1.2. Схемы на диодах
1) Выпрямители.
а) однополупериодные выпрямители
б) двухполупериодное выпрямление
Выделение фронтов импульсов
применяется для синхронизации всех цифровых узлов.
Стабилизация напряжения
Нелинейные схемы
Диодная защита
Диодный ключ
1.3. Транзисторы
В биполярных
транзисторах носителями являются два
вида: дырки и электроны. В полевых
транзисторах (униполярные) принимают
участие только один вид носителей. У
БПТ прежде всего нужно знать, что
при
включении этого транзистора с общим
эмиттером имеет три составляющие:
1.
,
где
–
статический коэффициент усиления (
).
2.
–
обратный ток коллекторного перехода,
равный
.
3. Эффект Эрли
.
(N-P-N)
.
(P-N-P)
Для маломощных транзисторов .
Параметр h21 важный параметр, но он не явно определяет усилительные свойства!
Важнейшим
усилительным параметром транзистора
является крутизна
.
;
–
тепловой ток (
)
Коэффициент усиления
;
;
;
Всегда под крутизной понимается
– тепловой ток коллектора.
Иногда в литературе
крутизну подают в виде
параметров.
;
;
.
Иногда в современных
книжках встречается формула для крутизны
в ее чистом виде
.
При выполнении
инженерных расчетов крутизна определяется
по формуле.
,
где
–
принимают от 1 до 2 при
и
–
принимают от 2 до 4 при
.
1.4. Гибридная п-образная эквивалентная схема Джиаколетто
Несмотря на множество
эквивалентных схем замещения транзистора,
в инженерных расчетах наибольшей
популярностью пользуется гибридная
П-образная схема Джиаколетто потому
что в этой схеме кроме крутизны, все ее
элементы являются частотонезависимыми.
Здесь
–
сопротивление базы транзистора
(объемное). Надо заметить, что
необходимо
вычислить по формуле:
,
где
–
емкость коллекторного перехода,
–
постоянная времени обратной связи
транзистора.
–
динамическое сопротивление эмиттерного
перехода.
,
где
–
физическое сопротивление эмиттерного
перехода для тока эмиттера,
–
для протекаемого тока базы.
Динамическая емкость эмиттерного перехода.
,
где
–
частота единичного усиления.
Граничная частота
транзистора по крутизне
.
В нормальных условиях эмиттерный переход открыт, коллекторный – закрыт. Усилительные свойства в этой схеме отображают с помощью источника переменной составляющей коллекторного тока, который в свою очередь определяется произведением крутизны на напряжение на переходе.
,
где
–
крутизна коллекторного тока по напряжению
на переходе,
–
крутизна коллекторного тока по напряжению
на входе.
Другими весьма
важными эксплуатационными параметрами
транзистора являются: допустимая
мощность рассеяния в области коллекторного
перехода
и
допустимое (наибольшее) напряжение на
коллекторе, при котором еще не наступает
пробой коллекторного перехода
(оно
обычно указывается в справочнике по
транзисторам).
Допустимая мощность рассеяния (указывается в справочниках по транзисторам) определяется так:
,
где
–
тепловое сопротивление переход-среда
указывают в справочниках;
–
допустимая температура перехода, при
которой еще не наступает необратимой
пробой коллекторного перехода также
указывается в справочниках по транзисторам.