Классификация оптронов:

1. Кремниевый «p-i-n» фотодиод: согласуется с излучателем на основе GaAs-структуры с примесью (Zn, As, P).

2. Кремниевые фототранзисторы и фототиристоры: согласуются с излучателем на основе GaAlAs.

3. Фоторезисторы на основе CdSe (селенистого кадмия): хорошо согласуется практически со всеми излучателями. Недостаток: малое быстродействие!!!

I – С помощью оптического клея, соединяется вся конструкция!

1 – излучатель;

2 – фотоприёмник;

3 – излучательная среда.

II – Приклеивание активных кристаллов с разных сторон прозрачной пластины (слюда, стекло, сапфир и т.д.)!

III – Жёсткое закрепление активных кристаллов на специальных площадках с помощью вазелиноподобных полимеров!

IV – «панельная конструкция»:

1 – излучатель;

2 – фотоприёмник;

3 – излучательная среда;

4 – микросхема.

Перспектива: Создание монолитных оптопар в виде цельнотельных структур!!! Обозначение оптопар: Резисторная оптопара (r) Диодная оптопара (d)

Транзисторная оптопара (T) Тиристорная оптопара (Y)

Есть ещё оптопара с составным транзистором (T²) и диодно-транзисторная оптопара (DT).

Параметры: входные (излучатель), выходные (фотоприёмник), передаточные (среда),

параметры изоляции.

Входные параметры:

1 - Входной номинальный ток, I_вх.ном..

2 - Входное напряжение, U_вх. – это падение напряжения на СИД при заданных значениях I_прям..

3 - Входная ёмкость, С_вх. – ёмкость оптопары между входными выводами.

4 - I_{max вх.} – для работы в импульсном режиме.

5 - U_{обр. вх. max}

Пердаточные параметры:

(Характеризуют степень воздействия излучателя на фотоприёмник)

Основной параметр оптопар, кроме тиристорной оптопары (т.к. она работает в ключевом режиме, т.е. или включена, или выключена): коэффициент передачи по току!

K_I =

При исследовании оптопар выявили, что при повышении температуры возникает ток утечки, соизмеримый с входным током!

Параметры изоляции:

1 – Максимально допустимое пиковое напряжение между входом и выходом.

2 – Сопротивление изоляции, R_изол. = 10¹² [Ом]

3 – Проходная ёмкость, С_прох. = 1[пФ] (определяет быстродействие оптрона).

4 – Максимально допустимая скорость нарастания выходного напряжения.

Обозначение и маркировка:

Пример: аод101б

А – материал (GaAs);

О – оптопара;

Д – диодная;

101 – номер разработки;

Б – группа приборов данной разработки.

26