
- •1. Усилитель на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общей базой……………………………………………………………………………...…2
- •2. Усилитель на биполярном транзисторе, включенном по схеме общим эмиттером………………………………………………………………………….6
- •3. Усилитель на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим коллектором……………………………………………………………………...14
- •1. Усилитель на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общей базой.
- •Режим работы схемы по постоянному току определяется элементами: rк, rэ, eк, eэ и характеристиками транзистора vt. Запишем уравнения Кирхгофа для выходной цепи:
- •2. Усилитель напряжения на биполярном транзисторе включенном по схеме с общим эмиттером.
- •3. Усилитель на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим коллектором (эмиттерный повторитель).
3. Усилитель на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим коллектором (эмиттерный повторитель).
Принципиальная схема усилителя приведена на Рис. 3.1.
Рис. 3.1 Принципиальная схема усилителя на биполярном транзисторе, включенного по схеме с общим коллектором.
Расчет схемы по постоянному току.
Режим работы схемы по постоянному току определяется элементами: RЭ, RБ, EК и параметрами транзистора. Аналогично, как и для схемы с общим эмиттером, выходную и входную цепи можно описать следующими системами уравнений:
Т.
к. IЭ=IК+IБ,
а IБ<<IК,
то уравнение (1) можно записать в виде:.
Как и для схемы с ОЭ (см. Рис. 3.2) построим нагрузочную линию (1) соответствующую первой системе:
Рис. 3.2 а) определение режима работы по постоянному току на выходных характеристиках транзистора, б) на входных характеристиках транзистора.
По аналогии со схемой с ОЭ выбираем точку покоя "О", и определяем значения сопротивлений RЭ и RБ (см. Рис. 3.2).
,
.
Расчет по переменному току.
Представим схему замещения усилителя с ОК для расчета каскада по переменному току (см. Рис. 3.3.), при этом примем следующие допущения:
зажимы "+" и "-" источника питания по переменному току считаем однопотенциальными, за счет низкого внутреннего сопротивления источника питания;
при определении основных характеристик усилителя считаем, что усилитель работает в области средних звуковых частот, следовательно сопротивлениями разделительных конденсаторов СР1 и СР2 можно пренебречь, как и влиянием емкости СН.
Рис. 3.3 Схема замещения усилителя с ОК.
-
Определение коэффициента усиления усилителя по напряжению.
Расстановка знаков UВх, UВых, источника IБh21Э/h22Э и IК выполнена в соответствии с методикой, приведенной в разделе 2.
Схему замещения (Рис. 3.3) можно описать уравнением:
где
.
;
отсюда следует:
,
Следовательно, получим:
,
.
Из последнего выражения получим коэффициент усиления:
.
Поскольку знаменатель kU больше числителя, то kU<1. при правельно спроектированном каскаде kU0.9 0.99.
Т.к. kU1 то UВхUВых, поэтому усилитель по схеме с ОК называют эмиттерным повторителем, поскольку выходной сигнал повторяет входной по фазе и амплитуде.
-
Определение входного сопротивления усилителя.
Входной ток транзистора можно описать следующим выражением:
.
Следовательно, входное сопротивление транзистора можно определить как:
.
Исходя из этого, входное сопротивление усилителя определяется выражением:
.
Т.к. kU(0.90.99), то RВх.Тр=(10100).h11Э,следовательно RВх.Ус(10100кОм).
Следовательно, схема с ОК обладает самым высоким входным сопротивлением, и ее применение необходимо если используется источник сигнала с высоким внутренним сопротивлением.
-
Определение коэффициента усиления усилителя по току.
Коэффициент усиления по току можно определить как отношение выходного тока ко входному:
,
где
- ток нагрузки,
-
входной ток эмиттерного повторителя.
Подставив значения IН и IВх в формулу для ki, получим:
.
Поскольку допустимые значения RН порядка единиц кОм – сотен Ом, то ki>>1 и составляет порядка десятков – сотен.
-
Определение выходного сопротивления усилителя.
Для определения выходного сопротивления повторителя, воспользуемся методикой, изложенной в разделе 2. модель каскада приведена на Рис. 3.17. С учетом того, что RВн<<RВх, замыкание активного источника ЭДС произведем вместе с его внутренним сопротивлением.
Рис 3.4 – Модель эмиттерного повторителя для определения Rвых.
Для
согласования
модели
с реальной
схемой, предположим, что напряжение
получило
приращение как показано на Рис.3.4 ("+"
– к эмиттеру, "-" – к общей шине).
Под действием этого напряжения и
источника ЭДС будут протекать токи
и
в направлениях, показанных на Рис. 3.4.
Установим фактическое направление тока
IК.
Ток
- течет с эмиттера в базу, тем самым
открывает транзистор (транзистор p-n-p),
следовательно, ток коллектора получает
положительное приращение. Таким образом,
направление тока коллектора в модели
соответствует направлению реального
тока, значит знак перед величиной
источника IБh21Э/h22Э
будет положительным..
Для тока коллектора можно записать следующее выражение:
.
,
но т.к.
получим, что
,
следовательно выходное сопротивление
транзистора можно определить как:
:
так
как
,
то получим
.
Для типовых значений этих параметров
маломощных транзисторов получим RВых.Тр
порядка десятков Ом.
Полное выходное сопротивление эмиттерного повторителя будет равно:
,
т.к. RЭ
обычно много больше RВых.Тр.
Выводы:
Схема
с общим коллектором обладает самым
низким выходным и самым высоким входным
сопротивлениями из трех схем включения
транзистора. Поэтому такая схема
применяется как согласующий каскад
между источниками входных сигналов с
высоким RВн
и низкоомной нагрузкой. Данная схема
обладает самым высоким коэффициентом
усиления по току
,
однако не усиливает напряжение (kU1),
поэтому ее называют эмиттерным
повторителем,
т.к. выходной сигнал повторяет входной
как по фазе так и по амплитуде.
Схема с общим коллектором применяется в качестве входных и выходных каскадов для обеспечения большого входного и малого выходного сопротивлений усилителя. Также применяется в качестве согласующего каскада между усилительными каскадами ОБ – ОБ или ОБ – ОЭ.