- •1) Классификация электронных устройств. Аналоговые и дискретные устройства.
- •Группы аналоговых электронных устройств
- •2) Типы дискретных устройств. Цифровые устройства и их основные преимущества.
- •3) Собственная и примесная проводимость полупроводников. Проводимость р- и n- типа.
- •Виды полупроводников
- •По характеру проводимости
- •Собственная проводимость
- •Примесная проводимость
- •По виду проводимости Электронные полупроводники (n-типа)
- •Дырочные полупроводники (р-типа)
- •5) Выпрямляющие свойство р-п перехода, Полупроводниковые диоды, вах и параметры диодов.
- •6) Классификация диодов по назначению, рабочей частоте, технологии изготовления, принципу работы. Маркировка диодов.
- •7,8) Биполярный транзистор
- •Схемы включения
- •Основные параметры
- •9) Биполярный транзистор. Входные и выходные характеристики биполярного транзистора (схемы об и оэ).
- •1) Эквивалентная схема транзистора для постоянного тока об: основные соотношения и характеристики
- •Базовые характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме об.
- •Выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме об.
- •2) Эквивалентная схема транзистора для постоянного тока оэ: основные соотношения и характеристики
- •Базовые характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме оэ.
- •Выходные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме оэ.
- •10) Частотные свойства биполярного транзистора.
Схемы включения
Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями:
-
Коэффициент усиления по току Iвых/Iвх.
-
Входное сопротивление Rвх=Uвх/Iвх
Схема включения с общей базой
Входной эммитер, а выходной коллектор.
Усилитель с общей базой.
-
Среди всех трех конфигураций обладает наименьшим входным и наибольшим выходным сопротивлением. Имеет коэффициент усиления по току, близкий к единице, и большой коэффициент усиления по напряжению. Фаза сигнала не инвертируется.
-
Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх=Iк/Iэ=α [α<1]
-
Входное сопротивление Rвх=Uвх/Iвх=Uбэ/Iэ.
Входное сопротивление для схемы с общей базой мало и не превышает 100 Ом для маломощных транзисторов, так как входная цепь транзистора при этом представляет собой открытый эмиттерный переход транзистора.
Достоинства:
-
Хорошие температурные и частотные свойства.
-
Высокое допустимое напряжение
Недостатки схемы с общей базой :
-
Малое усиление по току, так как α < 1
-
Малое входное сопротивление
-
Два разных источника напряжения для питания.
Схема включения с общим эмиттером
База является входной, а коллектор выходной.
Iвых = Iк
Iвх = Iб
Uвх = Uбэ
Uвых = Uкэ
-
Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх=Iк/Iб=Iк/(Iэ-Iк) = α/(1-α) = β [β>>1]
-
Входное сопротивление: Rвх=Uвх/Iвх=Uбэ/Iб
Достоинства:
-
Большой коэффициент усиления по току
-
Большой коэффициент усиления по напряжению
-
Наибольшее усиление мощности
-
Можно обойтись одним источником питания
-
Выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного.
Недостатки:
-
Худшие температурные и частотные свойства по сравнению со схемой с общей базой
Схема с общим коллектором
Iвых = Iэ
Iвх = Iб
Uвх = Uбк
Uвых = Uкэ
-
Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх=Iэ/Iб=Iэ/(Iэ-Iк) = 1/(1-α) = β [β>>1]
-
Входное сопротивление: Rвх=Uвх/Iвх=(Uбэ+Uкэ)/Iб
Достоинства:
-
Большое входное сопротивление
-
Малое выходное сопротивление
Недостатки:
-
Коэффициент усиления по напряжению меньше 1.
Схему с таким включением называют «эмиттерным повторителем»
Основные параметры
-
Коэффициент передачи по току
-
Входное сопротивление
-
Выходная проводимость
-
Обратный ток коллектор-эмиттер
-
Время включения
-
Предельная частота коэффициента передачи тока базы
-
Обратный ток колектора
-
Максимально допустимый ток
-
Граничная частота коэффициента передачи по схеме с общим эмитером
9) Биполярный транзистор. Входные и выходные характеристики биполярного транзистора (схемы об и оэ).
Биполярный транзистор — полупроводниковый прибор с 2-мя взаимными p-n переходами, 3-мя выводами и усилительные свойства которого обусловлены в результате инжекции или экстракции основных носителей. Би – означает что участие в работе принимают электроны и дырки.(Определение из тетради)
Электрод, подключённый к центральному слою, называют базой, электроды, подключённые к внешним слоям, называют коллектором и эмиттером. На простейшей схеме различия между коллектором и эмиттером не видны. В действительности же главное отличие коллектора — бо́льшая площадь p — n-перехода. Кроме того, для работы транзистора абсолютно необходима малая толщина базы.