 
        
        - •1.1. Важнейшие параметры полупроводниковых диодов
- •1.2. Схемы на диодах
- •1.3. Транзисторы
- •1.4. Гибридная п-образная эквивалентная схема Джиаколетто
- •1.5. Основные параметры полевых транзисторов
- •1.5.1. Выходные и стоко-затворные характеристики
- •2.1. Установка точки покоя (рабочей точки)
- •2.1.1. Схема установки рабочей точки с помощью резистора rб, фиксирующего ток базы iб – схема подачи смещения на базу фиксированным током базы
- •2.1.2. Схема установки рабочей точки с фиксированным напряжением – схема подачи смещения на базу с помощью резисторного делителя, фиксирующего
- •2.2.1. Причины нестабильности
- •2.2.2. Схема эмиттерной стабилизации рабочей точки
- •2.2.3. Схема коллекторной стабилизации рт
- •2.2.4. Схема температурной компенсации
- •2.2.5. Схема термокомпенсации с диодным смещением
- •2.2.6. Схема с диодно-резисторным смещением
- •3.1. Основные понятия и определения
- •3.2. Классификация обратных связей
- •3.3. Влияние ос на коэффициенты усиления
- •3.4. Влияние ос на Входное Сопротивление
- •3.5. Влияние ос на выходное сопротивление усилителя
- •3.6. Влияние ос на нестабильность сквозного коэффициента усиления
- •3.7. Устойчивость усилителей с ос
- •3.8.1. Критерий Найквиста
- •3.8.2. Ачх и фчх при обратной связи
- •4. Усилительные устройства
- •4.1.1. Предварительные каскады ус
- •4.2. Выходные (оконечные) каскады
- •4.2.1. Двухтактный выходной каскад
- •5. Операционные усилители
- •5.1. Схемотехника оу
- •5.2. Схемы на оу
- •5.3. Активные rc фильтры на оу
- •5.4. Обобщённое описание фильтров
- •5.6.1. Реализация полосового фильтра 2-порядка
- •5.7. Генераторы сигналов на операционных усилителях (оу)
- •5.8. Компараторы
2.2.1. Причины нестабильности
Главной и основной причиной нестабильности рабочей точки является непостоянство температуры окружающей среды.
Транзистор – это твердое тело и он находится в прямом контакте с температурой окружающей среды, которая влияет на стабильность рабочей точки.
Если температура повышается любым образом, то выделяется джоулево тепло, а если температура возрастает, то ток тоже возрастает, который ведет в свою очередь к возрастанию температуры полупроводникового прибора, что приводит к тепловому пробою, то есть происходит оплавление переходов и транзистор выходит из строя.
Уход рабочей точки
 из
своего начального положения имеет, по
меньшей мере, четыре составляющих
из
своего начального положения имеет, по
меньшей мере, четыре составляющих
 
Разберем эти составляющие.
 –
обязана температурной зависимости
обратного тока 
–
перехода.
–
обязана температурной зависимости
обратного тока 
–
перехода.
 
 –
только лишь тепловая составляющая
обратного тока.
–
только лишь тепловая составляющая
обратного тока.
В справочниках он не указывается, но составляет 10% от обратного тока, указанного в справочнике.
 –
изменение тока базы, если его помножить
на статический коэффициент передачи
тока базы
–
изменение тока базы, если его помножить
на статический коэффициент передачи
тока базы 
 ,
то получим ток коллектора.
,
то получим ток коллектора.
 –
в общем случае это разность температур
между
–
в общем случае это разность температур
между 
 нагретого
–
перехода и комнатной температурой
нагретого
–
перехода и комнатной температурой 
 .
.
 ,
где
,
где
 –
тепловое сопротивление, пс – означает
переход-среда.
–
тепловое сопротивление, пс – означает
переход-среда.
Это тепловое
сопротивление имеет размерность: 
 или
или
 .
.
–
мощность, которая выделяется на переходе,
за счет протекания тока 
 и
приложенного напряжения
и
приложенного напряжения 
 .
.
 –
обязана температурной зависимости 
.
–
обязана температурной зависимости 
.
 –
статический коэффициент передачи тока
базы.
–
статический коэффициент передачи тока
базы.
Коэффициент 
 –
это коэффициент, показывающий как
повышается ток за счет изменения 
.
–
это коэффициент, показывающий как
повышается ток за счет изменения 
.
 
 –
обязана температурному сдвигу входных
характеристик транзистора.
–
обязана температурному сдвигу входных
характеристик транзистора.
Изменение температуры
на 
 приводит
к сдвигу входных характеристик и, поэтому
если поддерживать на базе прежнее
напряжение смещения, то рабочая точка
сместится вверх. Таким образом чтобы
оставить
приводит
к сдвигу входных характеристик и, поэтому
если поддерживать на базе прежнее
напряжение смещения, то рабочая точка
сместится вверх. Таким образом чтобы
оставить 
 прежним
нужно уменьшить напряжение на
прежним
нужно уменьшить напряжение на 
 .
.
 
 –
полное сопротивление в базовой цепи.
–
полное сопротивление в базовой цепи.
 –
входное сопротивление транзистора.
–
входное сопротивление транзистора.
 –
это уход рабочей точки, вызванный
технологическим разбросом параметров
транзистора и 
,
это не тепловая составляющая.
–
это уход рабочей точки, вызванный
технологическим разбросом параметров
транзистора и 
,
это не тепловая составляющая.
 
 
 
Итог: просуммировав все четыре составляющие, мы получаем величину ухода рабочей точки. Нельзя, чтобы РТ двигалась, следовательно, ее нужно стабилизировать.
Стабилизацию РТ можно осуществлять различными способами. Наиболее распространенным является способ стабилизации РТ с помощью отрицательной обратной связи (ООС).
Меньшее распространение получили способы термокомпенсации. В сложных же устройствах, в особенности в составе интегральных микросхем, стабилизацию осуществляют с помощью генератора стабильного тока (ГСТ).
2.2.2. Схема эмиттерной стабилизации рабочей точки
 
На основе логических
рассуждений, управлять током коллектора
можно, изменяя напряжение смещения,
т.к. 
 .
.
Если предположить,
что температура увеличивается, токи
растут, увеличивается падение напряжения
 на
резисторе 
и
если
на
резисторе 
и
если 
 ,
остается только уменьшение 
уменьшая
количество носителей, проходящих через
барьер.
,
остается только уменьшение 
уменьшая
количество носителей, проходящих через
барьер.
С точки зрения теории обратной связи (ОС) схема эмиттерной стабилизации РТ – это есть схема с активной отрицательной обратной связью (ООС) по току.
Свойство же ООС по
току – стабилизировать ток. Эффективность
стабилизации тока покоя коллектора 
,
определяется глубиной ОС 
 ,
которая может быть вычислена по формуле:
,
которая может быть вычислена по формуле:
 
 
Таким образом, если ток покоя получил , то после введения эмиттерной стабилизации.
 
