
- •1.1. Важнейшие параметры полупроводниковых диодов
- •1.2. Схемы на диодах
- •1.3. Транзисторы
- •1.4. Гибридная п-образная эквивалентная схема Джиаколетто
- •1.5. Основные параметры полевых транзисторов
- •1.5.1. Выходные и стоко-затворные характеристики
- •2.1. Установка точки покоя (рабочей точки)
- •2.1.1. Схема установки рабочей точки с помощью резистора rб, фиксирующего ток базы iб – схема подачи смещения на базу фиксированным током базы
- •2.1.2. Схема установки рабочей точки с фиксированным напряжением – схема подачи смещения на базу с помощью резисторного делителя, фиксирующего
- •2.2.1. Причины нестабильности
- •2.2.2. Схема эмиттерной стабилизации рабочей точки
- •2.2.3. Схема коллекторной стабилизации рт
- •2.2.4. Схема температурной компенсации
- •2.2.5. Схема термокомпенсации с диодным смещением
- •2.2.6. Схема с диодно-резисторным смещением
- •3.1. Основные понятия и определения
- •3.2. Классификация обратных связей
- •3.3. Влияние ос на коэффициенты усиления
- •3.4. Влияние ос на Входное Сопротивление
- •3.5. Влияние ос на выходное сопротивление усилителя
- •3.6. Влияние ос на нестабильность сквозного коэффициента усиления
- •3.7. Устойчивость усилителей с ос
- •3.8.1. Критерий Найквиста
- •3.8.2. Ачх и фчх при обратной связи
- •4. Усилительные устройства
- •4.1.1. Предварительные каскады ус
- •4.2. Выходные (оконечные) каскады
- •4.2.1. Двухтактный выходной каскад
- •5. Операционные усилители
- •5.1. Схемотехника оу
- •5.2. Схемы на оу
- •5.3. Активные rc фильтры на оу
- •5.4. Обобщённое описание фильтров
- •5.6.1. Реализация полосового фильтра 2-порядка
- •5.7. Генераторы сигналов на операционных усилителях (оу)
- •5.8. Компараторы
2.2.1. Причины нестабильности
Главной и основной причиной нестабильности рабочей точки является непостоянство температуры окружающей среды.
Транзистор – это твердое тело и он находится в прямом контакте с температурой окружающей среды, которая влияет на стабильность рабочей точки.
Если температура повышается любым образом, то выделяется джоулево тепло, а если температура возрастает, то ток тоже возрастает, который ведет в свою очередь к возрастанию температуры полупроводникового прибора, что приводит к тепловому пробою, то есть происходит оплавление переходов и транзистор выходит из строя.
Уход рабочей точки
из
своего начального положения имеет, по
меньшей мере, четыре составляющих
Разберем эти составляющие.
–
обязана температурной зависимости
обратного тока
–
перехода.
–
только лишь тепловая составляющая
обратного тока.
В справочниках он не указывается, но составляет 10% от обратного тока, указанного в справочнике.
–
изменение тока базы, если его помножить
на статический коэффициент передачи
тока базы
,
то получим ток коллектора.
–
в общем случае это разность температур
между
нагретого
–
перехода и комнатной температурой
.
,
где
–
тепловое сопротивление, пс – означает
переход-среда.
Это тепловое
сопротивление имеет размерность:
или
.
–
мощность, которая выделяется на переходе,
за счет протекания тока
и
приложенного напряжения
.
–
обязана температурной зависимости
.
–
статический коэффициент передачи тока
базы.
Коэффициент
–
это коэффициент, показывающий как
повышается ток за счет изменения
.
–
обязана температурному сдвигу входных
характеристик транзистора.
Изменение температуры
на
приводит
к сдвигу входных характеристик и, поэтому
если поддерживать на базе прежнее
напряжение смещения, то рабочая точка
сместится вверх. Таким образом чтобы
оставить
прежним
нужно уменьшить напряжение на
.
–
полное сопротивление в базовой цепи.
–
входное сопротивление транзистора.
–
это уход рабочей точки, вызванный
технологическим разбросом параметров
транзистора и
,
это не тепловая составляющая.
Итог: просуммировав все четыре составляющие, мы получаем величину ухода рабочей точки. Нельзя, чтобы РТ двигалась, следовательно, ее нужно стабилизировать.
Стабилизацию РТ можно осуществлять различными способами. Наиболее распространенным является способ стабилизации РТ с помощью отрицательной обратной связи (ООС).
Меньшее распространение получили способы термокомпенсации. В сложных же устройствах, в особенности в составе интегральных микросхем, стабилизацию осуществляют с помощью генератора стабильного тока (ГСТ).
2.2.2. Схема эмиттерной стабилизации рабочей точки
На основе логических
рассуждений, управлять током коллектора
можно, изменяя напряжение смещения,
т.к.
.
Если предположить,
что температура увеличивается, токи
растут, увеличивается падение напряжения
на
резисторе
и
если
,
остается только уменьшение
уменьшая
количество носителей, проходящих через
барьер.
С точки зрения теории обратной связи (ОС) схема эмиттерной стабилизации РТ – это есть схема с активной отрицательной обратной связью (ООС) по току.
Свойство же ООС по
току – стабилизировать ток. Эффективность
стабилизации тока покоя коллектора
,
определяется глубиной ОС
,
которая может быть вычислена по формуле:
Таким образом, если ток покоя получил , то после введения эмиттерной стабилизации.