция.
- •30.Магнитная проницаемость среды. Закон Био-Савара-Лапласа. Примеры простейших магнитных полей проводников с током.
- •Примеры магнитных полей
- •Вопрос №41. Ферромагнетики. Магнитный гистерезис. Магнитномягкие и магнитожесткие ферромагнетики. Точка Кюри. Физический механизм ферромагнетизма. Магнитные домены
- •43. Полупроводники. Свойства полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников.
- •44. Контактные явления в полупроводниках. Электронно-дырочный переход. Запирающий слой.
- •45.Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые диоды, транзисторы. Физика процессов в полупроводниковых устройствах. Применение полупроводниковых устройств.
- •Полупроводниковые диоды.
- •46.Основы теории Максвелла для электромагнитного поля. Уравнение Максвелла. Ток смещения.
- •49.Колебания. Гармонические колебания. Амплитуда, циклическая частота, частота, фаза, период колебаний. Дифференциальное уравнение гармонических колебаний
- •50. Механические гармонические колебания. Энергия гармонических колебаний. Электрический колебательный контур. Формула Томпсона
- •53. Свободные затухающие механические колебания. Свободные затухающие колебания в электрическом контуре.
- •54. Дифференциальное уравнение вынужденных колебаний. Амплитуда и фаза вынужденных колебаний. Резонанс.
- •2)Продольные и поперечные волны
- •3)Уравнение бегущей волны
- •4) Длина волны
- •7) Стоячие волны
- •8)Эффект Доплера
- •3.Энергия и импульс электромагнитных волн
- •4. Вектор Умова-Пойнтинга
- •5. Излучение электромагнитных волн
- •2. Расчет интерф. Картины.
- •3. Дифракция света
- •4. Принцип Гюйгенса – Френеля.
- •5. Зоны Френеля.
- •6. Дифракционная решетка.
- •5.Двойное лучепреломление.
- •6. Закон Малюса
- •Эффект Комптона:
- •60. Элементы квантовой механики. Корпускулярно-волновой дуализм свойств в-ва. Соотношение неопределенностей. Ур-е Шредингера. Туннельный эффект. Волновая функция и её статистический смысл.
- •Туннельный эффект:
- •61. Частица в потенциальной яме. Принцип соответствия Бора.
- •Кинематика
45.Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые диоды, транзисторы. Физика процессов в полупроводниковых устройствах. Применение полупроводниковых устройств.
Транзисторами называются полупроводниковые приборы на основе кристалла с двумя р-n переходами и служащие для усиления электрических сигналов. В структуре транзистора возможно количество переходов, отличное от двух. Транзисторы с двумя р-п переходами называются биполярными, так как их работа основана на использовании зарядов обоих знаков. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал, и управляемый электрическим полем. В полевом транзисторе используются заряды одного знака. В кристалле полупроводника транзистора созданы три области электропроводности с порядком чередования р-n-р или n-р-n.
Средняя область кристалла транзистора называется базой, крайние области — эмиттером и коллектором. Переходы между базой и эмиттером и базой и коллектором называются соответственно эмиттерным и коллекторным. Для обозначения величин, относящихся к базе, эмиттеру и коллектору, применяют буквы б, э, к. На изображении транзистора стрелка указывает условное направление тока в эмиттере от плюса к минусу. В зависимости от напряжений на переходах транзистора он может работать в трех режимах. Активный режим Получается при напряжениях прямом на эмиттерном и обратном на коллекторном переходах. Режим отсечки или запирания — напряжения на обоих переходах обратные. Режим насыщения — напряжения на обоих переходах прямые. Основным является активный режим. В схеме с транзистором образуются две цепи — входная и выходная. Во входную цепь включается управляющий сигнал, который должен быть усилен, а в выходную — нагрузка, на которой выделяется усиленный сигнал.
Статические параметры транзистора — параметры, определяемые при постоянном напряжении на всех его электродах.
Схемы включения транзисторов разделяются в зависимости от того, какой электрод транзистора является общим относительно входного и выходного переменных напряжений. В соответствии с этим схемы называются схемами с общим эмиттером — ОЭ, общей базой — ОБ, общим коллектором — ОК Схема ОЭ является более распространенной, так как дает наибольшее усиление по мощности. Данные схемы включения транзисторов приведены на рис. 2. 3.
Рис. 2. 3. Схемы включения транзисторов
а.) с общим эмиттером; б) с общей базой; в) с общим коллектором. ИС — источник сигнала, подаваемого на вход транзистора, Uвх, Uвых — входное и выходное напряжения сигнала, Uбэ, Uбк, Uкэ — напряжения между базой и эмиттером, базой коллектором, коллектором и эмиттером, iб,iэ,iк- токи базы, эмиттера и коллектора, E1, Е2 — источники питания, С1, С2, — конденсаторы большой емкости, сопротивление которых для переменного сигнала является малым и через которые коллектор по переменному току замкнут, являясь в схеме общим.
Полупроводниковые диоды.
Полупроводниковым диодом называется прибор, основой конструкции которого является один р-n переход. Условное обозначение диода сохранилось от первых электровакуумных диодов. В изображении черта означает катод, а треугольник анод. Чтобы это запомнить, достаточно представить, что катод испускает электроны, и они выходят из него расходящимся пучком, образуя треугольник. Если считать проводимость диода направленной от плюса к минусу, то она будет соответствовать стрелке, образованной вершиной треугольника. Универсальные и импульсные диоды — полупроводниковые диоды, имеющие малую длительность переходных процессов включения и выключения и предназначенные для применения в импульсных режимах работы. Стабилитрон — полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики этого диода является почти прямой линией, поэтому при изменении тока, проходящего через прибор, напряжение на нем практически не меняется.
а) выпрямление переменного тока с помощью выпрямительного диода. Rнагр — сопротивление нагрузки; 6) стабилизация напряжения с помощью стабилитрона. Uвх — входное напряжение, Uвых — выходное напряжение; в), г) вольт-амперные характеристики. iпр, Unp, iобр.Uобр ~ прямые и обратные токи и напряжения, Uст — стабилизированное напряжение.
Применение полупроводников обеспечило повышение быстродействия и надежности ЭВМ, уменьшило их габариты, энергопотребление и стоимость. К моменту смены элементной базы произошли также существенные изменения в структуре, архитектуре и режимах использования компьютеров.
Полупроводники используют в качестве термометров для замера температур окружающей среды. Они более чувствительны, чем термометры сопротивления, изготовляемые из металла под названием болометров и применяемые в лабораторной практике для измерения очень высоких или самых низких температур.
